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1. (WO2016103734) REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/103734    International Application No.:    PCT/JP2015/006487
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 25.12.2015
IPC:
G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/38 (2012.01), G03F 1/44 (2012.01)
Applicants: TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
Inventors: KONDO, Shinpei; (JP).
NISHIYAMA, Yasushi; (JP).
FUKUGAMI, Norihito; (JP).
SAKATA, Yo; (JP).
FURUNO, Hideki; (JP)
Agent: HIROSE, Hajime; (JP)
Priority Data:
2014-262294 25.12.2014 JP
Title (EN) REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 反射型マスク及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are a reflective mask which, even when digging into a multilayer reflection layer of the reflective mask, experiences no shift of pattern position in proximity to the dug area; and a method for manufacturing the reflective mask. This method for manufacturing a reflective mask includes a step for subjecting a reflective mask, in which mask a circuit pattern, or a pattern of a light-shielding frame having low reflectivity of EUV light and situated in at least a portion of an area outside the pattern area where the circuit pattern is arranged, is to be formed by digging into a multilayer reflection layer, to preliminary testing or dynamic simulation prior to digging, to calculate an amount of change of circuit pattern position in proximity to the digging area, and on the basis of the result of the calculation, the amount of shift is corrected in advance prior to digging, and the circuit pattern is formed.
(FR)Cette invention concerne un masque réfléchissant qui, même quand on creuse dans une couche réfléchissante multicouche du masque réfléchissant, ne subit aucun décalage de position de motif à proximité de la zone creusée ; et un procédé de fabrication dudit masque réfléchissant. Ce procédé de fabrication d'un masque réfléchissant comprend une étape de soumission d'un masque réfléchissant, ledit masque comportant un motif de circuit, ou un motif de cadre faisant écran à la lumière ayant une faible réflectivité de la lumière EUV et situé dans au moins une partie de zone à l'extérieur de la zone de motif où le motif de circuit se trouve, qui doit être formé en creusant dans une couche réfléchissante multicouche, à un essai préliminaire ou à une simulation dynamique avant le creusement, pour calculer la valeur du changement de position du motif de circuit à proximité de la zone de creusement, et sur la base du résultat du calcul, de correction du décalage a priori, avant le creusement et la formation du motif de circuit.
(JA) 反射型マスクの多層反射層を掘り込んでも、掘り込み領域近傍のパターン位置がずれない反射型マスク及びこの反射型マスクの製造方法を提供する。反射型マスクの製造方法は、多層反射層の掘り込みにより、回路パターン、又は前記回路パターンが配置されるパターン領域の外側の少なくとも一部に設けられるEUV光の反射率の低い遮光枠のパターンが形成される反射型マスクに対して、掘り込み領域近傍の回路パターンの位置変化量を、掘り込みに先立つ事前の実験もしくは力学シミュレーションで算出し、算出の結果を元に、掘り込み前に予めずれ量を補正しておき、回路パターンを形成する工程を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)