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1. (WO2016104185) DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104185    International Application No.:    PCT/JP2015/084786
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 11.12.2015
IPC:
G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: UCHIDA Seiichi; (--).
OKADA Kuniaki; (--).
UEDA Naoki; (--)
Agent: OKUDA Seiji; (JP)
Priority Data:
2014-263862 26.12.2014 JP
Title (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve the aperture ratio of a display device that is provided with an oxide semiconductor TFT. A first substrate (10) of a display device (100A) according to the present invention comprises a TFT (2) that is provided in each pixel and has an oxide semiconductor layer. A second substrate (20) comprises a color filter layer (22) and a light blocking layer (21). At least one color filter among first, second and third color filters contained in the color filter layer has an average transmittance of 0.2% or less with respect to visible light having a wavelength of 450 nm or less. The light blocking layer has (a) a TFT light blocking part (21t) which extends along the channel length direction (DL) and has a width that is not more than the length of the oxide semiconductor layer in the channel width direction (DW), (b) a TFT light blocking part which extends along the channel width direction and has a width that is not more than the length of the oxide semiconductor layer in the channel length direction, or (c) no TFT light blocking part, in a pixel that is provided with a color filter having an average transmittance of 0.2% or less with respect to visible light having a wavelength of 450 nm or less.
(FR)L'objet de la présente invention est d'améliorer le rapport d'ouverture d'un dispositif d'affichage qui est pourvu d'un TFT semi-conducteur à oxyde. Un premier substrat (10) d'un dispositif d'affichage (100A) selon la présente invention comprend un TFT (2) qui est disposé dans chaque pixel et qui comporte une couche semi-conductrice à oxyde. Un second substrat (20) comprend une couche de filtres colorés (22) et une couche de blocage de lumière (21). Au moins un filtre coloré parmi des premier, deuxième et troisième filtres colorés contenus dans la couche de filtres colorés présente une transmittance moyenne inférieure ou égale à 0,2 % par rapport à de la lumière visible ayant une longueur d'onde inférieure ou égale à 450 nm. La couche de blocage de lumière comporte (a) une partie de blocage de lumière (21t) de TFT qui s'étend dans le sens de la longueur (DL) de canal et qui a une largeur inférieure ou égale à la longueur de la couche semi-conductrice à oxyde dans le sens de la largeur (DW) de canal, (b) une partie de blocage de lumière de TFT qui s'étend dans le sens de la largeur de canal et qui a une largeur inférieure ou égale à la longueur de la couche de semi-conducteur à oxyde dans le sens de la longueur de canal, ou (c) ne comporte pas de partie de blocage de lumière de TFT, dans un pixel qui est pourvu d'un filtre coloré présentant une transmittance moyenne inférieure ou égale à 0,2 % par rapport à de la lumière visible ayant une longueur d'onde inférieure ou égale à 450 nm.
(JA) 本発明は、酸化物半導体TFTを備えた表示装置の開口率を向上させることを目的とする。 本発明の表示装置(100A)の第1基板(10)は、各画素に設けられ、酸化物半導体層を有するTFT(2)を有する。第2基板(20)は、カラーフィルタ層(22)および遮光層(21)を有する。カラーフィルタ層に含まれる第1、第2および第3カラーフィルタのうちの少なくとも1つは、波長450nm以下の可視光に対する平均透過率が0.2%以下である。遮光層は、波長450nm以下の可視光に対する平均透過率が0.2%以下のカラーフィルタが設けられている画素において、(a)チャネル長方向(DL)に沿って延び、酸化物半導体層のチャネル幅方向(DW)に沿った長さ以下の幅を有するTFT遮光部(21t)を有するか、(b)チャネル幅方向に沿って延び、酸化物半導体層のチャネル長方向に沿った長さ以下の幅を有するTFT遮光部を有するか、または、(c)TFT遮光部を有していない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)