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1. (WO2016105658) STACKED SEMICONDUCTOR CHIP RGBZ SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105658    International Application No.:    PCT/US2015/057812
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 28.10.2015
IPC:
H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/043 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: GOOGLE INC. [US/US]; 1600 Amphitheatre Parkway Mountain View, California 94043 (US)
Inventors: WAN, Chung Chun; (US)
Agent: CLAASSEN, Cory G.; (US)
Priority Data:
14/579,882 22.12.2014 US
Title (EN) STACKED SEMICONDUCTOR CHIP RGBZ SENSOR
(FR) CAPTUER RGBZ À PUCE EN SEMICONDUCTEUR EMPILÉE
Abstract: front page image
(EN)An apparatus is described that includes a first semiconductor chip having a first pixel array. The first pixel array has visible light sensitive pixels. The apparatus includes a second semiconductor chip having a second pixel array. The first semiconductor chip is stacked on the second semiconductor chip such that the second pixel array resides beneath the first pixel array. The second pixel array has IR light sensitive pixels for time-of-flight based depth detection.
(FR)L'invention concerne un appareil qui comprend une première puce en semiconducteur ayant un premier réseau de pixels. Le premier réseau de pixels comprend des pixels sensibles à la lumière visible. L'appareil comprend une deuxième puce en semiconducteur ayant un deuxième réseau de pixels. La première puce en semiconducteur est empilée sur la deuxième puce en semiconducteur de telle sorte que le deuxième réseau de pixels se trouve au-dessous du premier réseau de pixels. Le deuxième réseau de pixels comprend des pixels sensibles à la lumière IR destinés à une détection de profondeur basée sur le temps de vol.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)