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1. (WO2016105750) PHASE-CHANGE MEMORY CELL IMPLANT FOR DUMMY ARRAY LEAKAGE REDUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105750    International Application No.:    PCT/US2015/061974
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 20.11.2015
IPC:
H01L 45/02 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LIU, Lequn J.; (US).
RUSSO, Ugo; (US).
HINEMAN, Max F.; (US)
Agent: RASKIN, Vladimir; (US)
Priority Data:
14/581,921 23.12.2014 US
Title (EN) PHASE-CHANGE MEMORY CELL IMPLANT FOR DUMMY ARRAY LEAKAGE REDUCTION
(FR) IMPLANT DE CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE POUR RÉDUCTION DES FUITES DE TABLEAUX FACTICES
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction. In an embodiment, an apparatus includes a plurality of phase-change memory (PCM) elements, wherein individual PCM elements of the plurality of PCM elements are dummy cells including a bottom electrode layer, a select device layer disposed on the bottom electrode layer, a middle electrode layer disposed on the select device layer, a phase-change material layer disposed on the middle electrode layer, and a top electrode layer disposed on the phase-change material layer, wherein the phase-change material layer is doped with an impurity to reduce cell leakage of the dummy cells. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)La présente invention concerne, dans certains de ses modes de réalisation, un implant de cellule de mémoire à changement de phase destiné à réduire les fuites de tableaux factices. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend une pluralité d'éléments de mémoire à changement de phase (PCM), des éléments de PCM individuels de la pluralité de éléments de PCM étant des cellules factices comprenant une couche d'électrode inférieure, une couche de dispositif de sélection disposée sur la couche d'électrode inférieure, une couche d'électrode médiane disposée sur la couche de dispositif de sélection, une couche de matériau à changement de phase disposée sur la couche d'électrode médiane, et une couche d'électrode supérieure disposée sur la couche de matériau à changement de phase, la couche de matériau à changement de phase étant dopée avec une impureté pour réduire les fuites de cellules des cellules factices. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)