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1. (WO2016104339) PHOTOSENSOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104339    International Application No.:    PCT/JP2015/085411
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 17.12.2015
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: TOMYO Atsushi; (--).
MIYAMOTO Tadayoshi; (--).
TOMIYASU Kazuhide; (--).
ITO Kazuatsu; (--)
Agent: KAWAKAMI Keiko; (JP)
Priority Data:
2014-262402 25.12.2014 JP
Title (EN) PHOTOSENSOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE PHOTOCAPTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) フォトセンサ基板、及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This photosensor substrate (10) is provided with a plurality of sensor parts (1). Each sensor part (1) comprises a switching element (2), a lower electrode (3) that is connected to the switching element (2), and a photoelectric conversion element (4). This photosensor substrate (10) is also provided with: wiring lines (G, D) which are connected to respective switching elements of the plurality of sensor parts, and are led out to the outside of a sensor area (SA); and terminal parts (TG, TD) which are connected to the wiring lines (G, D) led out from the sensor area (SA). Each terminal part (TG, TD) comprises: a protective layer (4a) that is provided over the wiring line (G, D) led out from the sensor area and contains a material that is used in the photoelectric conversion element (4); and a terminal conductor (6) that is connected to the wiring line (G, D) through an opening (CH1) that is provided in the protective layer (4a).
(FR)L'invention concerne un substrat de photocapteur (10) qui est pourvu d'une pluralité de parties capteur (1). Chaque partie capteur (1) comprend un élément de commutation (2), une électrode inférieure (3) qui est connectée à l'élément de commutation (2), et un élément de conversion photoélectrique (4). Ce substrat de photocapteur (10) est également pourvu : de lignes de câblage (G, D) qui sont connectées aux éléments de commutation respectifs de la pluralité de parties capteur, et sont menées jusqu'à l'extérieur d'une zone de capteurs (SA); et de parties borne (TG, TD) qui sont connectées aux lignes de câblage (G, D) sortant de la zone de capteurs (SA). Chaque partie borne (TG, TD) comprend : une couche de protection (4a) qui est disposée au-dessus de la ligne de câblage (G, D) sortant de la zone de capteurs et contient un matériau qui est utilisé dans l'élément de conversion photoélectrique (4); et un conducteur de borne (6) qui est connecté à la ligne de câblage (G, D) par l'intermédiaire d'une ouverture (CH1) qui est ménagée dans la couche de protection (4a).
(JA) フォトセンサ基板(10)は、複数のセンサ部(1)を備える。センサ部(1)のそれぞれは、スイッチング素子(2)と、スイッチング素子(2)に接続される下部電極(3)と、光電変換素子(4)とを含む。フォトセンサ基板(10)は、複数のセンサ部それぞれのスイッチング素子に接続され、センサ領域(SA)の外側へ引き出される配線(G、D)と、センサ領域(SA)内から引き出された配線(G、D)に接続される端子部(TG、TD)とを備える。端子部(TG、TD)は、センサ領域外に引き出された配線(G、D)に重ねて設けられ光電変換素子(4)で用いられる材料を含む保護層(4a)と、保護層(4a)に設けられた開口(CH1)を介して配線(G、D)に接続される端子導体(6)とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)