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Pub. No.:    WO/2016/174352    International Application No.:    PCT/FR2016/050990
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 27.04.2016
Chapter 2 Demand Filed:    28.02.2017    
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris (FR)
Inventors: LE PERCHEC, Jérôme; (FR).
CABAL, Raphaël; (FR)
Agent: TALBOT, Alexandre; (FR)
Priority Data:
1553833 28.04.2015 FR
Abstract: front page image
(EN)This process includes the step of a) providing a semiconductor substrate (1) having a first surface (10) and an opposite second surface (11), the substrate (1) including a first semiconductor zone (100) containing boron atoms, the first semiconductor zone (100) being intended to make contact with an electrode (E), the process being noteworthy in that it includes the steps of b) forming a dielectric layer (2) on the second surface (11) of the substrate (1), the dielectric layer (2) including phosphorus or arsenic atoms, and c) applying a thermal anneal suitable for diffusing the phosphorus or arsenic atoms from the dielectric layer (2) as far as the second surface (11) of the substrate (1) so as to form a second semiconductor zone (110) intended to make contact with an electrode (E), and to form a thermal oxide layer (3) on the first surface (10) of the substrate (1).
(FR)Ce procédé comporte les étapes a) prévoir un substrat (1) semi-conducteur comportant une première surface (10) et une seconde surface (11) opposée, le substrat (1) comportant une première zone semi-conductrice (100) comprenant des atomes de bore, la première zone semi-conductrice (100) étant destinée à être en contact avec une électrode (E), le procédé étant remarquable en ce qu'il comporte les étapes b) former une couche diélectrique (2) à la seconde surface (11) du substrat (1), la couche diélectrique (2) comportant des atomes de phosphore ou d'arsenic, c) appliquer un recuit thermique adapté pour diffuser les atomes de phosphore ou d'arsenic de la couche diélectrique (2) jusqu'à la seconde surface (11) du substrat (1) de manière à former une deuxième zone semi-conductrice (110) destinée à être en contact avec une électrode (E), et pour former une couche d'oxyde (3) thermique à la première surface (10) du substrat (1).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)