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1. (WO2016104239) REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104239    International Application No.:    PCT/JP2015/085020
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 15.12.2015
IPC:
G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/32 (2012.01)
Applicants: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347 (JP)
Inventors: HAMAMOTO, Kazuhiro; (JP).
IKEBE, Yohei; (JP)
Agent: TSUKUNI & ASSOCIATES; Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP)
Priority Data:
2014-260280 24.12.2014 JP
Title (EN) REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to obtain a reflective mask blank which enables high contrast to be obtained in an edge portion of a phase shift film pattern. A reflective mask blank in which a multilayer reflection film and a phase shift film for shifting the phase of EUV light are formed in this order on a substrate is characterized in that in a 1μm×1μm region of the surface of the phase shift film, root-mean-square roughness (Rms) obtained by measurement with an atomic force microscope is 0.50 nm or less, and power spectral density at a spatial frequency of 10-100 μm-1 is 17 nm4 or less.
(FR)La présente invention a pour but d'obtenir une ébauche de masque réfléchissant qui permet d'obtenir un contraste élevé dans une partie bord d'un motif de film à décalage de phase. Une ébauche de masque réfléchissant dans laquelle un film de réflexion multicouche et un film à décalage de phase pour décaler la phase de la lumière de l'ultraviolet extrême (UVE) sont formés dans cet ordre sur un substrat est caractérisée en ce que, dans une région de 1 μm × 1 μm de la surface du film à décalage de phase, la rugosité quadratique moyenne (Rms) obtenue par mesure avec un microscope à forces atomiques est de 0,50 nm ou moins, et la densité spectrale de puissance à une fréquence spatiale de 10-100 μm-1 est de 17 nm4 ou moins.
(JA) 位相シフト膜パターンのエッジ部で高いコントラストを得ることのできる反射型マスクブランクを得る。 基板上に多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜表面における1μm×1μm領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.50nm以下であり、かつ空間周波数10~100μm-1のパワースペクトル密度が17nm以下であることを特徴とする反射型マスクブランクである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)