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1. (WO2016178758) MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/178758    International Application No.:    PCT/US2016/024219
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 25.03.2016
IPC:
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MS 1-525 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventors: HARMS, Jonathan, D.; (US).
CHEN, Wei; (SG).
MURTHY, Sunil, S.; (SG).
KULA, Witold; (US)
Agent: MATKIN, Mark S.; (US)
Priority Data:
14/706,182 07.05.2015 US
Title (EN) MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
(FR) JONCTIONS TUNNEL MAGNÉTIQUES
Abstract: front page image
(EN)A magnetic tunnel junction has a conductive first magnetic electrode comprising magnetic recording material. A conductive second magnetic electrode is spaced from the first electrode and comprises magnetic reference material. A non-magnetic tunnel insulator material is between the first and second electrodes. The magnetic recording material of the first electrode comprises a first magnetic region, a second magnetic region spaced from the first magnetic region, and a third magnetic region spaced from the first and second magnetic regions. A first non-magnetic insulator metal oxide-comprising region is between the first and second magnetic regions. A second non-magnetic insulator metal oxide-comprising region is between the second and third magnetic regions. Other embodiments are disclosed.
(FR)La présente invention porte sur une jonction tunnel magnétique comprenant une première électrode magnétique conductrice qui comprend un matériau d'enregistrement magnétique. Une seconde électrode magnétique conductrice est espacée de la première électrode et comprend un matériau de référence magnétique. Un matériau isolant tunnel non magnétique est présent entre les première et seconde électrodes. Le matériau d'enregistrement magnétique de la première électrode comprend une première région magnétique, une deuxième région magnétique espacée de la première région magnétique, et une troisième région magnétique espacée des première et deuxième régions magnétiques. Une première région comprenant un oxyde métallique (MO) isolant non magnétique se trouve entre les première et deuxième régions magnétiques. Une deuxième région comprenant un oxyde métallique isolant non magnétique se trouve entre les deuxième et troisième régions magnétiques. D'autres modes de réalisation sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)