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1. (WO2016104610) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104610    International Application No.:    PCT/JP2015/086039
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 24.12.2015
IPC:
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: TAKIGUCHI Yuu; (JP).
HIROSE Kazuyoshi; (JP).
KUROSAKA Yoshitaka; (JP).
SUGIYAMA Takahiro; (JP).
NOMOTO Yoshiro; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Priority Data:
2014-261094 24.12.2014 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF À LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor laser device is provided with: a semiconductor laser chip; and a spatial light modulator SLM that is optically coupled to the semiconductor laser chip. The semiconductor laser chip LDC is provided with: an active layer 4; a pair of cladding layers 2, 7 that sandwich the active layer 4; a diffraction grating layer 6 that is optically coupled to the active layer 4; and a drive electrode E3 that is arranged between the cladding layer 2 and the spatial light modulator SLM for the purpose of supplying an electric current to the active layer 4. The drive electrode E3 is within the XY plane and has a plurality of openings when viewed from the Z axis direction, while having a non-periodic structure.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à laser à semi-conducteur muni : d'une puce à laser à semi-conducteur; et d'un modulateur spatial de lumière (SLM) qui est couplé optiquement à ladite puce à laser à semi-conducteur. La puce à laser à semi-conducteur (LDC) est pourvue : d'une couche active (4); d'une paire de couches de revêtement (2, 7) qui prennent en sandwich la couche active (4); d'une couche de réseau de diffraction (6) qui est couplée optiquement à la couche active (4); et d'une électrode d'entraînement (E3) qui est disposée entre la couche de revêtement (2) et le modulateur spatial de lumière (SLM) dans le but de fournir un courant électrique à la couche active (4). L'électrode d'entraînement (E3) se situe à l'intérieur du plan XY et présente une pluralité d'ouvertures, vue depuis la direction de l'axe Z, tout en ayant une structure non périodique.
(JA) この半導体レーザ装置は、半導体レーザチップ及びこの半導体レーザチップに光学的に結合した空間光変調器SLMを備えている。半導体レーザチップLDCは、活性層4と、活性層4を挟む一対のクラッド層2,7と、活性層4に光学的に結合した回折格子層6と、クラッド層2と空間光変調器SLMとの間に配置され、活性層4に電流を供給するための駆動電極E3とを備え、駆動電極E3は、XY平面内に位置し、Z軸方向から見て、複数の開口を有しており、非周期構造を有している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)