Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2016138781 - LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ ZH ]

权利要求书

[权利要求 1] 发光二极管,包括:

发光外延叠层,具有相对的第一表面和第二表面,包含 n型半导体层 、发光层和 p型半导体层;

透光性介电层,位于所述发光外延叠层的第二表面上,并直接与所述 发光外延叠层接触,其内部具有导电通孔;

透光性导电层,位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表 面上;

金属反射层,位于所述透光性导电层之远离所述透光性介电层的一侧 表面上;

所述透光性介电层的折射率均小于所述发光外延叠层、透光性导电层 的折射率,所述发光外延叠层、透光性介电和透光性导电层构成一增 强反射系统。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述发光外延叠层

、透光性介电层、透光性导电层的折射率分别为 rl、 r2和 r3,其关系 为: r2<r3<rl。

[权利要求 3] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述发光外延叠层 的第二表面的粗糙度小于第一表面的粗糙度。

[权利要求 4] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述发光外延叠层 的第二表面为 n型半导体层一侧表面。

[权利要求 5] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述透光性介电层 中惨杂有受热可产生气体的发泡粒子。

[权利要求 6] 根据权利要求 5所述的发光二极管,其特征在于:所述发泡粒子选自

CaC0 3、 BaC0 3、 Ca (HC03) 2、 Na 2C0 3、 NaHC0 3中的一种或其 组合。

[权利要求 7] 根据权利要求 5所述的发光二极管,其特征在于:所述发泡粒子分布 在透光性介电性中靠近发光外延叠层的一侧。

[权利要求 8] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述透光性导电层 具有粘附作用。

[权利要求 9] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述透光性导电层 为采用溅射形成的 ITO层。

[权利要求 10] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述透光性导电层 的厚度为 10~100埃。

[权利要求 11] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述透光性导电层 以分子状态呈现,呈颗粒状分布在所述透光性介电层上。

[权利要求 12] 根据权利要求 1所述的发光二极管,其特征在于:所述发光外延叠层 的第一表面具有一系列蜂窝构造的粗化图案,所述蜂窝构造呈正六边 形分布。

[权利要求 13] 发光二极管的制作方法,包括步骤:

1)在一生长衬底上形成发光外延叠层,其依次至少包括 n型半导体层 、发光层和 p型半导体层;

2)在发光外延叠层的 p侧表面上制作电极,并作退火处理,形成欧姆 接触;

3)在发光外延叠层的 p侧表面上键合一临吋基板;

4)去除生长衬底,露出 n侧表面;

5)在发光外延叠层的 n侧表面上依次形成透光导电层、金属反射层, 并进行退火处理形成欧姆接触;

6)在金属反射层上键合一基板,并去除临吋基板。