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1. (WO2016177653) WAFER HAVING AN ELECTRIC CONNECTION ELEMENT AND CONNECTING ELEMENT FITTED THERETO
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/177653    International Application No.:    PCT/EP2016/059716
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 01.05.2016
IPC:
H05B 3/84 (2006.01), H01Q 1/12 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Applicants: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18, avenue d'Alsace 92400 Courbevoie (FR)
Inventors: WERNER, Katja; (DE).
RATEICZAK, Mitja; (DE).
REUL, Bernhard; (DE).
SCHMALBUCH, Klaus; (DE)
Agent: GEBAUER, Dieter; (DE)
Priority Data:
15166354.9 05.05.2015 EP
Title (DE) SCHEIBE MIT ELEKTRISCHEM ANSCHLUSSELEMENT UND DARAN ANGEBRACHTEM VERBINDUNGSELEMENT
(EN) WAFER HAVING AN ELECTRIC CONNECTION ELEMENT AND CONNECTING ELEMENT FITTED THERETO
(FR) DISQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE BRANCHEMENT ÉLECTRIQUE ET UN ÉLÉMENT DE LIAISON INSTALLÉ SUR CE DERNIER
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine Scheibe mit mindestens einem elektrischen Anschlusselement, mindestens umfassend: - ein Substrat (1), - eine elektrisch leitfähige Struktur (2) auf einem Bereich des Substrats (1), - ein brückenförmiges elektrisches Anschlusselement (3), umfassend einen Brückenbereich (3a) und mindestens zwei Lötfüße (3b), welche über eine Lotmasse (4) mit einem Bereich der elektrisch leitfähigen Struktur (2) verbunden sind, und - ein an dem Anschlusselement (3) angebrachtes elektrisches Verbindungselement (5), wobei das Verbindungselement (5) auf der dem Substrat (1) zugewandten Oberfläche (I) des Brückenbereichs (3a) angebracht ist oder auf der vom Substrat (1) abgewandten Oberfläche (II) des Brückenbereichs (3a) angebracht ist und um den Brückenbereich (3a) herumgeführt ist, so dass es an der dem Substrat (1) zugewandten Oberfläche (I) des Brückenbereichs (3a) anliegt, wobei die Differenz zwischen der Schmelztemperatur des Materials des Anschlusselements (3) und der Schmelztemperatur des Materials des Verbindungselements (5) größer 200 °C beträgt, und wobei das Verbindungselement (5) mittels einer Schweißverbindung an dem Anschlusselement (3) angebracht ist.
(EN)The invention relates to a wafer having at least one electric connection element, at least comprising: a substrate (1), an electrically conductive structure (2) on an area of the substrate (1), a bridge-like electric connection element (3), comprising a bridge area (3a) and at least two soldering legs (3b), which are connected by a soldering material (4) to an area of the electrically conductive structure (2), and an electric connecting element (5) fitted to the connection element (3), wherein the connecting element (5) is fitted to the surface (I) of the bridge area (3a) that faces the substrate (1) or is fitted to the surface (II) of the bridge area (3a) that faces away from the substrate (1) and is led around the bridge area (3a), such that the connecting element rests on the surface (I) of the bridge area (3a) that faces the substrate (1), wherein the difference between the melting temperature of the material of the connection element (3) and the melting temperature of the material of the connecting element (5) is greater than 200°C, and wherein the connecting element (5) is fitted to the connection element (3) by means of a welded connection.
(FR)L'invention concerne un disque comprenant au moins un élément de branchement électrique, comportant au moins : un substrat (1), une structure électroconductrice (2) sur une zone du substrat (1), un élément de branchement électrique en forme de pont (3), comportant une zone pont (3a) et au moins deux pattes à souder (3b) qui sont reliés par une masse de soudure (4) à une zone de la structure électroconductrice (2), et un élément de liaison (5) installé sur l’élément de branchement (3). L’élément de liaison (5) est installé sur la surface (I) de la zone pont (3a) tournée vers le substrat (1) ou sur la surface (II) de la zone pont (3a) opposée au substrat (1) et est disposé autour de la zone pont (3a) de sorte qu’il repose contre la surface (I) de la zone pont (3a) tournée vers le substrat (1). La différence entre la température de fusion du matériau de l’élément de branchement (3) et la température de fusion du matériau de l’élément de liaison (5) est supérieure à 200 °C et l’élément de liaison (5) est installé sur l’élément de branchement (3) au moyen d’une liaison par soudage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)