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1. (WO2016178837) SEMICONDUCTOR DEVICES MADE OF VERTICAL PLANAR ELEMENTS AND METHODS OF THEIR FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/178837    International Application No.:    PCT/US2016/029042
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 22.04.2016
IPC:
H01L 29/732 (2006.01), H01L 21/50 (2006.01), H01L 21/8258 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Applicants: FINSCALE INC. [US/US]; 1821 Porcellano Way Dublin, California 94568 (US)
Inventors: KOLDIAEV, Viktor Isakovitch; .
PIROGOVA, Rimma Alexandovna; (US)
Agent: BACHAND, Edward N.; (US)
Priority Data:
62/158,109 07.05.2015 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES MADE OF VERTICAL PLANAR ELEMENTS AND METHODS OF THEIR FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR CONSTITUÉS D'ÉLÉMENTS VERTICAUX DU TYPE PLANAR ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprising a substrate of a semiconductor material. A bar member of the semiconductor material extends upwardly from the substrate and along the substrate surrounded by spaced-apart trenches in the substrate. Dielectric material is disposed in the trenches and engages the bar member along its vertical planar interfaces. Vertical planar elements are disposed in recesses extending along the vertical interfaces of the bar member to form electronic circuit elements such as p-n and Schottky diodes and other multi-diode electronic circuit elements. More specific circuit elements can include bipolar junction transistors, heterojunction transistors, junction field effect transistors and thyristors. The top of semiconductor device can be covered by a dielectric material to isolate it from one or more tiers comprised of semiconductor devices that may be fabricated in a stack above the device.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat d'un matériau semi-conducteur. Un élément barre du matériau semi-conducteur s'étend vers le haut à partir du substrat et le long du substrat entouré par des tranchées espacées dans le substrat. Un matériau diélectrique est disposé dans les tranchées et vient en prise avec l'élément barre le long des interfaces du type planar verticales de celui-ci. Des éléments du type planar verticaux sont disposés dans des évidements s'étendant le long des interfaces verticales de l'élément barre afin de former des éléments de circuit électronique tels que des diodes à jonction p-n et des diodes Schottky et d'autres éléments de circuit électronique à plusieurs diodes. D'autres éléments de circuit spécifiques peuvent comprendre des transistors à jonctions bipolaire, des transistors à hétérojonction, des transistors à effet de champ à jonction et des thyristors. La partie supérieure du dispositif à semi-conducteur peut être recouverte par un matériau diélectrique pour l'isoler d'un ou de plusieurs étages constitués de dispositifs à semi-conducteur qui peuvent être fabriqués en une pile au-dessus du dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)