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Pub. No.:    WO/2016/174756    International Application No.:    PCT/JP2015/062921
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 30.04.2015
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H02H 9/02 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SAKAI Shinji; (JP).
ODA Hisashi; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Priority Data:
(JA) 保護回路および保護回路システム
Abstract: front page image
(EN)The present technology relates to a MOSFET protection circuit with which an increase in manufacturing cost associated with the securing of a sense region can be suppressed while suppressing a loss of main current, and relates to a protection circuit system provided with the protection circuit. The protection circuit is provided with: a first MOSFET(1) for power through which main current flows; an IGBT(5) which is connected in parallel with the first MOSFET and through which a shunt current from the main current flows; a sense resistor (6) connected in series with the IGBT; and a first control circuit (4) which, on the basis of the value of a voltage applied to the sense resistor, controls the gate voltage of the first MOSFET, wherein the ratio of the current value of the shunt current flowing through the IGBT to the current value of the main current flowing through the first MOSFET is not less than 0.018% and not more than 0.022%.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection de MOSFET qui permet de supprimer une augmentation du coût de fabrication associée à la sécurisation d'une région de détection tout en supprimant un affaiblissement du courant principal, et concerne également un système à circuit de protection équipé du circuit de protection. Le circuit de protection comprend : un premier MOSFET (1) de puissance à travers lequel circule le courant principal; un IGBT (5) qui est branché en parallèle avec le premier MOSFET et à travers lequel circule un courant de dérivation du courant principal; une résistance de détection (6) branchée en série avec l'IGBT; et un premier circuit de commande (4) qui, en se basant sur la valeur d'une tension appliquée à la résistance de détection, commande la tension de gâchette du premier MOSFET. Le rapport entre la valeur du courant de dérivation qui circule à travers l'IGBT et la valeur du courant principal qui circule à travers le premier MOSFET est égal au minimum à 0,018 % et au maximum à 0,022 %.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)