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1. (WO2016104206) DOPING METHOD, DOPING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104206    International Application No.:    PCT/JP2015/084883
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 14.12.2015
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: UEDA, Hirokazu; (JP).
OKA, Masahiro; (JP).
KOBAYASHI, Yuuki; (JP).
SUGIMOTO, Yasuhiro; (JP)
Agent: SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Priority Data:
2014-260604 24.12.2014 JP
Title (EN) DOPING METHOD, DOPING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE, DISPOSITIF DE DOPAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ドーピング方法、ドーピング装置および半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a doping method for doping by injecting a dopant into a substrate to be processed. According to this doping method, the value of bias electric power supplied during a plasma doping process is set to a predetermined value predicated on a washing process to be implemented after the plasma doping, and plasma is generated in a processing vessel using microwaves so as to subject the substrate to be processed, being held on a holding base in the processing vessel, to the plasma doping process.
(FR)L'invention concerne un procédé de dopage pour réaliser un dopage par injection d'un dopant dans un substrat à traiter. Selon ce procédé de dopage, la valeur de la puissance électrique de polarisation fournie durant un processus de dopage par plasma est réglée à une valeur prédéterminée fondée sur un processus de lavage devant être exécuté après le dopage par plasma, et un plasma est généré dans une cuve de traitement à l'aide d'hyperfréquences de manière à soumettre le substrat à traiter, qui est maintenu sur une base de support dans la cuve de traitement, au processus de dopage par plasma.
(JA) 被処理基板にドーパントを注入してドーピングを行うドーピング方法である。当該ドーピング方法によれば、プラズマドーピング処理時に供給するバイアス電力の値を、プラズマドーピング後に実施する洗浄処理を前提とした所定値に設定して、マイクロ波を用いて処理容器内にプラズマを発生させることで処理容器内の保持台に保持された被処理基板に対してプラズマドーピング処理を行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)