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1. (WO2016104177) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/104177    International Application No.:    PCT/JP2015/084761
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 11.12.2015
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventors: HIRATA Shintarou; (JP).
YAMAGUCHI Tetsuji; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP).
FUKUOKA Shinpei; (JP).
MANDA Shuji; (JP)
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP)
Priority Data:
2014-264288 26.12.2014 JP
2015-204246 16.10.2015 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure relates to a solid-state image capture element enabling a decrease in signal mixing due to electric capacitive coupling with an adjacent pixel, a method for manufacturing the same, and an electronic device. In the solid-state image capture element, a first pixel and a second pixel are disposed adjacent to each other. Each of the first pixel and the second pixel includes a photoelectric conversion film for photoelectric conversion of incident light, and a lower electrode disposed under the film, with another electrode different from the lower electrode provided between the lower electrodes of the first pixel and the second pixel. The present disclosure can be applied, for example, to a solid-state image capture element.
(FR)La présente invention concerne un élément de capture d'image à semi-conducteur permettant une réduction du mélange de signaux en raison d'un couplage capacitif électrique avec un pixel adjacent, son procédé de fabrication, et un dispositif électronique. Dans l'élément de capture d'image à semi-conducteur, un premier pixel et un second pixel sont disposés adjacents l'un à l'autre. Chacun des premier et second pixels comprend un film de conversion photoélectrique pour une conversion photoélectrique de la lumière incidente, et une électrode inférieure disposée sous le film, une autre électrode différente de l'électrode inférieure étant disposée entre les électrodes inférieures du premier pixel et du second pixel. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un élément de capture d'image à semi-conducteur.
(JA) 本開示は、隣接画素との電気的容量結合による信号混合を低減することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像素子では、第1画素と第2画素が隣接して配置されている。第1画素と第2画素のそれぞれは、入射された光を光電変換する光電変換膜と、その下方に配置された下部電極を有し、第1画素と第2画素の下部電極の間に、下部電極と異なる他の電極を備える。本開示は、例えば、固体撮像素子等に適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)