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1. (WO2016174707) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND SAMPLE OBSERVATION METHOD USING SAME DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/174707    International Application No.:    PCT/JP2015/062672
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 27.04.2015
Chapter 2 Demand Filed:    16.12.2015    
IPC:
H01J 37/22 (2006.01), G01N 23/20 (2006.01), H01J 37/295 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventors: KOMATSUZAKI Ryo; (JP).
MISE Hiromi; (JP)
Agent: HIRAKI Yusuke; (JP)
Priority Data:
Title (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND SAMPLE OBSERVATION METHOD USING SAME DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ET PROCÉDÉ D'OBSERVATION D'ÉCHANTILLONS À L'AIDE DUDIT DISPOSITIF
(JA) 荷電粒子線装置及び当該装置を用いた試料の観察方法
Abstract: front page image
(EN)This invention adopts a feature where a plurality of electron beam diffraction images of different exposure times are acquired and combined to acquire an image of a wide dynamic range relative to individual electron beam diffraction images. More specifically, a charged particle beam device has: a radiation unit for irradiating a charged particle beam onto a sample; a detection unit for detecting electrons from the sample and obtaining an image; and a processing unit. The detection unit obtains a first electron beam diffraction image during a first exposure time and a second electron beam diffraction image during a second exposure time that is different from the first exposure time (404). The processing unit combines the first electron beam diffraction image and the second electron beam diffraction image, and obtains a third image having a wider dynamic range than those of the first electron beam diffraction image and the second electron beam diffraction image (405).
(FR)Cette invention adopte une caractéristique dans laquelle une pluralité d'images de diffraction de faisceau d'électrons de différents temps d'exposition sont acquises et combinées afin d'acquérir une image à grande gamme dynamique par rapport à des images de diffraction de faisceau d'électrons individuelles. Plus précisément, un dispositif à faisceau de particules chargées comprend : une unité d'exposition pour exposer un échantillon à un faisceau de particules chargées ; une unité de détection pour détecter des électrons provenant de l'échantillon et obtenir une image ; et une unité de traitement. L'unité de détection obtient une première image de diffraction de faisceau d'électrons pendant un premier temps d'exposition et une deuxième image de diffraction de faisceau d'électrons pendant un deuxième temps d'exposition qui est différent du premier temps d'exposition (404). L'unité de traitement combine la première image de diffraction de faisceau d'électrons et la deuxième image de diffraction de faisceau d'électrons, et obtient une troisième image ayant une plus grande gamme dynamique que la première image de diffraction de faisceau d'électrons et la deuxième image de diffraction de faisceau d'électrons (405).
(JA)露光時間が異なる複数の電子線回折像を取得して合成し、個々の電子線回折像に比してダイナミックレンジの広い画像を取得する技術を採用する。 より具体的には、荷電粒子線を試料へ照射する照射部と、前記試料からの電子を検出し、像を得る検出部と、処理部とを有する荷電粒子線装置にあって、前記検出部は、第1の露光時間による第1の電子線回折像、及び、前記第1の露光時間とは異なる第2の露光時間による第2の電子線回折像を得(404)、前記処理部は、前記第1の電子線回折像と前記第2の電子線回折像とを合成し、前記第1の電子線回折像、及び前記第2の電子線回折像よりもダイナミックレンジの広い第3の画像を得る(405)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)