WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016105229) LIGHT-EMITTING DIODE EMITTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105229    International Application No.:    PCT/RU2014/000979
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 24.12.2014
IPC:
H01L 33/30 (2010.01)
Applicants: LIMITED LIABILITY COMPANY "MICROSENSOR TECHNOLOGY" [RU/RU]; ul. Kurchatova, 10, liter A, pom. 1N St.Petersburg, 194223 (RU)
Inventors: ZHURTANOV, Bizhigit Erzhigitovich; (RU).
KIZHAEV, Sergei Sergeevich; (RU).
ASTAKHOVA, Anastasiia Pavlovna; (RU).
STOYANOV, Nikolay Deev; (RU)
Agent: NILOVA, Maria Innokentievna; PATENTICA a/ya 1125 St.Petersburg, 190000 (RU)
Priority Data:
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE EMITTER
(FR) DISPOSITIF RAYONNANT À LED
(RU) СВЕТОДИОДНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates, in general, to the field of semiconductor devices and, in particular, to a light-emitting diode emitter which is intended for radiation in a mid-infrared region of 1600-5000 nm and which contains light-emitting diode chips. A light-emitting diode emitter of a mid-infrared region of 1600-5000 nm is proposed, which contains a housing with at least four light-emitting diode chips based on primary heterostructures which have a substrate containing GaSb; an active layer, which is disposed above the substrate and which contains a solid solution of GaInAsSb; a restricting layer for localization of majority carriers, which is disposed above the active layer and which contains a solid solution of AlGaAsSb; a contact layer, which is disposed above the restricting layer and which contains GaSb; and a buffer layer, which contains a solid solution of GaInAsSb; and/or based on secondary heterostructures which have a substrate containing InAs; a barrier layer, which contains InSbP; and an active layer, which contains InAsSb(P) and which is disposed on the barrier layer or below same; wherein said at least four light-emitting diode chips are mounted directly on a single common substrate.
(FR)La présente invention se rapporte au domaine des dispositifs à semi-conducteur, et concerne notamment un dispositif rayonnant à LED servant à émettre un rayonnement dans la région infrarouge de 1600-5000 nm et contenant des puces à LED Ce dispositif rayonnant à LED émettant dans la région infrarouge de 1600-5000 nm comprend un corps avec au moins quatre puces à LED utilisant des premières hétéro-structures comprenant un substrat contenant du GaSb disposé au-dessus d'un substrat de couche active contenant une solution solide de GaInAsSb, une couche limite disposée au-dessus de la couche active pour la localisation des supports principaux contenant la solution solide de GaInAsSb, une couche de contact disposée au-dessus de la couche limite et contenant du GaSb, et une couche tampon contenant une solution solide de GaInAsSb, et/ou utilisant des des secondes hétéro-structures comprenant un substrat contenant du InAs, une couche barrière contenant du InSbP, et une couche active contenant du InAsSb(P) et disposée sur la couche barrière ou sous celle-ci, lesdites au moins quatre puces à LED étant montées directement sur un substrat commun.
(RU)Настоящее изобретение в целом относится к области полупроводниковых устройств и, в частности, к светодиодному излучателю, предназначенному для излучения в средней инфракрасной области 1600-5000 нм и содержащему светодиодные чипы. Предложен светодиодный излучатель средней инфракрасной области 1600-5000 нм, содержащий корпус по меньшей мере с четырьмя светодиодными чипами на основе первых гетероструктур, имеющих подложку, содержащую GaSb, расположенный над подложкой активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb, расположенный над активным слоем ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb, расположенный над ограничительным слоем контактный слой, содержащий GaSb, и буферный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb, и/или на основе вторых гетероструктур, имеющих подложку, содержащую InAs, барьерный слой, содержащий InSbP, и активный слой, содержащий InAsSb(P) и расположенный на барьерном слое или под ним, причем указанные по меньшей мере четыре светодиодных чипа смонтированы непосредственно на одной общей подложке.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)