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1. (WO2016105407) RESISTIVE MEMORY CELLS AND PRECURSORS THEREOF, METHODS OF MAKING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105407    International Application No.:    PCT/US2014/072330
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 24.12.2014
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95052 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MUKHERJEE, Niloy [IN/US]; (US) (US only).
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; (US) (US only).
MAJHI, Prashant [IN/US]; (US) (US only).
SHAH, Uday [NP/US]; (US) (US only).
ARCH, Ryan E. [US/US]; (US) (US only).
KUHN, Markus [CA/US]; (US) (US only).
BROCKMAN, Justin S. [US/US]; (US) (US only).
LIU, Huiying [US/US]; (US) (US only).
KARPOV, Elijah V. [US/US]; (US) (US only).
OGUZ, Kaan [TR/US]; (US) (US only).
DOYLE, Brian S. [IE/US]; (US) (US only).
CHAU, Robert S. [US/US]; (US) (US only)
Inventors: MUKHERJEE, Niloy; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
MAJHI, Prashant; (US).
SHAH, Uday; (US).
ARCH, Ryan E.; (US).
KUHN, Markus; (US).
BROCKMAN, Justin S.; (US).
LIU, Huiying; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
OGUZ, Kaan; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
CHAU, Robert S.; (US)
Agent: PFLEGER, Edmund P.; (US)
Priority Data:
Title (EN) RESISTIVE MEMORY CELLS AND PRECURSORS THEREOF, METHODS OF MAKING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE ET LEURS PRÉCURSEURS, LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION, ET DISPOSITIFS LES COMPRENANT
Abstract: front page image
(EN)Resistive memory cells, precursors thereof, and methods of making resistive memory cells are described. In some embodiments, the resistive memory cells are formed from a resistive memory precursor that includes a switching layer precursor containing a plurality of oxygen vacancies that are present in a controlled distribution therein, optionally without the use of an oxygen exchange layer. In these or other embodiments, the resistive memory precursors described may include a second electrode formed on a switching layer precursor, wherein the second electrode is includes a second electrode material that is conductive but which does not substantially react with oxygen. Devices including resistive memory cells are also described.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire résistive, leurs précurseurs, et des procédés de fabrication de cellules de mémoire résistive. Dans certains modes de réalisation, les cellules de mémoire résistive sont formées à partir d'un précurseur de mémoire résistive qui comprend un précurseur de couche de commutation contenant une pluralité de lacunes d'oxygène qui sont présentes dans une distribution commandée à l'intérieur de celui-ci, éventuellement sans utilisation d'une couche d'échange d'oxygène (OEL). Dans ces modes de réalisation ou d'autres, les précurseurs de mémoire résistive décrits peuvent comprendre une seconde électrode formée sur un précurseur de couche de commutation, la seconde électrode comprenant un matériau de seconde électrode qui est conducteur mais qui ne réagit sensiblement pas avec l'oxygène. Des dispositifs comprenant des cellules de mémoire résistive sont également décrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)