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1. (WO2016105400) DECOUPLED VIA FILL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105400    International Application No.:    PCT/US2014/072249
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 23.12.2014
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: SHUSTERMAN, Yuriy V.; (US).
GRIGGIO, Flavio; (US).
INDUKURI, Tejaswi K.; (US).
BRAIN, Ruth A.; (US)
Agent: MALONEY, Neil F.; (US)
Priority Data:
Title (EN) DECOUPLED VIA FILL
(FR) REMPLISSAGE DE TROUS D'INTERCONNEXION DÉCOUPLÉS
Abstract: front page image
(EN)Techniques are disclosed for providing a decoupled via fill. Given a via trench, a first barrier layer is conformally deposited onto the bottom and sidewalls of the trench. A first metal fill is blanket deposited into the trench. The non-selective deposition is subsequently recessed so that only a portion of the trench is filled with the first metal. The previously deposited first barrier layer is removed along with the first metal, thereby re-exposing the upper sidewalls of the trench. A second barrier layer is conformally deposited onto the top of the first metal and the now re-exposed trench sidewalls. A second metal fill is blanket deposited into the remaining trench. Planarization and/or etching can be carried out as needed for subsequent processing. Thus, a methodology for filling high aspect ratio vias using a dual metal process is provided. Note, however, the first and second fill metals may be the same.
(FR)La présente invention porte sur des techniques pour la fourniture d'un remplissage de trous d'interconnexion découplés. Étant donné une tranchée de trou d'interconnexion, une première couche barrière est déposée de façon conforme sur le fond et les parois latérales de la tranchée. Un premier remplissage de métal est déposé par dépôt par recouvrement dans la tranchée. Le dépôt non-sélectif est, par la suite, en retrait de telle sorte que seule une partie de la tranchée est remplie avec le premier métal. La première couche barrière déposée précédemment est enlevée conjointement avec le premier métal, ce qui permet de ré-exposer les parois latérales supérieures de la tranchée. Une seconde couche barrière est déposée de façon conforme sur la partie supérieure du premier métal et les parois latérales de tranchée ré-exposées. Un second remplissage de métal est déposé par recouvrement dans la tranchée restante. La planarisation et/ou gravure peut être effectuée selon les besoins pour un traitement ultérieur. Ainsi, la présente invention porte sur une méthodologie de remplissage de trous d'interconnexion à facteur de forme élevé utilisant un procédé à métal double. Il est à noter, cependant, que les premier et second métaux de remplissage peuvent être identiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)