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1. (WO2016105424) CMOS VARACTOR WITH INCREASED TUNING RANGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105424    International Application No.:    PCT/US2014/072394
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 24.12.2014
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 MIssion College Boulevard. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: EL-TANANI, Mohammed; (US).
PACKAN, Paul; (US).
WIEDEMER, Jami; (US).
MEZHIBA, Andrey; (US).
FAN, Yonping; (US)
Agent: LINDEEN, Gordon; (US)
Priority Data:
Title (EN) CMOS VARACTOR WITH INCREASED TUNING RANGE
(FR) DIODE À CAPACITÉ VARIABLE CMOS À PLAGE D'ACCORD ACCRUE
Abstract: front page image
(EN)A varactor is described that may be constructed in CMOS and has a high tuning range. In some embodiments, the varactor includes a well, a plurality of gates formed over the well and having a capacitive connection to the well, the gates comprising a first subset of the gates that are adjacent and consecutive and coupled to a positive pole of an excitation oscillation signal, and a second subset of the gates that are adjacent and consecutive and coupled to a negative pole of the excitation oscillation signal, and a plurality of source/drain terminals formed over the well and having an ohmic connection to the well, each coupled to a respective gate to receive a control voltage to control the capacitance of the varactor.
(FR)L'invention concerne une diode à capacité variable qui peut être construite en technologie CMOS, et possède une grande plage d'accord. Dans certains modes de réalisation, la diode à capacité variable comprend un puits, une pluralité de grilles formées au-dessus du puits et ayant une connexion capacitive au puits, les grilles comprenant un premier sous-ensemble des grilles qui sont adjacentes et consécutives et couplées à un pôle positif d'un signal d'oscillation d'excitation, et un second sous-ensemble des grilles qui sont adjacentes et consécutives et couplées à un pôle négatif du signal d'oscillation d'excitation, et une pluralité de bornes de source/drain formées au-dessus du puits et ayant une connexion ohmique au puits, couplées chacune à une grille respective pour recevoir une tension de commande pour commander la capacité de la diode à capacité variable.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)