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1. (WO2016105423) NOVEL METHOD FOR CREATING ALTERNATE HARDMASK CAP INTERCONNECT STRUCTURE WITH INCREASED OVERLAY MARGIN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105423    International Application No.:    PCT/US2014/072393
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 24.12.2014
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BRISTOL, Robert L.; (US).
CHANDHOK, Manish; (US).
CHAWLA, Jasmeet S.; (US).
GSTREIN, Florian; (US).
HAN, Eungnak; (US).
HOURANI, Rami; (US).
SCHENKER, Richard E.; (US).
YOUNKIN, Todd R.; (US).
LIN, Kevin; (US)
Agent: BLANK, Eric S.; (US)
Priority Data:
Title (EN) NOVEL METHOD FOR CREATING ALTERNATE HARDMASK CAP INTERCONNECT STRUCTURE WITH INCREASED OVERLAY MARGIN
(FR) NOUVEAU PROCÉDÉ DE CRÉATION D'UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXION DE CAPUCHONS DE MASQUE DUR ALTERNÉS AYANT UNE PLUS GRANDE MARGE DE SUPERPOSITION
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention include an interconnect structure and methods of forming such structures. In an embodiment, the interconnect structure may include an interlayer dielectric (ILD) with a first hardmask layer over a top surface of the ILD. Certain embodiments include one or more first interconnect lines in the ILD and a first dielectric cap positioned above each of the first interconnect lines. For example a surface of the first dielectric cap may contact a top surface of the first hardmask layer. Embodiments may also include one or more second interconnect lines in the ILD arranged in an alternating pattern with the first interconnect lines. In an embodiment, a second dielectric cap is formed over a top surface of each of the second interconnect lines. For example, a surface of the second dielectric cap contacts a top surface of the first hardmask layer.
(FR)L'invention concerne des modes de réalisation qui comprennent une structure d'interconnexion et des procédés de formation de telles structures. Dans un mode de réalisation, la structure d'interconnexion peut comprendre une couche diélectrique intercalaire (ILD) dotée d'une première couche de masque dur sur une surface supérieure de l'ILD. Certains modes de réalisation comprennent une ou plusieurs premières lignes d'interconnexion dans l'ILD et un premier capuchon diélectrique positionné au-dessus de chacune des premières lignes d'interconnexion. Par exemple, une surface du premier capuchon diélectrique peut être en contact avec une surface supérieure de la première couche de masque dur. Des modes de réalisation peuvent également comprendre une ou plusieurs secondes lignes d'interconnexion dans l'ILD agencées dans un motif alterné avec les premières lignes d'interconnexion. Dans un mode de réalisation, un second capuchon diélectrique est formé sur une surface supérieure de chacune des secondes lignes d'interconnexion. Par exemple, une surface du second capuchon diélectrique est en contact avec une surface supérieure de la première couche de masque dur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)