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1. (WO2016176878) DUAL-GATE TFT SUBSTRATE STRUCTURE USING COA TECHNOLOGY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/176878    International Application No.:    PCT/CN2015/079482
Publication Date: 10.11.2016 International Filing Date: 21.05.2015
IPC:
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: ZHANG, Hejing; (CN).
TSENG, Chihyuan; (CN).
SU, Chihyu; (CN).
LI, Wenhui; (CN).
SHI, Longqiang; (CN).
LV, Xiaowen; (CN).
GE, Shimin; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201510224511.6 05.05.2015 CN
Title (EN) DUAL-GATE TFT SUBSTRATE STRUCTURE USING COA TECHNOLOGY
(FR) STRUCTURE DE SUBSTRAT DE TFT À DOUBLE GRILLE UTILISANT UNE TECHNOLOGIE COA
(ZH) 采用COA技术的双栅极TFT基板结构
Abstract: front page image
(EN)A dual-gate TFT (Thin Film Transistor) substrate structure using a COA (Color Filter On Array) technology comprises a substrate (1), a bottom gate (2) arranged on the substrate (1), a bottom gate insulating layer (3) covering the bottom gate (2) and the substrate (1), an active layer (4) arranged on the bottom gate insulating layer (3) above the bottom gate (2), an etching barrier layer (5) arranged on the active layer (4) and the bottom gate insulating layer (3), a source/drain (6) arranged on the etching barrier layer (5) and brought into contact with the two ends of the active layer (4) respectively, a color filter (8) arranged on the source/drain (6) and the etching barrier layer (5), and a top gate (9) arranged on the color filter (8) and brought into contact with the bottom gate (2); the color filter (8), which also serves as a passivation layer and a top gate insulating layer, is capable of effectively protecting the active layer (4) and a pre-process film and guaranteeing the original features and stability of the active layer (4) and the pre-process film.
(FR)Selon l'invention, une structure de substrat de TFT (transistor à couches minces) à double grille utilisant une technologie COA (filtre de couleurs sur réseau) comprend un substrat (1); une grille inférieure (2) disposé sur le substrat (1); une couche d'isolation (3) de la grille inférieure recouvrant la grille inférieure (2) et le substrat (1); une couche active (4) disposée sur la couche d'isolation (3) de la grille inférieure, au-dessus de la grille inférieure (2); une couche barrière de gravure (5) disposée sur la couche active (4) et la couche d'isolation (3) de la grille inférieure; une source/drain (6) disposée sur la couche barrière de gravure (5) et placée au contact des deux extrémités de la couche active (4), respectivement; un filtre de couleurs (8) disposé sur la source/drain (6) et la couche barrière de gravure (5); et une grille supérieure (9) disposée sur le filtre de couleurs (8) et placée au contact de la grille inférieure (2). Le filtre de couleurs (8), qui sert également de couche de passivation et de couche d'isolation de la grille supérieure, peut protéger efficacement la couche active (4) et un film de prétraitement, et préserver les caractéristiques et la stabilité intrinsèques de la couche active (4) et du film de prétraitement.
(ZH)一种采用COA技术的双栅极TFT基板结构,包括:基板(1)、设于基板(1)上的底栅极(2)、覆盖底栅极(2)与基板(1)的底栅绝缘层(3)、于底栅极(2)上方设于底栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、设于有源层(4)与底栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(5)、设于蚀刻阻挡层(5)上并分别与所述有源层(4)的两端相接触的源/漏极(6)、设于源/漏极(6)与蚀刻阻挡层(5)上的彩色滤光片(8)、及设于彩色滤光片(8)上并与所述底栅极(2)相接触的顶栅极(9);所述彩色滤光片(8)同时作为钝化层、及顶栅绝缘层,能够有效保护有源层(4)及前制程薄膜,保证有源层(4)及前制程薄膜的原始特性和稳定性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)