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1. (WO2016105098) LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/105098    International Application No.:    PCT/KR2015/014123
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 22.12.2015
IPC:
H01L 33/12 (2010.01)
Applicants: SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 15609 (KR)
Inventors: PARK, Seung Chul; (KR).
AHN, Soon Ho; (KR).
KIM, Chae Hon; (KR)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239 (KR)
Priority Data:
10-2014-0186258 22.12.2014 KR
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A light emitting device is disclosed. The light emitting device includes a first conductive type semiconductor layer having an m-plane as a growth plane; a stacking fault suppression (SFS) layer; an active layer; and a second conductive type semiconductor layer, wherein the SFS layer has lower band-gap energy than the first nitride layer and the first nitride layer, and includes a stack structure in which a second nitride layer containing In is stacked in one or more cycles, and the second nitride layer includes a lower region and an upper region, which have a relationship satisfying Equation 1 ([Equation 1] 0.8≤RD<1.0, (RD = standard deviation of In atomic density of the upper region per unit volume (1 nm3)/standard deviation of In atomic density of the lower region per unit volume (1 nm3)).
(FR)L'invention porte sur un dispositif électroluminescent. Le dispositif électroluminescent comprend une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité ayant un plan m comme plan de croissance ; une couche de suppression de défauts d'empilement (SFS) ; une couche active ; et une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité. La couche SFS possède une plus faible énergie de bande interdite que la première couche de nitrure et la première couche de nitrure, et comprend une structure d'empilement dans laquelle une seconde couche de nitrure contenant In est empilée dans un ou plusieurs cycles, et la seconde couche de nitrure comprend une région inférieure et une région supérieure, qui ont une relation satisfaisant l'équation 1 ([Équation 1] 0,8 ≤ RD < 1,0, (RD = écart type de densité atomique d'In de la région supérieure par unité de volume (1 nm3)/écart type de densité atomique d'In de la région inférieure par unité de volume (1 nm3))).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)