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1. WO2016142996 - SOLID-STATE LASER SYSTEM, AND LASER DEVICE FOR EXPOSURE DEVICE

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明 細 書

発明の名称 固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004  

先行技術文献

特許文献

0005   0006   0007  

図面の簡単な説明

0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154   0155   0156   0157   0158   0159   0160   0161   0162   0163   0164   0165   0166   0167   0168   0169   0170   0171   0172   0173   0174   0175   0176   0177   0178   0179   0180   0181   0182   0183   0184   0185   0186   0187   0188   0189   0190   0191   0192   0193   0194   0195   0196   0197   0198   0199   0200   0201   0202   0203   0204   0205   0206   0207   0208   0209   0210   0211   0212   0213   0214   0215   0216   0217   0218   0219   0220   0221   0222   0223   0224   0225   0226   0227   0228   0229   0230   0231   0232  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14  

補正された請求の範囲(条約第19条)

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  *   14  *   15  *   16  *   17  *   18  *  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22  

明 細 書

発明の名称 : 固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置

技術分野

[0001]
 本開示は、パルスレーザ光を生成する固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置に関する。

背景技術

[0002]
 半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている(半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という)。このため、露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長248nmの紫外線を出力するKrFエキシマレーザ装置並びに、波長193.4nmの紫外線を出力するArFエキシマレーザ装置が用いられている。
[0003]
 現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ArFエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長134nmの紫外光が照射される。この技術をArF液浸露光という。ArF液浸露光はArF液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
[0004]
 KrF、ArFエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約350~400pmと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光(紫外線光)の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール(Line Narrow Module)が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。

先行技術文献

特許文献

[0005]
特許文献1 : 特開平11-298083号公報
特許文献2 : 米国特許出願公開第2013/0170508号明細書
特許文献3 : 米国特許第7593440号明細書
特許文献4 : 米国特許第7999915号明細書
特許文献5 : 米国特許第7970024号明細書
特許文献6 : 米国特許第8416831号明細書
特許文献7 : 特開2013-222173号公報
特許文献8 : 米国特許出願公開第2013/0279526号明細書

概要

[0006]
 本開示による固体レーザシステムは、第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光とが入射し、第1の波長と第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、第3の波長の値を検出する波長検出部と、目標波長の値と波長検出部により検出された第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、第1の固体レーザ装置を制御して第1の波長を変化させ、所定の値を超えた場合は、第2の固体レーザ装置を制御して第2の波長を変化させる波長制御部とを備えてもよい。
[0007]
 本開示による露光装置用レーザ装置は、第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、第1のパルスレーザ光と第2のパルスレーザ光とが入射し、第1の波長と第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、第3の波長の値を検出する波長検出部と、目標波長の値と波長検出部により検出された第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、第1の固体レーザ装置を制御して第1の波長を変化させ、所定の値を超えた場合は、第2の固体レーザ装置を制御して第2の波長を変化させる波長制御部と、第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた増幅器とを備えてもよい。

図面の簡単な説明

[0008]
 本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
[図1] 図1は、比較例に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
[図2] 図2は、第1の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
[図3] 図3は、図2に示した露光装置用レーザ装置における波長制御部による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
[図4] 図4は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS102の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図5] 図5は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS107の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図6] 図6は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS108の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図7] 図7は、図6に示したフローチャートにおけるステップS145の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図8] 図8は、第1の実施形態の第1の変形例に係る露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
[図9] 図9は、第1の実施形態の第2の変形例に係る露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
[図10] 図10は、第2の実施形態に係る露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
[図11] 図11は、図10に示した露光装置用レーザ装置において、第3の波長の値を検出する処理を示すフローチャートである。
[図12] 図12は、第3の実施形態に係る露光装置用レーザ装置の要部の構成例を概略的に示す。
[図13] 図13は、図12に示した露光装置用レーザ装置における波長制御部による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
[図14] 図14は、図13に示したメインのフローチャートにおけるステップS102Aの処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図15] 図15は、図13に示したメインのフローチャートにおけるステップS107Aの処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[図16] 図16は、図6に示したフローチャートにおけるステップS145の処理を、図12に示した露光装置用レーザ装置に適用する場合のフローチャートである。
[図17] 図17は、外部共振器半導体レーザの一構成例を概略的に示す。
[図18] 図18は、分布帰還半導体レーザの一構成例を概略的に示す。
[図19] 図19は、図18に示した分布帰還半導体レーザにおける温度と発振波長との関係の一例を示す。
[図20] 図20は、波長モニタの一構成例を概略的に示す。
[図21] 図21は、図20に示した波長モニタで検出される干渉縞の位置と光強度との関係の一例を示す。
[図22] 図22は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。

実施形態

[0009]
<内容>
[1.概要]
[2.比較例](固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置)
 2.1 構成(図1)
 2.2 動作
 2.3 課題
[3.第1の実施形態](固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置)
 3.1 構成(図2)
 3.2 動作(図3~図7)
 3.3 作用
 3.4 変形例
  3.4.1 第1の変形例(図8)
  3.4.2 第2の変形例(図9)
[4.第2の実施形態](固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置)
 4.1 構成(図10)
 4.2 動作(図11)
 4.3 作用
[5.第3の実施形態](固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置)
 5.1 構成(図12)
 5.2 動作(図13~図16)
 5.3 作用
[6.波長可変半導体レーザ]
 6.1 ファイン波長可変半導体レーザ(図17)
  6.1.1 構成
  6.1.2 動作
 6.2 コース波長可変半導体レーザ(図18、図19)
  6.2.1 構成
  6.2.2 動作
[7.波長モニタ](図20、図21)
 7.1 構成
 7.2 動作
[8.制御部のハードウエア環境](図22)
[9.その他]
[0010]
 以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
[0011]
[1.概要]
 本開示は、例えば、パルスレーザ光を生成する固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置に関する。
[0012]
[2.比較例]
 まず、本開示の実施形態に対する比較例の固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。
[0013]
 露光装置用レーザ装置として、MO(マスタオシレータ)とPO(パワーオシレータ)とを含む構成があり得る。そのような露光装置用レーザ装置では、MOとPOとに、エキシマレーザガスをレーザ媒質とするレーザが使用され得る。しかしながら、省エネルギの観点から、MOを非線形結晶と固体レーザとを組み合わせた紫外光のパルスレーザ光を出力する固体レーザシステムとする露光装置用レーザ装置の開発が進みつつある。以下では、そのような固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置の構成例を説明する。
[0014]
(2.1 構成)
 図1は、本開示の実施形態に対する比較例の露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
[0015]
 露光装置用レーザ装置は、固体レーザシステム1と、増幅器2と、レーザ制御部3と、波長制御部6と、同期制御部7と、波長モニタ60と、高反射ミラー91,92とを備えてもよい。
[0016]
 固体レーザシステム1は、第1の固体レーザ装置11と、第2の固体レーザ装置12と、同期回路部13と、波長変換システム15と、高反射ミラー16と、ダイクロイックミラー17とを含んでもよい。
[0017]
 第1の固体レーザ装置11は、第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光71Aを、ダイクロイックミラー17を介して波長変換システム15に向けて出力するように構成されていてもよい。第1の波長は、約257.5nmであってもよい。第1の固体レーザ装置11は、第1の半導体レーザ200と、光シャッタ23と、ビームスプリッタ24と、第1のファイバ増幅器25と、ビームスプリッタ26と、固体増幅器27とを含んでいてもよい。第1の固体レーザ装置11はまた、非線形結晶であるLBO(LiB 35)結晶21及びCLBO(CsLiB 610)結晶22と、第1のCW(連続波)励起半導体レーザ51と、第2のCW励起半導体レーザ52とを含んでいてもよい。光シャッタ23は、例えばEO(Electro Optical)ポッケルスセルと偏光子とを組み合わせた構成であってもよい。
[0018]
 第1の半導体レーザ200は、CW発振して波長約1030nmの第1のシード光を出力する分布帰還半導体レーザであってもよい。第1の半導体レーザ200は、シングル縦モードであって、波長約1030nm付近で発振波長を可変する半導体レーザであってもよい。第1の半導体レーザ200には、波長制御部6からの設定波長λ1のデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。さらに、波長制御部6からレーザ制御部3に各種のデータや制御信号を出力する信号ラインが設けられていてもよい。
[0019]
 第2の固体レーザ装置12は、第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光71Bを、高反射ミラー16及びダイクロイックミラー17を介して波長変換システム15に向けて出力するように構成されていてもよい。第2の波長は、約1554nmであってもよい。第2の固体レーザ装置12は、第2の半導体レーザ400と、半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)41と、第2のファイバ増幅器42と、ビームスプリッタ43と、第3のCW励起半導体レーザ53とを含んでいてもよい。
[0020]
 第2の半導体レーザ400は、シングル縦モードでCW発振して波長約1554nmの第2のシード光を出力する分布帰還半導体レーザであってもよい。
[0021]
 高反射ミラー16は、第2の固体レーザ装置12から出力された第2のパルスレーザ光71Bを高反射し、ダイクロイックミラー17に入射させるように配置されてもよい。ダイクロイックミラー17には、第1のパルスレーザ光71Aを高透過し、第2のパルスレーザ光71Bを高反射する膜がコートされていてもよい。ダイクロイックミラー17は、第1のパルスレーザ光71Aと第2のパルスレーザ光71Bとを、互いの光路軸を略一致させた状態で波長変換システム15に入射させるように配置されてもよい。
[0022]
 波長変換システム15は、第1の波長の第1のパルスレーザ光71Aと、第2の波長の第2のパルスレーザ光71Bとが略同時に入射するように構成されていてもよい。波長変換システム15は、第1の波長と第2の波長とから波長変換された第3の波長λ3の第3のパルスレーザ光71Cを出力するように構成されていてもよい。第3の波長λ3は、約193.4nmであってもよい。
[0023]
 波長変換システム15は、非線形結晶である2つのCLBO結晶18,19を含んでいてもよい。波長変換システム15はまた、ダイクロイックミラー81と、ダイクロイックミラー82と、高反射ミラー83とを含んでいてもよい。CLBO結晶18とダイクロイックミラー81とCLBO結晶19とは、この順序でパルスレーザ光の光路上に、上流から下流側に配置されてもよい。
[0024]
 CLBO結晶18には、第1及び第2の入射光として、波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aと波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bとが入射されてもよい。CLBO結晶18は、波長約257.5nmと波長約1554nmとの和周波を取り、所定の波長の変換光として波長約220.9nmのパルスレーザ光を出力してもよい。CLBO結晶18はまた、波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aと波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bとを出力してもよい。
[0025]
 CLBO結晶19には、第1及び第2の入射光として、波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bと、波長約220.9nmのパルスレーザ光とが入射されてもよい。CLBO結晶19は、波長約1554nmと波長約220.9nmとの和周波を取り、所定の波長の変換光として第3の波長λ3である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cを出力してもよい。
[0026]
 ダイクロイックミラー81には、波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aを高反射し、波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bと波長約220.9nmのパルスレーザ光を高透過する膜がコートされていてもよい。
[0027]
 ダイクロイックミラー82は、CLBO結晶19から出力された3つのパルスレーザ光のうち、波長約1554nm、及び波長約220.9nmのパルスレーザ光を高透過し、波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが高反射されるように配置されてもよい。
[0028]
 高反射ミラー83は、波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが波長変換システム15から出力されるように配置されてもよい。
[0029]
 レーザ制御部3は、第1の半導体レーザ200及び第2の半導体レーザ400と、第1のCW励起半導体レーザ51、第2のCW励起半導体レーザ52、及び第3のCW励起半導体レーザ53とに図示しない信号ラインで接続されていてもよい。
[0030]
 高反射ミラー91は、波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが、波長モニタ60を介して、高反射ミラー92に入射するように配置されてもよい。
[0031]
 波長モニタ60は、分光器61と、ビームスプリッタ62とを含んでいてもよい。ビームスプリッタ62は、波長約193.4nmの第3の波長λ3の第3のパルスレーザ光71Cの一部を反射し、その反射光が分光器61に入射するように配置されてもよい。分光器61は、第3の波長λ3を計測するエタロン分光器であってもよい。
[0032]
 増幅器2は、増幅器制御部30と、充電器31と、トリガ補正器32と、スイッチ33を含むパルスパワーモジュール(PPM)34と、チャンバ35と、部分反射ミラー36と出力結合ミラー37とを含んでいてもよい。
[0033]
 チャンバ35にはウインドウ39a,39bが設けられていてもよい。チャンバ35の中には例えばArガスとF 2ガスとNeガスとを含むレーザガスが入っていてもよい。チャンバ35の中には1対の放電電極38が配置されていてもよい。1対の放電電極38は、PPM34の出力端子に接続されていてもよい。
[0034]
 増幅器2において、部分反射ミラー36と出力結合ミラー37とを含む光共振器が構成されていてもよい。部分反射ミラー36は例えば、波長約193.4nmの光を透過するCaF 2結晶からなる基板に、反射率が70~90%の部分反射膜がコートされていてもよい。出力結合ミラー37は例えば、波長約193.4nmの光を透過するCaF 2結晶からなる基板に反射率が10~20%の部分反射膜がコートされていてもよい。
 なお、図1では、増幅器2としてファブリペロー型共振器を配置した例を示しているが、この例に限定されることなく、例えば、リング型共振器を配置してもよいし、マルチパス増幅を構成するためのミラーを配置してもよい。
[0035]
 同期制御部7には、レーザ制御部3を介して、固体レーザシステム1におけるパルスレーザ光の生成タイミングを指示する発振トリガ信号Tr0が外部装置としての露光装置4から供給されてもよい。また、波長制御部6には、レーザ制御部3を介して、固体レーザシステム1におけるパルスレーザ光の目標波長λtの値を示す信号が露光装置4から供給されてもよい。露光装置4は露光装置制御部5を含んでいてもよい。目標波長λtの値を示す信号及び発振トリガ信号Tr0は、露光装置4の露光装置制御部5から供給するようにしてもよい。さらに、露光装置制御部5とレーザ制御部3との間には、各種のデータや信号を送受信する信号ラインがあってもよい。
[0036]
 同期制御部7は、発振トリガ信号Tr0に基づいて第1のトリガ信号Tr1を生成し、第1のトリガ信号Tr1を同期回路部13に出力するように構成されていてもよい。同期制御部7はまた、発振トリガ信号Tr0に基づいて第2のトリガ信号Tr2を生成し、第2のトリガ信号Tr2を増幅器制御部30を介してトリガ補正器32に出力するように構成されていてもよい。
[0037]
 同期回路部13は、同期制御部7からの第1のトリガ信号Tr1に基づいて、第1の固体レーザ装置11の光シャッタ23と、第2の固体レーザ装置12の半導体光増幅器41とに所定のトリガ信号を出力するように構成されていてもよい。
[0038]
(2.2 動作)
 波長制御部6は、レーザ制御部3を介して露光装置制御部5から目標波長λtの値を示す信号を受信してもよい。波長制御部6は、固体レーザシステム1から第3のパルスレーザ光71Cが目標波長λtで出力されるように、第1の半導体レーザ200に設定波長λ1のデータを送信して、第1の半導体レーザ200をCW発振させてもよい。
[0039]
 レーザ制御部3は、露光装置制御部5からの発振準備信号に基づいて、第1及び第2のCW励起光を出力する第1及び第2のCW励起半導体レーザ51,52と、第2の半導体レーザ400と、第3のCW励起光を出力する第3のCW励起半導体レーザ53とをCW発振させてもよい。
[0040]
 同期制御部7は、レーザ制御部3を介して露光装置制御部5から発振トリガ信号Tr0を受信すると、第1のトリガ信号Tr1と第2のトリガ信号Tr2との遅延時間を制御してもよい。この遅延時間は、固体レーザシステム1から出力された第3のパルスレーザ光71Cが増幅器2の光共振器に注入されるのと同期して1対の放電電極38が放電するように制御してもよい。
[0041]
 第1の固体レーザ装置11では、第1の半導体レーザ200から波長約1030nmのCW発振光が第1のシード光として出力され得る。波長約1030nmのCW発振の第1のシード光は、同期回路部13からの所定のトリガ信号に基づいて光シャッタ23によってパルス状にトリミングされ得る。次に、光シャッタ23から出力されたパルス状の第1のシード光と、第1のCW励起半導体レーザ51からの第1のCW励起光とが、ビームスプリッタ24を介して第1のファイバ増幅器25に入射し得る。これにより、第1のシード光が第1のファイバ増幅器25で増幅され得る。次に、第1のファイバ増幅器25によって増幅された第1のシード光と、第2のCW励起半導体レーザ52からの第2のCW励起光とが、ビームスプリッタ26を介して固体増幅器27に入射することで、第1のシード光が固体増幅器27で増幅され得る。次に、LBO結晶21とCLBO結晶22とによって、固体増幅器27によって増幅された第1のシード光から波長約257.5nmの第4高調波光が生成され得る。これにより、第1の固体レーザ装置11から波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aが出力され得る。
[0042]
 一方、第2の固体レーザ装置12では、第2の半導体レーザ400から波長約1554nmのCW発振光が第2のシード光として出力され得る。第2のシード光は、同期回路部13からの所定のトリガ信号に基づいて半導体光増幅器41によってパルス状に増幅され得る。次に、半導体光増幅器41から出力されたパルス状の第2のシード光と、第3のCW励起半導体レーザ53からの第3のCW励起光とが、ビームスプリッタ43を介して第2のファイバ増幅器42に入射し得る。これにより、第2のシード光が第2のファイバ増幅器42で増幅され得る。これにより、第2の固体レーザ装置12から波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bが出力され得る。
[0043]
 波長変換システム15では、ダイクロイックミラー17によってCLBO結晶18に第1及び第2のパルスレーザ光71A,71Bが略同時に入射し、CLBO結晶18上で第1及び第2のパルスレーザ光71A,71Bが重なり得る。CLBO結晶18では、波長約257.5nmと波長約1554nmとの和周波を取り、波長約220.9nmのパルスレーザ光を生成し得る。
[0044]
 ダイクロイックミラー81では、波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aを高反射し得る。ダイクロイックミラー81ではまた、波長約1554nmと波長約220.9nmとの2つのパルスレーザ光を高透過し、それら2つのパルスレーザ光をCLBO結晶19に入射させ得る。
[0045]
 CLBO結晶19では、波長約220.9nmと波長約1554nmとの和周波を取り、波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cを生成し得る。CLBO結晶19からは、波長約220.9nm、波長約1554nm、及び波長約193.4nmの3つのパルスレーザ光が出力され得る。
[0046]
 ダイクロイックミラー82では、CLBO結晶19から出力された3つのパルスレーザ光のうち、波長約1554nm、及び波長約220.9nmのパルスレーザ光を高透過し得る。ダイクロイックミラー82ではまた、波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cを高反射し得る。波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cは、高反射ミラー83を介して波長変換システム15から出力され得る。
[0047]
 波長変換システム15から出力された第3のパルスレーザ光71Cは、高反射ミラー91を介して、波長モニタ60に入射し得る。波長モニタ60では、ビームスプリッタ62によって第3のパルスレーザ光71Cの一部を分光器61に向けて反射し、第3のパルスレーザ光71Cのその他の光を透過し、高反射ミラー92に向けて出力し得る。高反射ミラー92で反射された第3のパルスレーザ光71Cは、増幅器2の部分反射ミラー36に入射し得る。
[0048]
 波長モニタ60では、分光器61に入射した第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の値を検出し得る。波長モニタ60は、分光器61で検出された第3の波長λ3の値のデータを波長制御部6に出力し得る。波長制御部6は、波長モニタ60で検出された第3の波長λ3の値と目標波長λtの値との差δλの絶対値が0に近づくように、第1の半導体レーザ200の設定波長λ1を制御し、第1の半導体レーザ200の発振波長を制御してもよい。これにより、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が露光装置4から指示された目標波長λtに近づき得る。
[0049]
 同期制御部7からの第2のトリガ信号Tr2は、増幅器制御部30に入力されてもよい。第2のトリガ信号Tr2はまた、増幅器制御部30及びトリガ補正器32を介してPPM34のスイッチ33に入力されてもよい。
[0050]
 第3のパルスレーザ光71Cはシード光として、出力結合ミラー37と部分反射ミラー36を含む増幅器2の光共振器中に注入され得る。この注入に同期して、増幅器2のチャンバ35内では1対の放電電極38による放電で反転分布を作り得る。ここで、トリガ補正器32は、波長約193.4nmの固体レーザシステム1からの第3のパルスレーザ光71Cが増幅器2で効率よく増幅されるようにPPM34のスイッチ33のタイミングを調整してもよい。その結果、増幅器2の光共振器によって増幅発振して、出力結合ミラー37から増幅されたパルスレーザ光を出力し得る。
[0051]
 以上のようにして、固体レーザシステム1から出力された波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cを増幅器2でさらに増幅し、露光装置4に出力し得る。
[0052]
(2.3 課題)
 露光装置用レーザ装置では、ウエハのうねりによる焦点位置の変化と気圧の変化とをパルスレーザ光の波長で補正できるように、パルスレーザ光の波長を変化させる必要があり得る。この場合において、狭い波長範囲を高速で変化させる機能と、広い波長範囲を大気圧が変化する速度で変化させる機能とが必要となることがあり得る。狭い波長範囲を高速で変化させる場合、例えば0.4pm程度の波長範囲を、100ms未満で変化させる性能が要求され得る。広い波長範囲を大気圧が変化する速度で変化させる場合、例えば193.3nm~193.45nm程度の波長範囲を、大気圧が変化する速度で変化させる性能が要求され得る。
[0053]
 しかしながら、MOを非線形結晶と固体レーザとを組み合わせた紫外光のパルスレーザ光を出力する固体レーザシステムとする構成では、上記機能を搭載することが困難であり得た。具体的には、分布帰還半導体レーザでは、半導体の温度で発振波長を制御するため、狭い波長範囲で高速に発振波長を高精度に制御することが困難であり得た。さらに、広い波長範囲で波長を変化させると、非線形結晶での波長変換効率が低下することがあり得た。
[0054]
[3.第1の実施形態]
 次に、本開示の第1の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記図1に示した比較例の固体レーザシステム1を含む露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
[0055]
(3.1 構成)
 図2は、本開示の第1の実施形態に係る固体レーザシステム1Aを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
[0056]
 本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図1に示した比較例の構成における固体レーザシステム1に代えて、固体レーザシステム1Aを備えてもよい。本実施形態に係る露光装置用レーザ装置はまた、増幅器2と露光装置4との間の光路上に配置された出射口シャッタ8を備えてもよい。
[0057]
 固体レーザシステム1Aにおいて、第1の固体レーザ装置11は、第1の半導体レーザ200に代えて第1の半導体レーザ20を含んでもよい。第1の半導体レーザ20は、ファインの波長を可変できる、例えば0.4pm程度の狭い波長範囲を高速で可変できる外部共振器半導体レーザであってもよい。
[0058]
 固体レーザシステム1Aにおいて、第2の固体レーザ装置12は、第2の半導体レーザ400に代えて第2の半導体レーザ40を含んでもよい。第2の半導体レーザ40は、コースの波長を可変できる、例えば193.3nm~193.45nm程度の広い波長範囲を大気圧が変化する速度で可変できる分布帰還半導体レーザであってもよい。
[0059]
 これにより、固体レーザシステム1Aでは、第1の固体レーザ装置11から出力される第1のパルスレーザ光71Aの波長可変範囲が、第2の固体レーザ装置12から出力される第2のパルスレーザ光71Bの波長可変範囲よりも小さくなっていてもよい。また、第1の固体レーザ装置11から出力される第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長の波長可変速度は、第2の固体レーザ装置12から出力される第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長の波長可変速度よりも高速であってもよい。
[0060]
 固体レーザシステム1Aにおいて、波長変換システム15は、ダイクロイックミラー84と、第1の光センサ93と、第2の光センサ94と、第1及び第2の回転ステージ191,192とをさらに含んでいてもよい。
[0061]
 第1の回転ステージ191は、CLBO結晶18への入射光の入射角度θ1を回転させる回転機構であってもよい。第2の回転ステージ192は、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2を回転させる回転機構であってもよい。第1及び第2の回転ステージ191,192の回転角度は、波長制御部6によって制御されてもよい。
[0062]
 第1の光センサ93は、CLBO結晶18による変換光である波長約220.9nmのパルスレーザ光とは異なる波長のパルスレーザ光の光路上に配置されてもよい。第1の光センサ93は、例えば、ダイクロイックミラー81によって反射された波長約257.5nmのパルスレーザ光の光路上に配置され、波長約257.5nmのパルスレーザ光の光強度を検出するものであってもよい。第1の光センサ93による検出値を示す信号は、波長制御部6に出力されてもよい。第1の回転ステージ191の回転角度は、第1の光センサ93による検出値がより小さくなるように波長制御部6によって制御されてもよい。
[0063]
 ダイクロイックミラー84は、ダイクロイックミラー82を透過した波長約1554nm、及び波長約220.9nmのパルスレーザ光の光路上に配置されていてもよい。ダイクロイックミラー84は、波長約1554nmの波長約220.9nmを高透過し、波長約220.9nmのパルスレーザ光を高反射するように配置されてもよい。
[0064]
 第2の光センサ94は、CLBO結晶19による変換光である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cとは異なる波長のパルスレーザ光の光路上に配置されてもよい。第2の光センサ94は、例えば、ダイクロイックミラー82,84を透過した波長約1554nmのパルスレーザ光の光路上に配置され、波長約1554nmのパルスレーザ光の光強度を検出するものであってもよい。第2の光センサ94による検出値を示す信号は、波長制御部6に出力されてもよい。第2の回転ステージ192の回転角度は、第2の光センサ94による検出値がより小さくなるように波長制御部6によって制御されてもよい。
[0065]
 その他の構成は、図1に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
[0066]
(3.2 動作)
 波長制御部6は、レーザ制御部3を介して露光装置制御部5から目標波長λtの値を示す信号を受信してもよい。波長制御部6は、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように第1の半導体レーザ20に設定波長λ1として初期設定波長λ10のデータを送信してもよい。波長制御部6はまた、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2として初期設定波長λ20のデータを送信してもよい。そして、波長制御部6は、第1の半導体レーザ20と第2の半導体レーザ40とをCW発振させてもよい。
[0067]
 その結果、第1の固体レーザ装置11から波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aが出力され得る。また、第2の固体レーザ装置12から波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bが出力され得る。
[0068]
 波長変換システム15には、第1のパルスレーザ光71Aと第2のパルスレーザ光71Bとが入射し得る。波長変換システム15では、波長約257.5nmと波長約1554nmとから波長変換された第3の波長λ3である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが出力され得る。波長変換システム15から出力された第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の値は、波長モニタ60によって検出され得る。
[0069]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλ(=λ3-λt)の絶対値が所定の値δλ1以下の場合は、第1の固体レーザ装置11を制御して第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。より具体的には、第1の固体レーザ装置11における第1の半導体レーザ20の設定波長λ1を制御し、第1の半導体レーザ20の発振波長を制御することにより、第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。また、所定の値δλ1は例えば、約0.4pmであってもよい。その結果、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3は、高速で目標波長λtに近づき得る。
[0070]
 一方、波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が所定の値δλ1を超えた場合は、第2の固体レーザ装置12を制御して第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。より具体的には、第2の固体レーザ装置12における第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を制御し、第2の半導体レーザ40の発振波長を制御することにより、第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。
[0071]
 さらに、波長制御部6は、第1の光センサ93の検出値がより小さくなり、極小に近づくように、第1の回転ステージ191の回転角度を制御することによって、CLBO結晶18への入射光の入射角度θ1を制御してもよい。その結果、CLBO結晶18での波長変換効率が最大となり得る。
[0072]
 次に、波長制御部6は、第2の光センサ94の検出値がより小さくなり、極小に近づくように、第2の回転ステージ192の回転角度を制御することによって、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2を制御してもよい。その結果、CLBO結晶19での波長変換効率が最大となり得る。
[0073]
 その結果、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が目標波長λtに近づくと共に、非線形結晶であるCLBO結晶18,19での波長変換効率の低下が抑制され得る。
[0074]
 また、以上の波長モニタ60による第3の波長λ3の検出結果に基づく波長最適化の処理と、第1及び第2の光センサ93,94の検出結果に基づく非線形結晶への入射光の入射角度の最適化の処理とをそれぞれ複数回、繰り返してもよい。
[0075]
 次に、図3ないし図7を参照して、波長制御部6による制御動作のより具体的な例を説明する。
[0076]
 図3は、本実施形態における波長制御部6による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
[0077]
 波長制御部6は、まず、波長NG信号をレーザ制御部3を介して露光装置制御部5に出力し(ステップS101)、出射口シャッタ8を閉じさせてもよい。次に、波長制御部6は、固体レーザシステム1Aの初期設定を行うための初期調整発振をさせてもよい(ステップS102)。
[0078]
 次に、波長制御部6は、波長モニタ60によって、固体レーザシステム1Aの発振波長、すなわち、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の検出をしてもよい(ステップS103)。
[0079]
 次に、波長制御部6は、レーザ制御部3を介して、露光装置制御部5から目標波長λtの値を示す信号を受信してもよい(ステップS104)。次に、波長制御部6は、以下の式のように、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλの計算をしてもよい(ステップS105)。
 δλ=λ3-λt
[0080]
 次に、波長制御部6は、|δλ|≦δλ1の条件を満たすか否か、すなわち、δλの絶対値が所定の値δλ1以下であるか否かを判断してもよい(ステップS106)。
[0081]
 |δλ|≦δλ1の条件を満たす、すなわち、δλの絶対値が所定の値δλ1以下であると判断した場合(ステップS106;Y)には、次に、波長制御部6は、第1の固体レーザ装置11の波長を制御する処理をしてもよい(ステップS107)。
[0082]
 一方、|δλ|≦δλ1の条件を満たさない、すなわち、δλの絶対値が所定の値δλ1を超えると判断した場合(ステップS106;N)には、次に、波長制御部6は、第2の固体レーザ装置12の波長を制御する処理をしてもよい(ステップS108)。
[0083]
 次に、波長制御部6は、波長モニタ60によって、固体レーザシステム1Aの発振波長、すなわち、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の検出をしてもよい(ステップS109)。
[0084]
 次に、波長制御部6は、|δλ|≦δλrの条件を満たすか否か、すなわち、δλの絶対値が所定の許容値δλr以下か否かを判断してもよい(ステップS110)。|δλ|≦δλrの条件を満たさないと判断した場合(ステップS110;N)には、次に、波長制御部6は、波長NG信号をレーザ制御部3を介して露光装置制御部5に出力し(ステップS111)、出射口シャッタ8を閉じたままにしてもよい。その後、波長制御部6は、ステップS106の処理に戻ってもよい。
[0085]
 一方、|δλ|≦δλrの条件を満たすと判断した場合(ステップS110;Y)には、次に、波長制御部6は、波長OK信号をレーザ制御部3を介して露光装置制御部5に出力し(ステップS112)、出射口シャッタ8を開けさせてもよい。次に、波長制御部6は、目標波長λtが変更されたか否かを判断してもよい(ステップS113)。目標波長λtが変更されたと判断した場合(ステップS113;Y)には、次に、波長制御部6は、波長NG信号を出力し(ステップS114)、出射口シャッタ8を閉じさせてもよい。その後、ステップS104の処理に戻ってもよい。
[0086]
 目標波長λtが変更されていないと判断した場合(ステップS113;N)には、次に、波長制御部6は、波長制御を中止するか否かを判断してもよい(ステップS115)。波長制御を中止しない場合(ステップS115;N)には、波長制御部6は、ステップS107の処理に戻ってもよい。波長制御を中止する場合(ステップS115;Y)には、波長制御部6は、メインの処理を終了してもよい。
[0087]
 図4は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS102の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。波長制御部6は、固体レーザシステム1Aの初期調整発振として図4に示す処理を行ってもよい。
[0088]
 波長制御部6は、まず、初期パラメータの設定をしてもよい(ステップS121)。初期パラメータの設定には、以下の式のように、設定波長λ1,λ2と入射角度θ1,θ2の設定を含んでもよい。
 λ1=λ10、λ2=λ20
 θ1=θ10、θ2=θ20
 すなわち、波長制御部6は、第1の半導体レーザ20の設定波長λ1を初期設定波長λ10に設定し、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を初期設定波長λ20に設定してもよい。また、CLBO結晶18への入射光の入射角度θ1をθ10に設定し、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2をθ20に設定してもよい。
[0089]
 次に、波長制御部6は、第1の半導体レーザ20に設定波長λ1のデータを送信してもよい(ステップS122)。次に、波長制御部6は、第2の半導体レーザ40に設定波長λ2のデータを送信してもよい(ステップS123)。
[0090]
 次に、波長制御部6は、第1の及び第2の回転ステージ191,192の回転角度を制御することによって、波長変換システム15の2つのCLBO結晶18,19のそれぞれへの入射光の入射角度がθ1,θ2となるように制御してもよい(ステップS124)。
[0091]
 次に、波長制御部6は、レーザ制御部3を介して、第1及び第2の半導体レーザ20,40をCW発振させてもよい(ステップS125)。これにより、第1の半導体レーザ20から、設定波長λ1のCWレーザ光を第1のシード光として出力させてもよい。また、第2の半導体レーザ40から、設定波長λ2のCWレーザ光を第2のシード光として出力させてもよい。
[0092]
 次に、波長制御部6は、第1及び第2のトリガ信号Tr1,Tr2を所定の繰り返し周波数で同期制御部7から出力させることで、初期の調整パルス発振をさせてもよい(ステップS126)。その後、図3のメインのフローに戻ってもよい。
[0093]
 図5は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS107の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。波長制御部6は、第1の固体レーザ装置11の波長を制御する処理として図5に示す処理を行ってもよい。
[0094]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλから、以下の式のように、目標周波数fとの差δfを計算してもよい(ステップS131)。
 δf=(c/λ3 2)・δλ
 ここで、cは光速であってもよい。
[0095]
 次に、波長制御部6は、目標周波数fとの差δfから、以下の式のように、設定波長λ1と第1の半導体レーザ20の目標波長との差δλ1を計算してもよい(ステップS132)。
 δλ1=(λ1 2/c)・δf
[0096]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、第1の半導体レーザ20の設定波長λ1を計算してもよい(ステップS133)。
 λ1=λ1+δλ1
[0097]
 次に、波長制御部6は、第1の半導体レーザ20に設定波長λ1のデータを送信し(ステップS134)、図3のメインのフローに戻ってもよい。
[0098]
 図6は、図3に示したメインのフローチャートにおけるステップS108の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。波長制御部6は、第2の固体レーザ装置12の波長を制御する処理として図6に示す処理を行ってもよい。
[0099]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλから、以下の式のように、目標周波数fとの差δfを計算してもよい(ステップS141)。
 δf=(c/λ3 2)・δλ
 ここで、cは光速であってもよい。
[0100]
 次に、波長制御部6は、目標周波数との差δfから、以下の式のように、設定波長λ2と第2の半導体レーザ40の目標波長との差δλ2を計算してもよい(ステップS142)。
 δλ2=(λ2 2/c)・δf
[0101]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を計算してもよい(ステップS143)。
 λ2=λ2+δλ2
[0102]
 次に、波長制御部6は、第2の半導体レーザ40に設定波長λ2のデータを送信してもよい(ステップS144)。次に、波長制御部6は、波長変換システム15の波長変換効率が低下するのを抑制するために、非線形結晶である2つのCLBO結晶18,19のそれぞれへの入射角度θ1,θ2を変更する処理をしてもよい(ステップS145)。その後、図3のメインのフローに戻ってもよい。
[0103]
 図7は、図6に示したフローチャートにおけるステップS145の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
[0104]
 波長制御部6は、目標波長λtから、2つのCLBO結晶18,19のそれぞれへの入射光の入射角度θ1,θ2をテーブルデータから計算してもよい(ステップS151)。波長制御部6は、目標波長λtと2つのCLBO結晶18,19のそれぞれへの入射光の入射角度θ1,θ2との関係を、テーブルデータとしてあらかじめ図示しない記憶部に記憶しておいてもよい。
[0105]
 次に、波長制御部6は、第1及び第2の回転ステージ191,192をそれぞれ入射角度θ1,θ2となるように制御してもよい(ステップS152)。
[0106]
 次に、波長制御部6は、第1の回転ステージ191を、入射角度θ1付近で変化させながら、第1の光センサ93の検出値を複数取得してもよい(ステップS153)。次に、波長制御部6は、以下の式のように、第1の光センサ93の検出値が極小の時の入射角度θ1minを求めてもよい(ステップS154)。
 θ1=θ1min
[0107]
 次に、波長制御部6は、第1の回転ステージ191を、入射角度θ1となるように制御してもよい(ステップS155)。
 波長制御部6は、以上のステップS153~S155の処理によって、CLBO結晶18への入射光の入射角度θ1の最適化をしてもよい。
[0108]
 次に、波長制御部6は、第2の回転ステージ192を、入射角度θ2付近で変化させながら、第2の光センサ94の検出値を複数取得してもよい(ステップS156)。次に、波長制御部6は、以下の式のように、第2の光センサ94の検出値が極小の時の入射角度θ2minを求めてもよい(ステップS157)。
 θ2=θ2min
[0109]
 次に、波長制御部6は、第2の回転ステージ192を、入射角度θ2となるように制御し(ステップS158)、図3のメインのフローに戻ってもよい。
 波長制御部6は、以上のステップS156~S158の処理によって、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2の最適化をしてもよい。
[0110]
(3.3 作用)
 本実施形態の露光装置用レーザ装置によれば、目標波長λtの値と波長モニタ60で検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が、所定の値δλ1以下の場合は、第1の半導体レーザ20の設定波長λ1が制御され得る。所定の値を超えた場合は、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2が制御され得る。これによって、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が目標波長λtに近づき得る。
[0111]
 さらに、所定の値δλ1以下では高速で第3の波長λ3が目標波長λtに近づき、所定の値δλ1を超える範囲でも高い変換効率で、第3のパルスレーザ光71Cが出力され得る。
[0112]
(3.4 変形例)
(3.4.1 第1の変形例)
 図2の構成例では、第1の光センサ93で波長約257.5nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度が小さくなるように第1の回転ステージ191を制御したが、この実施形態には限定されない。例えば、第1の光センサ93で波長約1554nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度が小さくなるように第1の回転ステージ191を制御してもよい。また、第1の光センサ93でCLBO結晶18による変換光である波長約220.9nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度がより大きく、極大となるように第1の回転ステージ191を制御してもよい。
[0113]
 同様に、図2の構成例では、第2の光センサ94で波長約1554nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度が小さくなるように第2の回転ステージ192を制御したが、この実施形態には限定されない。例えば、第2の光センサ94で波長約220.9nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度が小さくなるように第2の回転ステージ192を制御してもよい。
[0114]
 また、例えば図8の第1の変形例に示したように、第2の光センサ94でCLBO結晶19による変換光である波長約193.4nmのパルスレーザ光の光強度を検出し、その光強度がより大きく、極大となるように第2の回転ステージ192を制御してもよい。例えば図8の固体レーザシステム1Bに示したように、図2の構成例に対して、波長変換システム15内の高反射ミラー83に代えて、波長約193.4nmのパルスレーザ光の一部の光を透過するビームスプリッタ85を備えてもよい。そして、ビームスプリッタ85を透過した波長約193.4nmのパルスレーザ光の光路上に第2の光センサ94を配置して、その光強度を検出してもよい。
[0115]
(3.4.2 第2の変形例)
 図2の構成例では、波長モニタ60を波長変換システム15と増幅器2との間の光路上に配置しているが、この実施形態には限定されない。例えば、図9の第2の変形例に示したように、波長モニタ60を増幅器2によって増幅された第3のパルスレーザ光71Cの光路上に配置してもよい。例えば、増幅器2と出射口シャッタ8との間の光路上に配置されていてもよい。
[0116]
[4.第2の実施形態]
 次に、本開示の第2の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第1の実施形態に係る露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
[0117]
(4.1 構成)
 図10は、本開示の第2の実施形態に係る固体レーザシステム1Cを含む露光装置用レーザ装置の一構成例を概略的に示している。
[0118]
 本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図2に示した第1の実施形態における固体レーザシステム1Aに代えて、固体レーザシステム1Cを備えてもよい。本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、波長モニタ60に代えて、固体レーザシステム1C内に、第1の波長モニタ60Aと第2の波長モニタ60Bとを含んでいてもよい。
[0119]
 第1の波長モニタ60Aは、第1の固体レーザ装置11内において第1の半導体レーザ20が出力する第1のシード光の光路上に設けられていてもよい。第1の波長モニタ60Aは、第1の分光器61Aと、ビームスプリッタ62Aとを含んでいてもよい。ビームスプリッタ62Aは、第1のシード光の一部を反射し、その反射光が第1の分光器61Aに入射するように配置されてもよい。第1の分光器61Aは、第1のシード光の波長を計測するエタロン分光器であってもよい。第1の分光器61Aは、第1の波長モニタ60Aによる計測値である計測波長λ1mのデータを、波長制御部6に出力してもよい。
[0120]
 第2の波長モニタ60Bは、第2の固体レーザ装置12内において第2の半導体レーザ40が出力する第2のシード光の光路上に設けられていてもよい。第2の波長モニタ60Bは、第2の分光器61Bと、ビームスプリッタ62Bとを含んでいてもよい。ビームスプリッタ62Bは、第2のシード光の一部を反射し、その反射光が第2の分光器61Bに入射するように配置されてもよい。第2の分光器61Bは、第2のシード光の波長を計測するエタロン分光器であってもよい。第2の分光器61Bは、第2の波長モニタ60Bによる計測値である計測波長λ2mのデータを、波長制御部6に出力してもよい。
[0121]
 波長制御部6は、第1の波長モニタ60Aによる計測波長λ1mのデータと、第2の波長モニタ60Bによる計測波長λ2mのデータとから、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の値を演算する演算部としての機能を含んでいてもよい。すなわち、本実施形態では、第1の波長モニタ60Aと、第2の波長モニタ60Bと、波長制御部6とにより、第3の波長λ3を検出する波長検出部が構成されていてもよい。
[0122]
 その他の構成は、図2に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
[0123]
(4.2 動作)
 波長制御部6は、レーザ制御部3を介して露光装置制御部5から目標波長λtの値を示す信号を受信してもよい。波長制御部6は、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように第1の半導体レーザ20に設定波長λ1として初期設定波長λ10のデータを送信してもよい。波長制御部6はまた、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2として初期設定波長λ20のデータを送信してもよい。そして、波長制御部6は、第1の半導体レーザ20と第2の半導体レーザ40とをCW発振させてもよい。
[0124]
 その結果、第1の固体レーザ装置11から波長約257.5nmの第1のパルスレーザ光71Aが出力され得る。また、第2の固体レーザ装置12から波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bが出力され得る。
[0125]
 波長変換システム15には、第1のパルスレーザ光71Aと第2のパルスレーザ光71Bとが入射し得る。波長変換システム15では、波長約257.5nmと波長約1554nmとから波長変換された第3の波長λ3である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが出力され得る。
[0126]
 第1の半導体レーザ20による第1のシード光の発振波長は、第1の波長モニタ60Aによって計測され得る。波長制御部6は、第1の波長モニタ60Aによって計測された計測波長λ1mのデータを受信してもよい。
[0127]
 第2の半導体レーザ40による第2のシード光の発振波長は、第2の波長モニタ60Bによって計測され得る。波長制御部6は、第2の波長モニタ60Bによって計測された計測波長λ2mのデータを受信してもよい。
[0128]
 波長制御部6は、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の値を、第1の波長モニタ60Aによる計測波長λ1mのデータと、第2の波長モニタ60Bによる計測波長λ2mのデータとから演算して検出してもよい。
[0129]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と演算により検出された第3の波長λ3の値との差δλ(=λ3-λt)の絶対値が所定の値δλ1以下の場合は、第1の固体レーザ装置11を制御して第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。より具体的には、第1の固体レーザ装置11における第1の半導体レーザ20の設定波長λ1を制御し、第1の半導体レーザ20の発振波長を制御することにより、第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。また、所定の値δλ1は例えば、約0.4pmであってもよい。その結果、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3は、高速で目標波長λtに近づき得る。
[0130]
 一方、波長制御部6は、目標波長λtの値と演算により検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が所定の値δλ1を超えた場合は、第2の固体レーザ装置12を制御して第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。より具体的には、第2の固体レーザ装置12における第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を制御し、第2の半導体レーザ40の発振波長を制御することにより、第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。
[0131]
 その他、波長変換システム15における第1及び第2の光センサ93,94の検出結果に基づく非線形結晶への入射光の入射角度の最適化の処理は、図2に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
[0132]
 以上の第1及び第2の波長モニタ60A,60Bを用いた第3の波長λ3の検出結果に基づく波長最適化の処理と、第1及び第2の光センサ93,94の検出結果に基づく非線形結晶への入射光の入射角度の最適化の処理とをそれぞれ複数回、繰り返してもよい。
[0133]
 図11は、図10に示した露光装置用レーザ装置において、第1及び第2の波長モニタ60A,60Bを用いて第3の波長λ3の値を検出する処理を示すフローチャートである。
[0134]
 本実施の形態において、波長制御部6による制御動作のうち、第3の波長λ3の値を検出する処理以外の動作は上記第1の実施形態と略同様であってもよい。本実施の形態においても、波長制御部6による制御動作として、図3ないし図7のフローチャートに示した処理と略同様の処理を行ってもよい。
[0135]
 ただし、波長制御部6は、図3のフローチャートにおけるステップS103,S109の処理として、図11に示す処理を行ってもよい。
[0136]
 波長制御部6は、第1及び第2の波長モニタ60A,60Bから、それぞれの計測波長λ1m,λ2mのデータを取得してもよい(ステップS161)。
[0137]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、それぞれの計測波長λ1m,λ2mを周波数に変換してもよい(ステップS162)。
 f1=c/λ1m
 f2=c/λ2m
 ここで、cは光速であってもよい。
[0138]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、周波数f1,f2のデータから、第3の波長λ3へと波長変換した後の周波数fを計算してもよい(ステップS163)。
 f=(4f1+f2)+f2
 ここで、第1の半導体レーザ20から出力された第1のシード光は、LBO結晶21とCLBO結晶22とによって、周波数が4f1となってもよい。また、CLBO結晶18では、周波数4f1と周波数f2の入射光が4f1+f2に波長変換され、CLBO結晶19では、周波数(4f1+f2)と周波数f2の入射光が(4f1+f2)+f2に波長変換され得る。
[0139]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、周波数fを第3の波長λ3に変換してもよい(ステップS164)。
 λ3=c/f
[0140]
(4.3 作用)
 本実施形態の露光装置用レーザ装置によれば、第1及び第2の波長モニタ60A,60Bによって計測されたそれぞれの計測波長λ1m,λ2mから第3の波長λ3を演算により検出し得る。そして、目標波長λtの値と演算により検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が、所定の値δλ1以下の場合は、第1の半導体レーザ20の設定波長λ1が制御され得る。所定の値を超えた場合は、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2が制御され得る。これによって、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が目標波長λtに近づき得る。
[0141]
 その他の作用は、図2に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
[0142]
[5.第3の実施形態]
 次に、本開示の第3の実施形態に係る固体レーザシステムを含む露光装置用レーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第1若しくは第2の実施形態に係る露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
[0143]
(5.1 構成)
 図12は、本開示の第3の実施形態に係る固体レーザシステム1Dを含む露光装置用レーザ装置の要部の構成例を概略的に示している。
[0144]
 本実施形態に係る露光装置用レーザ装置は、図2に示した第1の実施形態における固体レーザシステム1Aに代えて、固体レーザシステム1Dを備えてもよい。固体レーザシステム1Dは、第1の固体レーザ装置11と、第2の固体レーザ装置12と、波長変換システム15と、高反射ミラー87と、ダイクロイックミラー88とを含んでいてもよい。
[0145]
 第1の固体レーザ装置11は、第1-1の固体レーザ装置11Aと、第1-2の固体レーザ装置11Bとを含んでいてもよい。第1の固体レーザ装置11はまた、ダイクロイックミラー17と、CLBO結晶18と、高反射ミラー86とを含んでいてもよい。
[0146]
 第1の固体レーザ装置11は、第1-1及び第1-2のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光71Aを、ダイクロイックミラー17を介して波長変換システム15に向けて出力するように構成されていてもよい。第1の波長は、約220.9nmであってもよい。
[0147]
 高反射ミラー86は、第1-2の固体レーザ装置11Bから出力されたパルスレーザ光を高反射し、ダイクロイックミラー17に入射させるように配置されてもよい。ダイクロイックミラー17には、第1-1の固体レーザ装置11Aから出力されたパルスレーザ光を高透過し、第1-2の固体レーザ装置11Bから出力されたパルスレーザ光を高反射する膜がコートされていてもよい。ダイクロイックミラー17は、第1-1の固体レーザ装置11Aから出力されたパルスレーザ光と第1-2の固体レーザ装置11Bから出力されたパルスレーザ光とを、互いの光路軸を略一致させた状態でCLBO結晶18に入射させるように配置されてもよい。
[0148]
 CLBO結晶18には、第1-1の固体レーザ装置11Aからの波長約257.5nmのパルスレーザ光が入射されると共に、第1-2の固体レーザ装置11Bからの波長約1554nmのパルスレーザ光が入射されてもよい。CLBO結晶18は、波長約257.5nmと波長約1554nmとの和周波を取り、波長約220.9nmのパルスレーザ光を、第1のパルスレーザ光71Aとして出力してもよい。CLBO結晶18はまた、波長約257.5nmのパルスレーザ光と波長約1554nmのパルスレーザ光とを出力してもよい。
[0149]
 第1-1の固体レーザ装置11Aは、第1-1の半導体レーザ20Aを含んでもよい。第1-1の半導体レーザ20Aは、シングル縦モードでCW発振して波長約1030nmの第1-1のシード光を出力する分布帰還半導体レーザであってもよい。第1-1の半導体レーザ20Aには、波長制御部6からの設定波長λ1aのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。
[0150]
 第1-1の固体レーザ装置11Aのその他の構成は、図2における第1の固体レーザ装置11の構成と略同様であってもよい。
[0151]
 第1-2の固体レーザ装置11Bは、第1-2の半導体レーザ20Bと、半導体光増幅器44と、第3のファイバ増幅器45と、ビームスプリッタ46と、第4のCW励起半導体レーザ54とを含んでいてもよい。
[0152]
 第1-2の半導体レーザ20Bは、シングル縦モードでCW発振して波長約1554nmの第1-2のシード光を出力する外部共振器半導体レーザであってもよい。第1-2の半導体レーザ20Bは、ファインの波長を可変できる、例えば0.4pm程度の狭い波長範囲を高速で可変できる外部共振器半導体レーザであってもよい。第1-2の半導体レーザ20Bには、波長制御部6からの設定波長λ1bのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。
[0153]
 第2の固体レーザ装置12は、図2の第2の固体レーザ装置12と略同様の構成であってもよい。第2の固体レーザ装置12は、第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光71Bを、高反射ミラー87及びダイクロイックミラー88を介して波長変換システム15に向けて出力するように構成されていてもよい。
[0154]
 同期回路部13は、同期制御部7からの第1のトリガ信号Tr1に基づいて、光シャッタ23と、半導体光増幅器41と、半導体光増幅器44とに所定のトリガ信号を出力するように構成されていてもよい。
[0155]
 波長変換システム15は、CLBO結晶19と、ダイクロイックミラー82,84と、高反射ミラー83と、光センサ96と、回転ステージ195とを含んでいてもよい。
[0156]
 回転ステージ195は、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2を回転させる回転機構であってもよい。回転ステージ195の回転角度は、波長制御部6によって制御されてもよい。
[0157]
 光センサ96は、CLBO結晶19による変換光である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cとは異なる波長のパルスレーザ光の光路上に配置されてもよい。光センサ96は、例えば、ダイクロイックミラー82,84を透過した波長約1554nmのパルスレーザ光の光路上に配置され、波長約1554nmのパルスレーザ光の光強度を検出するものであってもよい。光センサ96による検出値を示す信号は、波長制御部6に出力されてもよい。回転ステージ195の回転角度は、光センサ96による検出値がより小さくなるように波長制御部6によって制御されてもよい。
[0158]
 高反射ミラー87は、第2の固体レーザ装置12から出力された第2のパルスレーザ光71Bがダイクロイックミラー88に入射するように配置されてもよい。ダイクロイックミラー88には、波長約1554nmと波長約257.5nmの光を高反射し、第1のパルスレーザ光71Aである波長約220.9nmの光を高透過する膜がコートされていてもよい。ダイクロイックミラー88は、波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bと波長約220.9nmの第1のパルスレーザ光71AとがCLBO結晶19に光路軸が略一致した状態で入射するように配置されてもよい。
[0159]
 その他の構成は、図2に示した露光装置用レーザ装置と略同様であってもよい。
[0160]
(5.2 動作)
 波長制御部6は、レーザ制御部3を介して露光装置制御部5から目標波長λtの値を示す信号を受信してもよい。
波長制御部6は、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように第1-1の半導体レーザ20Aの設定波長λ1aとして初期設定波長λ10aのデータを送信してもよい。また、波長制御部6は、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように第1-2の半導体レーザ20Bの設定波長λ1bとして初期設定波長λ10bのデータを送信してもよい。波長制御部6はまた、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が、波長約193.4nmの初期波長となるように、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2として初期設定波長λ20のデータを送信してもよい。そして、波長制御部6は、第1-1及び第1-2の半導体レーザ20A,20Bと第2の半導体レーザ40とをCW発振させてもよい。
[0161]
 その結果、第1-1の固体レーザ装置11Aから波長約257.5nmのパルスレーザ光が出力され得る。また、第1-2の固体レーザ装置11Bから波長約1554nmのパルスレーザ光が出力され得る。
[0162]
 CLBO結晶18では、波長約257.5nmと波長約1554nmとの和周波を取り、波長約220.9nmのパルスレーザ光が生成され得る。第1の固体レーザ装置11からは、その波長約220.9nmのパルスレーザ光が第1のパルスレーザ光71Aとして出力され得る。
[0163]
 一方、第2の固体レーザ装置12からは波長約1554nmの第2のパルスレーザ光71Bが出力され得る。
[0164]
 波長変換システム15には、第1のパルスレーザ光71Aと第2のパルスレーザ光71Bとが入射し得る。波長変換システム15では、波長約220.9nmと波長約1554nmとから波長変換された第3の波長λ3である波長約193.4nmの第3のパルスレーザ光71Cが出力され得る。波長変換システム15から出力された第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3の値は、波長モニタ60によって検出され得る。
[0165]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλ(=λ3-λt)の絶対値が所定の値δλ1以下の場合は、第1の固体レーザ装置11を制御して第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。より具体的には、第1の固体レーザ装置11における第1-2の半導体レーザ20Bの設定波長λ1bを制御し、第1-2の半導体レーザ20Bの発振波長を制御することにより、第1のパルスレーザ光71Aの第1の波長を変化させてもよい。また、所定の値δλ1は例えば、約0.4pmであってもよい。その結果、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3は、高速で目標波長λtに近づき得る。
[0166]
 一方、波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が所定の値δλ1を超えた場合は、第2の固体レーザ装置12を制御して第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。より具体的には、第2の固体レーザ装置12における第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を制御し、第2の半導体レーザ40の発振波長を制御することにより、第2のパルスレーザ光71Bの第2の波長を変化させてもよい。
[0167]
 次に、波長制御部6は、光センサ96の検出値がより小さくなり、極小に近づくように、回転ステージ195の回転角度を制御することによって、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2を制御してもよい。その結果、CLBO結晶19での波長変換効率が最大となり得る。
[0168]
 その結果、波長変換システム15から出力される第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が目標波長λtに近づくと共に、非線形結晶であるCLBO結晶19での波長変換効率の低下が抑制され得る。
[0169]
 また、以上の波長モニタ60による第3の波長λ3の検出結果に基づく波長最適化の処理と、光センサ96の検出結果に基づく非線形結晶への入射光の入射角度の最適化の処理とをそれぞれ複数回、繰り返してもよい。
[0170]
 次に、図13ないし図16を参照して、本実施形態における波長制御部6による制御動作のより具体的な例を説明する。
[0171]
 図13は、本実施形態における波長制御部6による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
[0172]
 波長制御部6は、上記図3のフローチャートにおけるステップS102に代えて、ステップS102Aの処理を行ってもよい。また、波長制御部6は、図3のフローチャートにおけるステップS107に代えて、ステップS107Aの処理を行ってもよい。図13のメインのフローチャートにおけるその他の処理は、上記図3のフローチャートと略同様であってもよい。
[0173]
 ステップS102Aでは、波長制御部6は、固体レーザシステム1Dの初期設定を行うための初期調整発振をさせてもよい。
[0174]
 ステップS107Aでは、波長制御部6は、第1-2の固体レーザ装置11Bの波長を制御する処理をしてもよい
[0175]
 図14は、図13に示したメインのフローチャートにおけるステップS102Aの処理の詳細を示すサブのフローチャートである。波長制御部6は、固体レーザシステム1Dの初期調整発振として図14に示す処理を行ってもよい。
[0176]
 波長制御部6は、まず、初期パラメータの設定をしてもよい(ステップS171)。初期パラメータの設定には、以下の式のように、設定波長λ1a,λ1b,λ2と入射角度θ2の設定を含んでもよい。
 λ1a=λ10a、λ1b=λ10b、λ2=λ20
 θ2=θ20
 すなわち、波長制御部6は、第1-1の半導体レーザ20Aの設定波長λ1aを初期設定波長λ10aに設定し、第1-2の半導体レーザ20Bの設定波長λ1bを初期設定波長λ10bに設定してもよい。また、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2を初期設定波長λ20に設定してもよい。また、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2をθ20に設定してもよい。
[0177]
 次に、波長制御部6は、第1-1の半導体レーザ20Aに設定波長λ1aのデータを送信してもよい(ステップS172)。次に、波長制御部6は、第1-2の半導体レーザ20Bに設定波長λ1bのデータを送信してもよい(ステップS173)。次に、波長制御部6は、第2の半導体レーザ40に設定波長λ2のデータを送信してもよい(ステップS174)。
[0178]
 次に、波長制御部6は、回転ステージ195の回転角度を制御することによって、波長変換システム15のCLBO結晶19への入射光の入射角度がθ2となるように制御してもよい(ステップS175)。
[0179]
 次に、波長制御部6は、第1-1及び第1-2の半導体レーザ20A,20Bと第2の半導体レーザ40とをCW発振させてもよい(ステップS176)。これにより、第1-1及び第1-2の半導体レーザ20A,20Bから、設定波長λ1a,λ1bのCWレーザ光を第1-1及び第1-2のシード光として出力させてもよい。また、第2の半導体レーザ40から、設定波長λ2のCWレーザ光を第2のシード光として出力させてもよい。
[0180]
 次に、波長制御部6は、レーザ制御部3を介して、第1及び第2のトリガ信号Tr1,Tr2を所定の繰り返し周波数で同期制御部7から出力させることで、初期の調整パルス発振をさせてもよい(ステップS177)。その後、図13のメインのフローに戻ってもよい。
[0181]
 図15は、図13に示したメインのフローチャートにおけるステップS107Aの処理の詳細を示すサブのフローチャートである。波長制御部6は、第1-2の固体レーザ装置11Bの波長を制御する処理として図15に示す処理を行ってもよい。
[0182]
 波長制御部6は、目標波長λtの値と波長モニタ60により検出された第3の波長λ3の値との差δλから、以下の式のように、目標周波数fとの差δfを計算してもよい(ステップS181)。
 δf=(c/λ3 2)・δλ
 ここで、cは光速であってもよい。
[0183]
 次に、波長制御部6は、目標周波数fとの差δfから、以下の式のように、設定波長λ1bと第1-2の半導体レーザ20Bの目標波長との差δλ1bを計算してもよい(ステップS182)。
 δλ1b=(λ1b 2/c)・δf
[0184]
 次に、波長制御部6は、以下の式のように、第1-2の半導体レーザ20Bの設定波長λ1bを計算してもよい(ステップS183)。
 λ1b=λ1b+δλ1b
[0185]
 次に、波長制御部6は、第1-2の半導体レーザ20Bに設定波長λ1bのデータを送信し(ステップS184)、図13のメインのフローに戻ってもよい。
[0186]
 図16は、図6に示したフローチャートにおけるステップS145の処理を、図12に示した露光装置用レーザ装置に適用する場合のフローチャートである。
[0187]
 本実施の形態において、図13に示したメインのフローチャートにおけるステップS108の処理の詳細は、図6に示したサブのフローチャートの処理と略同様であってもよい。ただし、ステップS145の処理として、図16に示すサブのフローチャートの処理を行ってもよい。
[0188]
 波長制御部6は、目標波長λtから、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2をテーブルデータから計算してもよい(ステップS191)。波長制御部6は、目標波長λtとCLBO結晶19への入射光の入射角度θ2との関係を、テーブルデータとしてあらかじめ図示しない記憶部に記憶しておいてもよい。
[0189]
 次に、波長制御部6は、回転ステージ195を入射角度θ2となるように制御してもよい(ステップS192)。
[0190]
 次に、波長制御部6は、回転ステージ195を、入射角度θ2付近で変化させながら、光センサ96の検出値を複数取得してもよい(ステップS193)。次に、波長制御部6は、以下の式のように、光センサ96の検出値が極小の時の入射角度θ2minを求めてもよい(ステップS194)。
 θ2=θ2min
[0191]
 次に、波長制御部6は、回転ステージ195を、入射角度θ2となるように制御し(ステップS195)、図13のメインのフローに戻ってもよい。
 波長制御部6は、以上のステップS193~S195の処理によって、CLBO結晶19への入射光の入射角度θ2の最適化をしてもよい。
[0192]
(5.3 作用)
 本実施形態の露光装置用レーザ装置によれば、目標波長λtの値と波長モニタ60で検出された第3の波長λ3の値との差δλの絶対値が、所定の値δλ1以下の場合は、第1-2の半導体レーザ20Bの設定波長λ1bが制御され得る。所定の値を超えた場合は、第2の半導体レーザ40の設定波長λ2が制御され得る。これによって、第3のパルスレーザ光71Cの第3の波長λ3が目標波長λtに近づき得る。
[0193]
 さらに、所定の値δλ1以下では高速で第3の波長λ3が目標波長λtに近づき、所定の値δλ1を超える範囲でも高い変換効率で、第3のパルスレーザ光71Cが出力され得る。本実施形態によれば、図2の実施形態に比べて、CLBO結晶18への入射光の入射角度θ1の最適化を行わなくても、高い波長変換効率を維持し得る。
[0194]
[6.波長可変半導体レーザ]
 次に、上記した第1の半導体レーザ20及び第1-2の半導体レーザ20B、並びに第2の半導体レーザ40として適用可能な波長可変半導体レーザの具体的な構成例を説明する。
 なお、以下では上記比較例、又は上記第1ないし第3の実施形態に係る露光装置用レーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
[0195]
(6.1 ファイン波長可変半導体レーザ)
(6.1.1 構成)
 まず、図17を参照して、上記した第1の半導体レーザ20及び第1-2の半導体レーザ20Bとして適用可能なファイン波長可変半導体レーザの具体的な構成例を説明する。
[0196]
 外部共振器半導体レーザは、周波数変化が20GHz以内であれば、モードホップなしで、発振波長を制御し得る。なお、外部共振器半導体レーザに関しては、例えば、米国特許第7970024号明細書、及び米国特許第8416831号明細書に記載された技術を適用可能である。
[0197]
 ファイン波長可変半導体レーザは、外部共振器半導体レーザであってもよい。
外部共振器半導体レーザは、半導体レーザ制御部110と、半導体素子111と、温度センサ112と、ペルチェ素子113と、電流制御部114と、温度制御部115と、ピエゾ素子116と、ピエゾ素子付回転ステージ117とを含んでいてもよい。外部共振器半導体レーザはさらに、ピエゾ電源118と、コリメータレンズ119と、グレーティング120と、グレーティングホルダ121と、ステアリングミラー122と、マイクロメータ123と、ピン124と、反力ばね125とを含んでいてもよい。
[0198]
 半導体レーザ制御部110には、波長制御部6から設定波長λnのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。ピエゾ電源118には、半導体レーザ制御部110から電圧値Vnのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。電流制御部114には、半導体レーザ制御部110から電流値Inのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。温度制御部115には、半導体レーザ制御部110から設定温度Tnのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。
[0199]
 グレーティング120は、1次の回折光の回折角と入射角度とが一致するリトロー配置で、半導体素子111の出力側にコリメータレンズ119を介して配置されていてもよい。グレーティング120は、グレーティングホルダ121を介して、グレーティング120への入射角度が変化するように、ピエゾ素子付回転ステージ117に固定されていてもよい。
[0200]
 ステアリングミラー122は、ミラー面がグレーティング120の回折面と略平行となるように、図示しないホルダを介して配置されてもよい。
[0201]
 半導体素子111には、温度センサ112とペルチェ素子113とが固定されていてもよい。
[0202]
(6.1.2 動作)
 半導体レーザ制御部110は、あらかじめ、ファインの波長領域でレーザ発振することとなるように、ピエゾ素子付回転ステージ117の回転角度と、半導体素子111の温度とを制御しておいてもよい。
[0203]
 半導体レーザ制御部110は、モードホップが発生しないような、設定波長λと半導体素子111に流れる電流値Iとピエゾ素子116に印加する電圧値Vとの関係をテーブルデータとしてあらかじめ記憶しておいてもよい。
[0204]
 半導体レーザ制御部110は、波長制御部6から設定波長λnのデータを受信すると、上記テーブルデータから、半導体素子111に流す電流値Inとピエゾ素子116に印加する電圧値Vnとを計算してもよい。
[0205]
 半導体レーザ制御部110は、半導体素子111に流す電流値Inのデータを電流制御部114に送信してもよい。半導体レーザ制御部110はまた、グレーティング120の回転角度を制御するピエゾ素子116の電圧値Vnのデータを、ピエゾ電源118に送信してもよい。
[0206]
 ピエゾ素子116によって、グレーティング120への入射角度が変化し、かつ、半導体素子111に流れる電流によって半導体の活性層での屈折率が変化し得る。その結果、モードホップの発生を抑制しつつ、半導体レーザの発振波長は高速で設定波長λnに近づき得る。そして、グレーティング120の0次光が出力され、ステアリングミラー122によって、外部にCWのレーザ光が出力され得る。
[0207]
(6.2 コース波長可変半導体レーザ)
(6.2.1 構成)
 次に、図18を参照して、第2の半導体レーザ40として適用可能なコース波長可変半導体レーザの具体的な構成例を説明する。
[0208]
 分布帰還半導体レーザは、半導体素子の温度を制御することで略1.2THzの周波数の範囲の周波数をモードホップすることなしに制御し得る。
[0209]
 コース波長可変半導体レーザは、分布帰還半導体レーザであってもよい。分布帰還半導体レーザは、半導体レーザ制御部130と、半導体素子131と、温度センサ132と、ペルチェ素子133と、温度制御部134と、電流制御部135とを含んでいてもよい。
[0210]
 半導体レーザ制御部130には、波長制御部6から設定波長λnのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。電流制御部135には、半導体レーザ制御部130から電流値Inのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。温度制御部134には、半導体レーザ制御部130から設定温度Tnのデータを受信する信号ラインが設けられていてもよい。
[0211]
(6.2.2 動作)
 図19は、図18に示したコース波長可変半導体レーザにおける半導体素子131の温度と発振波長との関係の一例を示す。図19において、横軸は発振波長、縦軸は温度であってもよい。
[0212]
 半導体レーザ制御部130は、図19に示す設定温度Tnと設定波長λnとの関係式、例えば、Tn=a・λn+bを、あらかじめ記憶しておいてもよい。a、bは、半導体素子131によって決まる定数であってもよい。半導体レーザ制御部130は、波長制御部6から設定波長λnのデータを受信すると、上記関係式から半導体素子131の設定温度Tnを求めて、温度制御部134に設定温度Tnのデータを送信してもよい。
[0213]
 温度制御部134は、半導体素子131の温度が設定温度Tnに近づくように、温度センサ132の検出値に基づいてペルチェ素子133に流す電流を制御してもよい。
[0214]
 半導体レーザ制御部130はまた、半導体素子131に流す電流値Inが、所定の電流値、例えば図19の関係式から計算された電流値となるように電流制御部135に電流値Inのデータを送信してもよい。その結果、半導体素子131から設定波長TnのCWのレーザ光が出力され得る。
[0215]
[7.波長モニタ]
 次に、上記した波長モニタ60の具体的な構成例を説明する。なお、図10における第1及び第2の波長モニタ60A,60Bも略同様の構成であってもよい。
[0216]
(7.1 構成)
 図20は、波長モニタ60の具体的な構成例を示している。図20には、波長モニタ60における分光器61を、モニタエタロン分光器とした場合の構成例を模式的に示している。
[0217]
 分光器61は、拡散素子63と、モニタエタロン64と、集光レンズ65と、イメージセンサ66とを備えてもよい。イメージセンサ66は、フォトダイオードアレイであってもよい。
[0218]
(7.2 動作)
 ビームスプリッタ62で反射されたレーザビームは、まず、拡散素子63に入射してもよい。拡散素子63は、入射したレーザビームを散乱させてもよい。この散乱光は、モニタエタロン64に入射してもよい。モニタエタロン64を透過したレーザビームは、集光レンズ65に入射してもよい。レーザビームは集光レンズ65を透過して、その焦点面上に干渉縞が生成され得る。
[0219]
 イメージセンサ66は、集光レンズ65の焦点面に配置されてもよい。集光レンズ65によって集光された透過光は、イメージセンサ66に干渉縞を生成させ得る。イメージセンサ66は、発生した干渉縞を検出してもよい。この干渉縞の半径の2乗は、レーザビームの波長と比例関係であり得る。そのため、検出した干渉縞からレーザビーム全体のスペクトルプロファイルとしてのスペクトル線幅と中心波長とを検出し得る。スペクトル線幅と中心波長は、検出した干渉縞から図示しない情報処理装置によって求めてもよいし、波長制御部6で算出してもよい。
[0220]
 イメージセンサ66での検出波長λは、以下の式で求められ得る。
 λ=λc+αrm 2
ただし、
 α:比例定数、
 rm:干渉縞の半径、
 λc:干渉縞の中央の光強度が最大となった時の波長
とする。
 ここで、イメージセンサ66で検出される干渉縞にスペックルが発生して、干渉縞を高精度に計測できない場合があり得る。このような場合は、拡散素子63を回転させたり、振動させたりしながら、複数パルスの積算された干渉縞をイメージセンサ66で計測することによって、スペックルが低減された干渉縞を計測し得る。
[0221]
 図21は、図20に示した波長モニタ60で検出される干渉縞の位置と光強度との関係の一例を示す。横軸は干渉縞の位置、縦軸は光強度であってもよい。
[0222]
 図21及び以下の式に示したように、干渉縞の半径rmの2乗は、干渉縞の光強度の半値Imax/2の位置の内側の半径r1の2乗と外側の半径r2の2乗との平均値から計算してもよい。
 rm 2=(r1 2+r2 2)/2
[0223]
[8.制御部のハードウエア環境]
 当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
[0224]
 図22は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図22の例示的なハードウエア環境100は、処理ユニット1000と、ストレージユニット1005と、ユーザインターフェイス1010と、パラレルI/Oコントローラ1020と、シリアルI/Oコントローラ1030と、A/D、D/Aコンバータ1040とを含んでもよいが、ハードウエア環境100の構成は、これに限定されない。
[0225]
 処理ユニット1000は、中央処理ユニット(CPU)1001と、メモリ1002と、タイマ1003と、画像処理ユニット(GPU)1004とを含んでもよい。メモリ1002は、ランダムアクセスメモリ(RAM)とリードオンリーメモリ(ROM)とを含んでもよい。CPU1001は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、CPU1001として使用されてもよい。
[0226]
 図22におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
[0227]
 動作において、処理ユニット1000は、ストレージユニット1005に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット1000は、ストレージユニット1005からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット1000は、ストレージユニット1005にデータを書き込んでもよい。CPU1001は、ストレージユニット1005から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ1002は、CPU1001によって実行されるプログラム及びCPU1001の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ1003は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってCPU1001に計測結果を出力してもよい。GPU1004は、ストレージユニット1005から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をCPU1001に出力してもよい。
[0228]
 パラレルI/Oコントローラ1020は、レーザ制御部3、波長制御部6、増幅器制御部30、充電器31、波長モニタ60、及び第1及び第2の波長モニタ60A,60B等の、処理ユニット1000と通信可能なパラレルI/Oデバイスに接続されてもよく、処理ユニット1000とそれらパラレルI/Oデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルI/Oコントローラ1030は、レーザ制御部3、露光装置制御部5、波長制御部6、及び同期回路部13等の、処理ユニット1000と通信可能な複数のシリアルI/Oデバイスに接続されてもよく、処理ユニット1000とそれら複数のシリアルI/Oデバイスとの間の通信を制御してもよい。A/D、D/Aコンバータ1040は、アナログポートを介して、各種センサや、光シャッタ23、半導体光増幅器41、及び半導体光増幅器44等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット1000とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のA/D、D/A変換を行ってもよい。
[0229]
 ユーザインターフェイス1010は、操作者が処理ユニット1000にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット1000によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
[0230]
 例示的なハードウエア環境100は、本開示におけるレーザ制御部3、及び波長制御部6等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、レーザ制御部3、及び波長制御部6等を統括制御する図示しない露光装置レーザ用制御部等は、イーサネット(登録商標)やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
[0231]
[9.その他]
 上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
[0232]
 本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「1つの」は、「少なくとも1つ」又は「1又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

請求の範囲

[請求項1]
 第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、
 第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、
 前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とが入射し、前記第1の波長と前記第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、
 前記第3の波長の値を検出する波長検出部と、
 目標波長の値と前記波長検出部により検出された前記第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、前記第1の固体レーザ装置を制御して前記第1の波長を変化させ、前記所定の値を超えた場合は、前記第2の固体レーザ装置を制御して前記第2の波長を変化させる波長制御部と
 を備える固体レーザシステム。
[請求項2]
 前記波長検出部は、
 前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた波長モニタ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項3]
 前記波長検出部は、
 前記第1のシード光の光路上に設けられた第1の波長モニタと、
 前記第2のシード光の光路上に設けられた第2の波長モニタと、
 前記第1の波長モニタの計測値と前記第2の波長モニタの計測値とから前記第3の波長の値を演算する演算部と
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項4]
 前記第1の固体レーザ装置における前記第1の波長の波長可変範囲は、前記第2の固体レーザ装置における前記第2の波長の波長可変範囲よりも小さい
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項5]
 前記第1の波長は前記第2の波長よりも短い
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項6]
 前記第1の固体レーザ装置における波長可変速度は、前記第2の固体レーザ装置における波長可変速度よりも高速である
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項7]
 前記第1の固体レーザ装置は、
 前記第1のシード光の光路上に設けられた非線形結晶
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項8]
 前記第1の固体レーザ装置は、第1のシード光を出力する外部共振器半導体レーザ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項9]
 前記第2の固体レーザ装置は、第2のシード光を出力する分布帰還半導体レーザ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項10]
 前記波長変換システムは、
 第1及び第2の入射光に基づいて波長変換された所定の波長の変換光を出力する非線形結晶と、
 前記第1及び第2の入射光の前記非線形結晶への入射角度を変化させる回転機構と
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[請求項11]
 前記非線形結晶は、前記所定の波長とは異なる波長の光をも出力するものであり、
 さらに、
 前記所定の波長とは異なる波長の前記光の光路上に設けられた光検出器と、
 前記光検出器による、前記所定の波長とは異なる波長の前記光の検出値がより小さくなるように前記回転機構を制御する回転制御部と
 をさらに備える
 請求項10に記載の固体レーザシステム。
[請求項12]
 前記変換光の光路上に設けられた光検出器と、
 前記光検出器の検出値がより大きくなるように前記回転機構を制御する回転制御部と
 をさらに備える
 請求項10に記載の固体レーザシステム。
[請求項13]
 第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、
 第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、
 前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とが入射し、前記第1の波長と前記第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、
 前記第3の波長の値を検出する波長検出部と、
 目標波長の値と前記波長検出部により検出された前記第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、前記第1の固体レーザ装置を制御して前記第1の波長を変化させ、前記所定の値を超えた場合は、前記第2の固体レーザ装置を制御して前記第2の波長を変化させる波長制御部と、
 前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた増幅器と
 を備える露光装置用レーザ装置。
[請求項14]
 前記波長検出部は、
 前記増幅器によって増幅された前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた波長モニタ
 を含む
 請求項13に記載の露光装置用レーザ装置。

補正された請求の範囲(条約第19条)
[ 2016年2月17日 ( 17.02.2016 )  国際事務局受理 ]

[1]
 第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、
 第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、
 前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とが入射し、前記第1の波長と前記第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、
 前記第3の波長の値を検出する波長検出部と、
 目標波長の値と前記波長検出部により検出された前記第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、前記第1の固体レーザ装置を制御して前記第1の波長を変化させ、前記所定の値を超えた場合は、前記第2の固体レーザ装置を制御して前記第2の波長を変化させる波長制御部と
 を備える固体レーザシステム。
[2]
 前記波長検出部は、
 前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた波長モニタ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[3]
 前記波長検出部は、
 前記第1のシード光の光路上に設けられた第1の波長モニタと、
 前記第2のシード光の光路上に設けられた第2の波長モニタと、
 前記第1の波長モニタの計測値と前記第2の波長モニタの計測値とから前記第3の波長の値を演算する演算部と
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[4]
 前記第1の固体レーザ装置における前記第1の波長の波長可変範囲は、前記第2の固体レーザ装置における前記第2の波長の波長可変範囲よりも小さい
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[5]
 前記第1の波長は前記第2の波長よりも短い
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[6]
 前記第1の固体レーザ装置における波長可変速度は、前記第2の固体レーザ装置における波長可変速度よりも高速である
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[7]
 前記第1の固体レーザ装置は、
 前記第1のシード光の光路上に設けられた非線形結晶
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[8]
 前記第1の固体レーザ装置は、第1のシード光を出力する外部共振器半導体レーザ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[9]
 前記第2の固体レーザ装置は、第2のシード光を出力する分布帰還半導体レーザ
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[10]
 前記波長変換システムは、
 第1及び第2の入射光に基づいて波長変換された所定の波長の変換光を出力する非線形結晶と、
 前記第1及び第2の入射光の前記非線形結晶への入射角度を変化させる回転機構と
 を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[11]
 前記非線形結晶は、前記所定の波長とは異なる波長の光をも出力するものであり、
 さらに、
 前記所定の波長とは異なる波長の前記光の光路上に設けられた光検出器と、
 前記光検出器による、前記所定の波長とは異なる波長の前記光の検出値がより小さくなるように前記回転機構を制御する回転制御部と
 をさらに備える
 請求項10に記載の固体レーザシステム。
[12]
 前記変換光の光路上に設けられた光検出器と、
 前記光検出器の検出値がより大きくなるように前記回転機構を制御する回転制御部と
 をさらに備える
 請求項10に記載の固体レーザシステム。
[13]
[補正後] 前記第1の固体レーザ装置における前記第1の波長の波長可変範囲は、波長257.5nmを含み、
 前記第2の固体レーザ装置における前記第2の波長の波長可変範囲は、波長1554nmを含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[14]
[補正後] 前記波長変換システムは、CLBO結晶を含む
 請求項1に記載の固体レーザシステム。
[15]
[追加] 第1のシード光に基づいて生成された第1の波長の第1のパルスレーザ光を出力する第1の固体レーザ装置と、
 第2のシード光に基づいて生成された第2の波長の第2のパルスレーザ光を出力する第2の固体レーザ装置と、
 前記第1のパルスレーザ光と前記第2のパルスレーザ光とが入射し、前記第1の波長と前記第2の波長とから波長変換された第3の波長の第3のパルスレーザ光を出力する波長変換システムと、
 前記第3の波長の値を検出する波長検出部と、
 目標波長の値と前記波長検出部により検出された前記第3の波長の値との差の絶対値が所定の値以下の場合は、前記第1の固体レーザ装置を制御して前記第1の波長を変化させ、前記所定の値を超えた場合は、前記第2の固体レーザ装置を制御して前記第2の波長を変化させる波長制御部と、
 前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた増幅器と
 を備える露光装置用レーザ装置。
[16]
[追加] 前記波長検出部は、
 前記増幅器によって増幅された前記第3のパルスレーザ光の光路上に設けられた波長モニタを含む
 請求項15に記載の露光装置用レーザ装置。
[17]
[追加] 前記第1の固体レーザ装置における前記第1の波長の波長可変範囲は、波長257.5nmを含み、
 前記第2の固体レーザ装置における前記第2の波長の波長可変範囲は、波長1554nmを含む
 請求項15に記載の露光装置用レーザ装置。
[18]
[追加] 前記波長変換システムは、CLBO結晶を含む
 請求項15に記載の露光装置用レーザ装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]