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1. (WO2016179598) MULTIPLE SHIELDING TRENCH GATE FET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/179598    International Application No.:    PCT/US2016/031517
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 09.05.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P. O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventors: KAWAHARA, Hideaki; (US).
SRIDHAR, Seetharaman; (US).
KOCON, Christopher, Boguslaw; (US).
MOLLOY, Simon, John; (US).
YANG, Hong; (US)
Agent: DAVIS, Michael, A., Jr.; (US)
Priority Data:
14/706,927 07.05.2015 US
Title (EN) MULTIPLE SHIELDING TRENCH GATE FET
(FR) FET À GRILLE EN TRANCHÉES À PROTECTION MULTIPLE
Abstract: front page image
(EN)In described examples, a semiconductor device (100) contains a vertical MOS transistor (104) having a trench gate (120) in trenches (110) extending through a vertical drift region (108) to a drain region (106). The trenches (110) have field plates (116) under the gate (120). The field plates (116) are adjacent to the drift region (108) and have multiple segments (122) and (124). A dielectric liner (112) in the trenches (110) separating the field plates (116) from the drift region (108) has a thickness greater than a gate dielectric layer (118) between the gate (120) and the body (130). The dielectric liner (112) is thicker on a lower segment (122) of the field plate (116), at a bottom (114) of the trenches (110), than an upper segment (124), immediately under the gate (120).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui contient un transistor MOS vertical (104) qui possède une grille en tranchées (120) dans des tranchées (110) qui s'étendent à travers une région de dérive verticale (108) vers une région de drain (106). Les tranchées (110) possède des plaques de champ (116) sous la grille (120). Les plaques de champ (116) sont adjacentes à la région de dérive (108) et possèdent de multiples segments (122) et (124). Un revêtement diélectrique (112) dans les tranchées (110) qui sépare les plaques de champ (116) de la région de dérive (108) possède une épaisseur supérieure à une couche diélectrique de grille (118) entre la grille (120) et le corps (130). Le revêtement diélectrique (112) est plus épais sur un segment inférieur (122) de la plaque de champ (116), à un fond (114) des tranchées (110), qu'à un segment supérieur (124), immédiatement sous la grille (120).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)