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1. (WO2016106092) PATTERNING A SUBSTRATE USING GRAFTING POLYMER MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/106092    International Application No.:    PCT/US2015/066462
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 17.12.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventors: DEVILLIERS, Anton J.; (US).
SMITH, Jeffrey; (US)
Agent: MATHER, Joshua D.; (US)
Priority Data:
62/095,365 22.12.2014 US
Title (EN) PATTERNING A SUBSTRATE USING GRAFTING POLYMER MATERIAL
(FR) FORMATION DE MOTIFS SUR UN SUBSTRAT À L'AIDE D'UN MATÉRIAU POLYMÈRE DE GREFFAGE
Abstract: front page image
(EN)Patterning methods for creating sub-resolution trenches, contact openings, lines, and other structures at smaller dimensions as compared to using conventional self-aligned multiple patterning and sequential litho-etch deposition patterning approaches. Techniques herein include patterning using a grafting polymer material that has been modified to provide little or no etch resistance (fast etching). The grafting polymer material is deposited as spacer material on a substrate having mandrels. The spacer material selectively adheres to mandrel surfaces without adhering to exposed portions of an underlying layer. The spacer material also adheres up to a specific length so that sidewall spacers are formed. Openings between spacers are filled with a filler material, and then the sidewall spacers, made of the grafting material, are etched thereby creating antispacers. Etch transfer to a memorization layer and/or using additional relief patterns can be incorporated for creating various features.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation de motifs permettant de créer des tranchées à sous-résolution, des ouvertures de contact, des lignes, et d'autres structures à des dimensions plus petites par rapport à l'utilisation de multiples approches de formation de motifs auto-alignée et de formation de motifs séquentielle par dépôt de lithogravure. Les techniques de la présente invention consistent à former des motifs à l'aide d'un matériau polymère de greffage qui a été modifié de manière à produire peu ou pas de résistance à la gravure (gravure rapide). Le matériau polymère de greffage est déposé en tant que matériau espaceur sur un substrat équipé de mandrins. Le matériau espaceur adhère de manière sélective à des surfaces des mandrins sans adhérer à des parties exposées d'une couche sous-jacente. Le matériau espaceur adhère également jusqu'à une longueur spécifique de telle sorte que des pièces d'écartement de paroi latérale soient formées. Des ouvertures entre les pièces d'écartement sont remplies avec un matériau de remplissage et, ensuite, les pièces d'écartement de paroi latérale, composées du matériau de greffage, sont gravées par attaque chimique, ce qui permet de créer des contre-pièces d'écartement. Un transfert de gravure à une couche de mémorisation et/ou à l'aide d'autres motifs en relief peut être incorporé pour créer diverses caractéristiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)