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1. (WO2016103748) METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/103748    International Application No.:    PCT/JP2015/060967
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 08.04.2015
IPC:
C30B 15/22 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventors: NARUSHIMA Yasuhito; (JP).
UTO Masayuki; (JP).
KUBOTA Toshimichi; (JP)
Agent: KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Priority Data:
2014-261123 24.12.2014 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for producing a single crystal, comprising: a straight body part formation step for forming the straight body part of a single crystal by bringing a seed crystal into contact with a dopant-added melt in which red phosphorus has been added to a silicon melt so that the resistivity of the single crystal is 0.9 mΩ·cm or lower, and then pulling up the same; and a separating step for separating the single crystal from the dopant-added melt, in a state where the temperature at the top end of the straight body part is 590˚C or higher.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal, comprenant : une étape de formation de partie corps droite afin de former la partie corps droite d'un monocristal en mettant en contact un germe cristallin avec une masse fondue additionnée d'un dopant dans laquelle du phosphore rouge a été ajouté à une masse fondue de silicium de sorte que la résistivité du monocristal est de 0,9 mΩ·cm ou inférieure, suivie de l'extraction de son extraction; et une étape de séparation destinée à séparer le monocristal de la masse fondue additionnée d'un dopant, dans un état où la température au niveau de l'extrémité supérieure de la partie corps droite est de 590 °C ou plus.
(JA)単結晶の製造方法であって、単結晶の抵抗率が0.9mΩ・cm以下となるように、シリコン融液に赤リンを添加したドーパント添加融液に、種子結晶を接触させた後に引き上げることで、単結晶の直胴部を形成する直胴部形成工程と、前記直胴部の上端の温度が590℃以上の状態で、単結晶をドーパント添加融液から切り離す切り離し工程とを行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)