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1. (WO2016174546) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/174546    International Application No.:    PCT/IB2016/052227
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 20.04.2016
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: TEZUKA, Sachiaki; (JP).
TANAKA, Tetsuhiro; (--).
ENDO, Toshiya; (JP).
ICHIJO, Mitsuhiro; (JP)
Priority Data:
2015-091597 28.04.2015 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a semiconductor, a first conductor, a second conductor, a third conductor, a fourth conductor, a first insulator, a second insulator, a third insulator, and a fourth insulator. The first conductor and the semiconductor partly overlap with each other with the first insulator positioned therebetween. The second conductor and the third conductor have regions in contact with the semiconductor. The semiconductor has a region in contact with the second insulator. The fourth insulator has a first region and a second region. The first region is thicker than the second region. The first region has a region in contact with the second insulator. The second region has a region in contact with the third insulator. The fourth conductor and the second insulator partly overlap with each other with the fourth insulator positioned therebetween.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un semi-conducteur, un premier conducteur, un deuxième conducteur, un troisième conducteur, un quatrième conducteur, un premier isolant, un deuxième isolant, un troisième isolant et un quatrième isolant. Le premier conducteur et le semi-conducteur se chevauchent partiellement l'un l'autre, le premier isolant étant positionné entre ceux-ci. Le deuxième conducteur et le troisième conducteur ont des régions en contact avec le semi-conducteur. Le semi-conducteur possède une région en contact avec le deuxième isolant. Le quatrième isolant possède une première région et une deuxième région. La première région est plus épaisse que la deuxième région. La première région possède une région en contact avec le deuxième isolant. La deuxième région possède une région en contact avec le troisième isolant. Le quatrième conducteur et le deuxième isolant se chevauchent partiellement l'un l'autre, le quatrième isolant étant positionné entre ceux-ci.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)