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1. (WO2016175650) RADIATION-HARD MOS PIXEL SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/175650    International Application No.:    PCT/NL2015/050294
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 30.04.2015
Chapter 2 Demand Filed:    28.02.2017    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: TELEDYNE DALSA B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 27 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventors: MAES, Willem Hendrik; (BE)
Agent: JACOBS, Bart; (NL)
Priority Data:
Title (EN) RADIATION-HARD MOS PIXEL SENSOR
(FR) CAPTEUR À PIXELS MOS RÉSISTANTS AU RAYONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)The present invention is related to a multi full-well pixel for a metal-oxide-semiconductor (MOS) active pixel image sensor. It is further related to a MOS active pixel image sensor comprising a plurality of such pixels. The invention is particularly related to active pixel image sensors realized in complementary MOS (CMOS) technology. According to the invention, a MOS capacitor is used as a switchable capacitor, wherein the gate electrode is connected to the voltage that is to be read out. Semiconductor-side contacts of the MOS capacitor are used to apply a switching control signal that allows the effective capacitance of the MOS capacitor to be selected and being radiation-hard for damaging X-ray radiation..
(FR)La présente invention concerne un pixel à capacité de remplissage multiple qui est destiné à un capteur d'image à pixels actifs métal-oxyde-semi-conducteur (MOS). L'invention concerne également un capteur d'image à pixels actifs MOS comprenant une pluralité de tels pixels. L'invention concerne en particulier des capteurs d'image à pixels actifs obtenus dans la technologie MOS complémentaire (CMOS). Selon l'invention, un condensateur MOS est utilisé comme condensateur commutable, l'électrode de grille étant connectée à la tension qui doit être lue. Des contacts côté semi-conducteur du condensateur MOS sont utilisés pour appliquer un signal de commande de commutation qui permet de sélectionner la capacité effective du condensateur MOS et de le rendre résistant au rayonnement pour un rayonnement X dommageable.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)