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1. (WO2016106197) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS ARRANGED IN A PATTERN TO REDUCE INDUCTANCE, AND RELATED METHODS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/106197    International Application No.:    PCT/US2015/067052
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 21.12.2015
Chapter 2 Demand Filed:    18.10.2016    
IPC:
H01L 27/08 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: YUN, Changhan, Hobie; (US).
LAN, Je-Hsiung, Jeffrey; (US).
KIM, Daeik, Daniel; (US).
BERDY, David, Francis; (US).
ZUO, Chengjie; (US).
KIM, Jonghae; (US).
MUDAKATTE, Niranjan, Sunil; (US).
VELEZ, Mario, Francisco; (US).
MIKULKA, Robert, Paul; (US)
Agent: TERRANOVA, Steven, N.; (US).
AYCOCK, Bradley, R.; (US).
AYCOCK, Bradley, R.; Withrow & Terranova, PLLC 106 Pinedale Springs Way Cary, NC 27511 (US)
Priority Data:
14/580,900 23.12.2014 US
Title (EN) METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITORS ARRANGED IN A PATTERN TO REDUCE INDUCTANCE, AND RELATED METHODS
(FR) CONDENSATEURS MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) DISPOSÉS SELON UNE CERTAINE CONFIGURATION AFIN DE RÉDUIRE L'INDUCTANCE, ET PROCÉDÉS CONNEXES
Abstract: front page image
(EN)Metal-insulator-metal (MIM) capacitors arranged in a pattern to reduce inductance, and related methods, are disclosed. In one aspect, circuits are provided that employ MIM capacitors coupled in series. The MIM capacitors are arranged in a pattern, wherein a MIM capacitor is placed so as to be electromagnetically adjacent to at least two MIM capacitors, and so that a current of the MIM capacitor flows in a direction opposite or substantially opposite of a direction in which a current of each adjacent MIM capacitor flows. The magnetic field generated at metal connections of each MIM capacitor rotates in an opposite direction of the magnetic field of each electromagnetically adjacent MIM capacitor, and thus a larger proportion of magnetic fields cancel out one another rather than combining, reducing equivalent series inductance (ESL) compared to linear arrangement of MIMs.
(FR)La présente invention a trait à des condensateurs métal-isolant-métal (MIM) disposés selon une certaine configuration afin de réduire l'inductance, ainsi qu'à des procédés connexes. Selon un aspect, la présente invention concerne des circuits qui utilisent des condensateurs MIM couplés en série. Ces condensateurs MIM sont disposés selon une certaine configuration, un condensateur MIM étant placé de façon à être adjacent électromagnétiquement à au moins deux condensateurs MIM, et de sorte que le courant du condensateur MIM circule dans une direction opposée ou sensiblement opposée à une direction dans laquelle le courant de chaque condensateur MIM adjacent circule. Le champ magnétique généré à l'emplacement des connexions métalliques de chaque condensateur MIM tourne dans une direction opposée à celle du champ magnétique de chaque condensateur MIM adjacent électromagnétiquement, et une plus grande proportion de champs magnétiques s'annulent ainsi les uns les autres au lieu de se combiner, ce qui permet de réduire l'inductance-série équivalente (ESL) par rapport à un agencement linéaire des MIM.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)