WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016106252) SOLAR CELLS WITH IMPROVED LIFETIME, PASSIVATION AND/OR EFFICIENCY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/106252    International Application No.:    PCT/US2015/067220
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 21.12.2015
IPC:
H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), H01L 31/14 (2006.01)
Applicants: SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventors: SMITH, David D.; (US).
DENNIS, Tim; (US).
TABAJONDA, Russelle De Jesus; (PH)
Agent: VINCENT, Lester J.; (US)
Priority Data:
14/579,935 22.12.2014 US
Title (EN) SOLAR CELLS WITH IMPROVED LIFETIME, PASSIVATION AND/OR EFFICIENCY
(FR) CELLULES SOLAIRES AYANT UNE DURÉE DE VIE, UNE PASSIVATION ET/OU UNE EFFICACITÉ AMÉLIORÉES
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a solar cell can include forming a dielectric region on a silicon substrate. The method can also include forming an emitter region over the dielectric region and forming a dopant region on a surface of the silicon substrate. In an embodiment, the method can include heating the silicon substrate at a temperature above 900 degrees Celsius to getter impurities to the emitter region and drive dopants from the dopant region to a portion of the silicon substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer une cellule solaire, ledit procédé pouvant consister à former une région diélectrique sur un substrat de silicium. Le procédé peut également consister à former une région émettrice par-dessus la région diélectrique et à former une région dopante sur une surface du substrat de silicium. Selon un mode de réalisation, le procédé peut consister à chauffer le substrat de silicium à une température supérieure à 900 degrés Celsius pour éliminer les impuretés de la région émettrice et conduire des dopants de la région dopante jusqu'à une partie du substrat de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)