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1. (WO2016104484) FIELD EMISSION DEVICE AND REFORMING TREATMENT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104484    International Application No.:    PCT/JP2015/085786
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 22.12.2015
IPC:
H01J 35/06 (2006.01), H01J 35/16 (2006.01), H05G 1/00 (2006.01), H05G 1/02 (2006.01)
Applicants: MEIDENSHA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416029 (JP)
Inventors: TAKAHASHI, Daizo; (JP).
FUKAI, Toshimasa; (JP).
TANIMIZU, Toru; (JP)
Agent: KOBAYASHI, Hiromichi; (JP)
Priority Data:
2014-262766 25.12.2014 JP
Title (EN) FIELD EMISSION DEVICE AND REFORMING TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF À ÉMISSION DE CHAMP ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE REFORMAGE
(JA) 電界放射装置および改質処理方法
Abstract: front page image
(EN)A vacuum chamber (1), wherein an emitter (3) and a target (7) are disposed so as to face each other, and a guard electrode (5) is provided on the outer periphery side of an electron generation unit (31) of the emitter (3). The emitter (3) is supported by a support part (4) so as to be movable in both-end directions of the vacuum chamber (1). A reforming treatment is performed on the guard electrode (5) by operating the support part (4), moving the emitter (3) to the side towards an opening (21) (i.e., to a non-discharge position), producing a state in which field emission by the electron generation unit (31) is suppressed, and applying a voltage to the guard electrode (5) to perform discharging repeatedly. After the reforming treatment, the support part (4) is again operated, the emitter (3) is moved to the side towards an opening (22) (i.e., to a discharge position), and a state in which the electron generation unit (31) can perform field emission is produced.
(FR)L'invention concerne une chambre à vide (1) dotée d'un émetteur (3) et d'une cible (7) qui sont disposés de manière à se faire face l'un l'autre, et d'une électrode de garde (5) qui est disposée sur le côté périphérique extérieur d'une unité de génération d'électrons (31) de l'émetteur (3). L'émetteur (3) est supporté par une partie de support (4) de manière à être mobile dans les deux directions d'extrémité de la chambre à vide (1). Un traitement de reformage est effectué sur l'électrode de garde (5) par actionnement de la partie de support (4), par déplacement de l'émetteur (3) du côté d'une ouverture (21) (c'est-à-dire, vers une position de non-décharge), par production d'un état permettant de supprimer l'émission de champ par l'unité de génération d'électrons (31), et par application d'une tension à l'électrode de garde (5) pour effectuer une décharge de façon répétée. Après le traitement de reformage, la partie de support (4) est de nouveau actionnée, l'émetteur (3) est déplacé du côté d'une ouverture (22) (c'est-à-dire, vers une position de décharge), et un état permettant à l'unité de génération d'électrons (31) d'effectuer une émission de champ est produit.
(JA) 真空室(1)においてエミッタ(3)およびターゲット(7)を互いに対向して配置し、エミッタ(3)の電子発生部(31)の外周側には、ガード電極(5)を備える。エミッタ(3)は、支持部(4)により、真空室(1)の両端方向に対し移動自在に支持する。ガード電極(5)の改質処理は、支持部(4)を操作し、エミッタ(3)を開口(21)側に移動(無放電位置に移動)して、電子発生部(31)の電界放射を抑制した状態にし、ガード電極(5)に電圧を印加し放電を繰り返して行う。改質処理の後は、再び支持部(4)を操作し、エミッタ(3)を開口(22)側に移動(放電位置に移動)し、電子発生部(31)の電界放射が可能な状態にする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)