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1. (WO2016175096) MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE OF TEMPLATE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/175096    International Application No.:    PCT/JP2016/062478
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 20.04.2016
IPC:
C30B 23/08 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), C30B 1/04 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 2-1, Sengen 1-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3050047 (JP).
COMET, INC. [JP/JP]; 9-5, Tokodai 5-chome, Tsukuba-shi, Ibaraki 3002635 (JP)
Inventors: ISHIBASHI, Keiji; (JP).
TAKAHASHI, Kenichiro; (JP).
SUZUKI, Setsu; (JP).
CHIKYO, Toyohiro; (JP)
Agent: KOJIMA, Hirotsugu; (JP)
Priority Data:
2015-089930 27.04.2015 JP
Title (EN) MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE OF TEMPLATE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT MODÈLE
(JA) テンプレート基板の作製方法および作製装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to stably and continuously manufacture template substrates with good reproducibility by sputtering, the template substrates being metal sulfide thin films epitaxially grown on an Si(100) single crystal substrate. A barrier film 2 of metal sulfide is formed on an Si(100) single crystal substrate 1 by sputtering using a target having the composition of the metal sulfide. Then, the Si(100) single crystal substrate 1 is heated and the formed barrier film 2 is crystallized by solid phase epitaxial growth to be transformed into a barrier film 3. With the Si(100) single crystal substrate 1 kept heated, an epitaxial film 4 of the metal sulfide is epitaxially grown on the crystallized barrier film 3 by sputtering using the target having the composition of the metal sulfide.
(FR)La présente invention concerne la fabrication en continu et de manière stable de substrats modèles avec une bonne reproductibilité par pulvérisation, les substrats modèles étant des couches minces de sulfure métallique obtenues par croissance épitaxiale sur un substrat monocristallin de Si(100). Une couche barrière (2) de sulfure métallique est formée sur un substrat (1) monocristallin de Si(100) par pulvérisation au moyen d'une cible présentant la composition du sulfure métallique. Ensuite, le substrat (1) monocristallin de Si(100) est chauffé et la couche barrière (2) formée est cristallisée par une croissance épitaxiale en phase solide afin d'être transformée en une couche barrière (3). Pendant que le substrat monocristallin de Si(100) est maintenu chauffé, une couche épitaxiale (4) de sulfure métallique est formée par croissance épitaxiale sur la couche barrière (3) cristallisée, par pulvérisation au moyen de la cible présentant la composition du sulfure métallique.
(JA)Si(100)単結晶基板上に金属硫化物薄膜をエピタキシャル成長させたテンプレート基板をスパッタリング法により再現性良く安定に連続して作製する。 金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、Si(100)単結晶基板1上に前記金属硫化物のバリア膜2を成膜する。その後、Si(100)単結晶基板1を加熱して、成膜された前記バリア膜2を固相エピタキシャル成長により結晶化したバリア膜3に変化させる。Si(100)単結晶基板1を加熱保持した状態で、前記金属硫化物の組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法により、結晶化したバリア膜3上に、前記金属硫化物のエピタキシャル膜4をエピタキシャル成長させる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)