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1. (WO2016180705) CONTROLLABLE BRAGG REFLECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/180705    International Application No.:    PCT/EP2016/060009
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 04.05.2016
IPC:
G02F 1/21 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: RHEINISCH-WESTFÄLISCHE TECHNISCHE HOCHSCHULE (RWTH) AACHEN [DE/DE]; Templergraben 55 52062 Aachen (DE)
Inventors: WILLE, Ada; (DE).
KALISCH, Holger; (DE)
Agent: TARUTTIS, Tilman; (DE)
Priority Data:
10 2015 107 239.4 08.05.2015 DE
Title (DE) STEUERBARER BRAGG-REFLEKTOR
(EN) CONTROLLABLE BRAGG REFLECTOR
(FR) RÉFLECTEUR DE BRAGG RÉGLABLE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein steuerbarer Bragg-Reflektor (100) vorgeschlagen, welcher geeignet ist, einfallendes Licht zu reflektieren. Dieser umfasst mindestens eine Schicht eines Übergitters (110), wobei das Übergitter mindestens eine Schicht aus einem ersten Gruppe-3-Nitrid und mindestens eine zweite Schicht aus einem zweiten Gruppe-3-Nitrid umfasst. Ferner umfasst der Bragg-Reflektor mindestens eine Schicht bestehend aus einem Halbleitermaterial. Zudem werden mindestens zwei Elektroden umfasst (130,140), wobei mindestens eine Elektrode transparent für das einfallende Licht (150) ist oder eine geeignete Struktur aufweist, die zumindest teilweisen Lichteinfall in die Halbleiter- und Übergitterschichten gewährleistet und wobei zwischen besagten Elektroden eine Spannung (U) anlegbar ist.
(EN)The invention relates to a controllable Bragg reflector (100), which is suitable for reflecting incident light. Said Bragg reflector comprises at least one layer of a superlattice (110), wherein the superlattice comprises at least one layer composed of a first group-3 nitride and at least one second layer composed of a second group-3 nitride. Furthermore, the Bragg reflector comprises at least one layer consisting of a semiconductor material. In addition, at least two electrodes (130, 140) are comprised, wherein at least one electrode is transparent to the incident light (150) or has a suitable structure that ensures at least partial light incidence into the semiconductor and superlattice layers and wherein a voltage (U) can be applied between said electrodes.
(FR)L'invention concerne un réflecteur de Bragg (100) réglable destiné à réfléchir une lumière incidente. Ce réflecteur comprend au moins une couche d'un super-réseau (110), le super-réseau comportant au moins une couche d'un premier nitrure du groupe 3 et au moins une seconde couche d'un second nitrure du groupe 3. Ledit réflecteur de Bragg comprend également au moins une couche constituée d'un matériau semi-conducteur. Il comprend en outre au moins deux électrodes (130, 140) dont l'une au moins est transparente à la lumière incidente (150) ou présente une structure appropriée permettsnt au moins en partie une entrée de lumière dans les couches de semi-conducteur et de super-réseau, une tension (U) pouvant être appliquée entre lesdites électrodes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)