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1. (WO2016173012) FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/173012    International Application No.:    PCT/CN2015/079421
Publication Date: 03.11.2016 International Filing Date: 21.05.2015
IPC:
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: LV, Xiaowen; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201510206317.5 27.04.2015 CN
Title (EN) FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS EN COUCHES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A film transistor array substrate and a method for fabricating same. The film transistor array substrate comprises: a substrate (1) and a film transistor and a storage capacitor that are formed on the substrate (1). The storage capacitor comprises a first electrode plate (31) located on the substrate (1), a gate insulating layer (3) or an etch stop layer (5) located on the first electrode plate (31), and a second electrode plate (32) located on the gate insulating layer (3) or the etch stop layer (5). Only one insulating layer, that is, the gate insulating layer (3) or the etch stop layer (5), exists between the two electrode plates of the storage capacitor. An insulating layer of a storage capacitor has a relatively small thickness, a capacitor area is relatively small, and an aperture ratio is relatively large.
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice de transistors en couches et son procédé de fabrication. Le substrat de matrice de transistors en couches comprend : un substrat (1), et un transistor en couches et un condensateur de stockage qui sont formés sur le substrat (1). Le condensateur de stockage comprend une première plaque d'électrode (31) située sur le substrat (1), une couche d'isolation de grille (3) ou une couche d'arrêt de gravure (5) située sur la première plaque d'électrode (31), et une seconde plaque d'électrode (32) située sur la couche d'isolation de grille (3) ou la couche d'arrêt de gravure (5). Il n'existe qu'une seule couche isolante, à savoir, la couche d'isolation de grille (3) ou la couche d'arrêt de gravure (5), entre les deux plaques d'électrode du condensateur de stockage. La couche isolante du condensateur de stockage a une épaisseur relativement petite, la superficie du condensateur est relativement petite, et le rapport d'ouverture est relativement grand.
(ZH)一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,包括:基板(1),及形成于基板(1)上的薄膜晶体管和存储电容;该存储电容包括位于基板(1)上的第一极板(31),位于第一极板(31)之上的栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5),位于栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5)之上的第二极板(32);存储电容的两电极板之间只存在栅极绝缘层(3)或者蚀刻阻挡层(5)一层绝缘层,存储电容的绝缘层厚度较薄,电容相对面积较小,开口率较高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)