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1. (WO2016180273) SPECIAL-SHAPED SEMICONDUCTOR WAFER, MANUFACTURING METHOD AND WAFER CARRIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/180273    International Application No.:    PCT/CN2016/081199
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 06.05.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: BEIJING TONGMEI XTAL TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.4 East Second Road, Tongzhou Industrial Development Zone, Tongzhou District Beijing 101113 (CN)
Inventors: WANG, Yuanli; (CN).
LIU, Vincent Wensen; (CN).
LIU, Jibin; (CN).
GU, Yan; (CN).
LIU, Yingwei; (CN)
Agent: PEKSUNG INTELLECTUAL PROPERTY LTD.; 908 Shining Tower 35 Xueyuan Road, Haidian District Beijing 100191 (CN)
Priority Data:
201510242648.4 13.05.2015 CN
Title (EN) SPECIAL-SHAPED SEMICONDUCTOR WAFER, MANUFACTURING METHOD AND WAFER CARRIER
(FR) SEMI-CONDUCTEUR ÉTAGÉ DE FORME SPÉCIALE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PORTE-PLAQUETTES
(ZH) 一种异形半导体晶片、制备方法及晶片支承垫
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a special-shaped semiconductor wafer, a manufacturing method thereof and a wafer carrier. The method comprises: (1) providing a special-shaped wafer original sheet; (2) edging the wafer original sheet;(3) grinding and processing the surface of the edged wafer, placing the wafer in an inner cavity of the carrier, wherein the inner cavity of the carrier has a plurality of straight sides, and the extension cords of the straight sides intersect to form a special shape, the inner cavity having a convex part at each corner part formed by intersecting the extension cords of straight sides, wherein each convex part is connected to each adjacent straight side via a transition arc, and the shape of the wafer matches the shape of the inner cavity; and (4) roughly polishing the wafer inside the special-shaped carrier, and then performing a finishing polish. The method for manufacturing the special-shaped semiconductor wafer in the present invention reduces or prevents the risk of damage to the wafer during processing, and improves the wafer yield.
(FR)La présente invention concerne un semi-conducteur étagé de forme spéciale, son procédé de fabrication et un porte-plaquettes. Le procédé consiste à : (1) fournir une feuille d'origine de plaquette de forme spéciale ; (2) déborder la feuille d'origine de plaquette ; (3) rectifier et traiter la surface de la plaquette débordée, placer la plaquette dans une cavité interne du support, la cavité interne du support ayant une pluralité de côtés droits, et des cordons d'extension des côtés droits se croisant pour former une forme spéciale, la cavité interne ayant une partie convexe au niveau de chaque partie d'angle formée par intersection des cordons d'extension de côtés droits, chaque partie convexe étant reliée à chaque côté droit adjacent par l'intermédiaire d'un arc de transition et la forme de la plaquette correspond à la forme de la cavité interne ; et (4) polir grossièrement la plaquette à l'intérieur du support de forme spéciale et réaliser ensuite un polissage de finition. Le procédé de production de semi-conducteur étagé de forme spéciale de la présente invention permet de réduire ou d'empêcher le risque d'endommagement de la plaquette pendant le traitement, et améliore le rendement de plaquette.
(ZH)本发明提供一种异形半导体晶片、其制备方法及晶片支承垫,所述方法包括:(1)提供一种异形晶片原片;(2)对晶片原片进行磨边处理;(3)对磨边后的晶片进行表面研磨加工,其中晶片置于一个支承垫的内腔中,支承垫的内腔具有多个直边,各直边延长线相交形成异形形状,内腔在各直边延长线相交形成的各个角部处还具有外凸部分,各外凸部分与相邻各直边以过渡圆弧连接,所述晶片的形状与内腔的形状匹配;(4)对异形支承垫内的晶片进行粗抛光,然后进行精抛光。本发明制备异形半导体晶片的方法减少或避免了加工过程中晶片破损的风险,提高了晶片的成品率。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)