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Pub. No.:    WO/2016/174877    International Application No.:    PCT/JP2016/050020
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 04.01.2016
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01)
Applicants: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP)
Inventors: ISHIDA, Shintaro; (JP)
Agent: SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Priority Data:
2015-092830 30.04.2015 JP
(JA) ITOスパッタリングターゲット材
Abstract: front page image
(EN)The present invention is an ITO sputtering target material in which Sn content is 2.8-3.5 mass% calculated as SnO2, wherein: the material comprises two phases, a phase in which SnO2 is in solid solution in In2O3 and an In4Sn3O12 phase; the relative density is at least 98%; and the change length due to strain relaxation is 50 µm per 1 m or less. While having a composition with a Sn content of 2.8-3.5 mass% calculated as SnO2 in which it is very easy to generate cracks, this ITO sputtering target material is not liable to crack during bonding and generates few nodules during sputtering, and is therefore, capable of efficient formation of ITO thin films.
(FR)La présente invention concerne un matériau d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) pour cible de pulvérisation cathodique, dans lequel la teneur en Sn est de 2,8 à 3,5 % en masse calculée en tant que SnO2 : le matériau comprenant deux phases : une phase dans laquelle SnO2 est en solution solide dans In2O3 et une phase In4Sn3O12 ; la densité relative étant d'au moins 98 % ; le changement de longueur sous l'effet du relâchement de contrainte étant de 50 µm par 1 m ou moins. Bien qu'ayant une composition dont la teneur en Sn est de 2,8 à 3,5 % en masse, calculée en tant que SnO2, qui favorise l'apparition de fissures, le présent matériau ITO pour cible de pulvérisation cathodique n'est pas susceptible de se fissurer lors de la liaison, génère peu de nodules lors de la pulvérisation et peut, par conséquent, former efficacement des films minces d'ITO.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)