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1. (WO2016176993) MEMS MICROPHONE ENCAPSULATION STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/176993    International Application No.:    PCT/CN2015/096912
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 10.12.2015
IPC:
H04R 19/04 (2006.01), H04R 1/04 (2006.01)
Applicants: GOERTEK INC [CN/CN]; IP/Xiao Weiwei No.268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031 (CN)
Inventors: ZHENG, Guoguang; (CN)
Priority Data:
201510227109.3 06.05.2015 CN
Title (EN) MEMS MICROPHONE ENCAPSULATION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE MICROPHONE MEMS
(ZH) 一种MEMS麦克风的封装结构
Abstract: front page image
(EN)Provided is a MEMS microphone encapsulation structure, comprising a closed inner chamber formed by an encapsulation housing, and a MEMS chip (3) and ASIC chip (2) located in the closed inner chamber; sound holes (10) allowing sound to flow in are arranged on said encapsulation housing; the MEMS chip (3) comprises a base plate (33) and a diaphragm (30) and back electret (32) arranged on the base plate (33); the diaphragm (30) divides the closed inner chamber into a front chamber (5) and a back chamber (6); the back chamber (6) is internally provided with a sound-absorbing structure. Incident acoustic waves enter the front chamber (5) of the MEMS microphone via the sound holes on the encapsulation housing; the majority of direct acoustic waves reaching the diaphragm (30) are used for inducing the diaphragm to fluctuate, while a small portion of said acoustic waves pass through an air-guiding hole (31) on the diaphragm (30) and enter the back chamber (6), where they are absorbed by the sound-absorbing structure located in the back chamber (6); thus said acoustic waves do not reflect again, eliminating the effect on the diaphragm (30) of acoustic waves reflecting in the back chamber (6), and thereby improving the sensitivity and signal-to-noise ratio of the MEMS microphone.
(FR)L'invention concerne une structure d'encapsulation de microphone MEMS comprenant une chambre intérieure fermée formée par un boîtier d'encapsulation, et une puce MEMS (3) et une puce ASIC (2) placées dans la chambre intérieure fermée. Des trous acoustiques (10) permettant au son de s'écouler à l’intérieur sont prévus sur ledit boîtier d'encapsulation. La puce MEMS (3) comprend une plaque de base (33), une membrane (30), et un électret arrière (32) placé sur la plaque de base (33). La membrane (30) divise la chambre intérieure fermée en une chambre avant (5), et une chambre arrière (6) pourvue, en son intérieur, d'une structure d'absorption acoustique. Des ondes acoustiques incidentes entrent dans la chambre avant (5) du microphone MEMS via les trous acoustiques prévus sur le boîtier d'encapsulation. La majorité des ondes acoustiques directes qui atteignent la membrane (30) sont utilisées pour inciter la membrane à fluctuer, tandis qu'une petite partie desdites ondes acoustiques passe à travers un trou de guidage d'air (31) sur la membrane (30) et entre dans la chambre arrière (6) où elle est absorbée par la structure d'absorption acoustique placée dans la chambre arrière (6). Comme un nouveau réfléchissement desdites ondes acoustiques est ainsi évité, l'effet sur la membrane (30) d'ondes acoustiques se réfléchissant dans la chambre arrière (6) est éliminé, et la sensibilité et le rapport signal/bruit du microphone MEMS sont améliorés.
(ZH)一种MEMS麦克风的封装结构,包括由封装壳体围成的封闭内腔,以及位于封闭内腔中的MEMS芯片(3)、ASIC芯片(2),所述封装壳体上设置有供声音流入的声孔(10),所述MEMS芯片(3)包括衬底(33)以及设置在衬底(33)上的振膜(30)、背极(32),所述振膜(30)将封闭内腔分为前腔(5)、背腔(6),在所述背腔(6)内设置有吸音结构。入射声波自封装壳体上的声孔进入MEMS麦克风的前腔(5),到达振膜(30)的直达声波大部分用来引起振膜(30)的波动,另外很小一部分穿过振膜(30)上的导气孔(31),进入到背腔(6),并被位于背腔(6)中的吸音结构吸收掉,使得这些声波不会再发生反射,从而消除了背腔(6)中反射声波对振膜(30)的影响,进而提升了MEMS麦克风的灵敏度和信噪比。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)