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1. (WO2016177118) HIGH AND LOW SIDE BOOTSTRAP DRIVING CONTROL METHOD AND DEVICE
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Pub. No.:    WO/2016/177118    International Application No.:    PCT/CN2016/076502
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 16.03.2016
IPC:
H02M 1/088 (2006.01), H02M 3/155 (2006.01), H02M 7/217 (2006.01)
Applicants: ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventors: HONG, Xiaoqin; (CN).
LU, Zhifeng; (CN).
MENG, Yanni; (CN).
JIANG, Hongbo; (CN).
SUN, Hao; (CN)
Agent: AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE; Suite B 1601A, 8 Xue Qing Rd., Haidian Beijing 100192 (CN)
Priority Data:
201510678967.X 19.10.2015 CN
Title (EN) HIGH AND LOW SIDE BOOTSTRAP DRIVING CONTROL METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MAÎTRISE DE LA COMMANDE D'AMORÇAGE CÔTÉ HAUT ET CÔTÉ BAS
(ZH) 一种高低边自举驱动控制方法及装置
Abstract: front page image
(EN)A high and low side bootstrap driving control method, comprising: detecting a circuit property of a circuit in which a high side transistor and a low side transistor are located (701); and when the circuit property meets a preset condition, controlling the high side transistor and the low side transistor to output particular driving waveforms according to a preset policy (702). The preset policy comprises: configuring the high side transistor to work in a closed-loop state, and configuring the low side transistor to work in an open-loop state; within a switching cycle, turning on the low side transistor at a time later than the starting time of the switching cycle by a first predetermined period of time and turning off the low side transistor before the turn-on time of the high side transistor, or turning on the low side transistor after the turn-off time of the high side transistor and turning off the low side transistor at a time earlier than the ending time of the switching cycle by a second predetermined period of time, wherein the switching cycles of the high side transistor and the low side transistor are identical and synchronous. The method can address the problem in which the high side transistor and the low side transistor are unable to utilize bootstrap driving in some application scenarios, thus avoiding an increase in costs and circuit complexity.
(FR)L'invention concerne un procédé de maîtrise de la commande d'amorçage côté haut et côté bas, comprenant les étapes consistant à : détecter une propriété de circuit d'un circuit dans lequel un transistor côté haut et un transistor côté bas sont situés (701) ; et lorsque la propriété de circuit répond à une condition préétablie, commander au transistor côté haut et au transistor côté bas de produire des formes d'onde de commande particulières conformément à une politique prédéfinie (702). La politique prédéfinie comprend les étapes consistant à : configurer le transistor côté haut pour qu'il fonctionne dans un état de boucle fermée, et configurer le transistor côté bas pour qu'il fonctionne dans un état de boucle ouverte ; à l'intérieur d'un cycle de commutation, mettre sous tension le transistor côté bas un instant plus tard que l'instant de départ du cycle de commutation, à l'aide d'une première période de temps déterminée, et mettre hors tension le transistor côté bas avant l'instant de mise sous tension du transistor côté haut, ou mettre sous tension le transistor côté bas après l'instant de mise hors tension du transistor côté haut et mettre hors tension le transistor côté bas un instant plus tôt que l'instant d'achèvement du cycle de commutation, à l'aide d'une seconde période de temps prédéterminée, les cycles de commutation du transistor côté haut et du transistor côté bas étant identiques et synchrones. Le procédé peut résoudre le problème selon lequel le transistor côté haut et le transistor côté bas sont incapables d'utiliser la commande d'amorçage dans certains scénarios d'application, évitant ainsi une augmentation de coûts et la complexité du circuit.
(ZH)一种高低边自举驱动控制方法,包括:检测高边管及低边管所在电路的电路特性(701);当电路特性满足预定条件时,根据预设策略控制高边管及低边管输出特定的驱动波形(702)。预设策略包括:配置高边管工作于闭环状态,配置低边管工作于开环状态;在一个开关周期内,在比该开关周期起始时刻晚第一预定时长的时刻导通低边管,在高边管的开通时刻前关断低边管,或者,在高边管的关断时刻后导通低边管,在比该开关周期结束时刻早第二预定时长的时刻关断低边管,其中,高边管与低边管的开关周期相同且同步。该方法能够解决某些应用场所高边管及低边管驱动无法正常应用自举驱动的问题,并避免增加成本及电路复杂度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)