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1. (WO2016106153) PIEZOELECTRIC MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS WITH LOW STRESS SENSITIVITY AND METHODS OF FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/106153    International Application No.:    PCT/US2015/066906
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 18.12.2015
IPC:
B06B 1/06 (2006.01), A61B 8/00 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01)
Applicants: CHIRP MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 2070 Allston Way, Suite 300 Berkeley, California 94704-1484 (US)
Inventors: GUEDES, Andre; (US).
PRZYBYLA, Richard; (US).
SHELTON, Stefon; (US).
KIANG, Meng-Hsiung; (US).
HORSLEY, David; (US)
Agent: ISENBERG, Joshua D.; (US)
Priority Data:
62/095,048 21.12.2014 US
Title (EN) PIEZOELECTRIC MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS WITH LOW STRESS SENSITIVITY AND METHODS OF FABRICATION
(FR) TRANSDUCTEURS ULTRASONIQUES MICRO-USINÉS PIÉZOÉLECTRIQUES À SENSIBILITÉ RÉDUITE À LA CONTRAINTE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (pMUT) device may include a piezoelectric membrane transducer designed to have lower sensitivity to residual stress and reduced sensitivity to geometric variations arising from the backside etching process used to release the membrane. These designs allow some of its key feature to be adjusted to achieve desired characteristics, such as pressure sensitivity, natural frequency, stress sensitivity, and bandwidth.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de transducteur ultrasonique micro-usiné piézoélectrique (pMUT) pouvant comprendre un transducteur à membrane piézoélectrique conçu de manière à avoir une sensibilité inférieure à une contrainte résiduelle et une sensibilité réduite aux variations géométriques provenant du procédé de gravure de côté arrière utilisé pour libérer la membrane. Ces conceptions permettent à certaines de ses caractéristiques clés d'être réglées de façon à obtenir des caractéristiques souhaitées, telles que la sensibilité à la pression, la fréquence naturelle, la sensibilité à la contrainte, et la largeur de bande.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)