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1. (WO2016103514) PIEZOELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND DEVICE USING PIEZOELECTRIC ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/103514    International Application No.:    PCT/JP2014/084701
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 26.12.2014
IPC:
H01L 41/187 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), H01L 41/39 (2013.01)
Applicants: SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630811 (JP)
Inventors: SUMI, Koji; (JP).
KITADA, Kazuya; (JP).
SAKAI, Tomohiro; (JP).
HAMADA, Yasuaki; (JP).
ISSHIKI, Tetsuya; (JP).
KIMURA, Satoshi; (JP).
ITO, Akio; (JP).
HANDA, Tsuneo; (JP)
Agent: KURIHARA, Hiroyuki; (JP)
Priority Data:
Title (EN) PIEZOELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND DEVICE USING PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) MATÉRIAU PIÉZOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE, ET DISPOSITIF UTILISANT UN ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電材料及びその製造方法、並びに圧電素子及び圧電素子応用デバイス
Abstract: front page image
(EN)A piezoelectric material containing: a first component comprising a lead-free complex oxide having a perovskite structure, having a Curie temperature of Tc1, and comprising rhombohedral crystals in a single composition; a second component comprising a lead-free complex oxide having a perovskite structure, exhibiting a Curie temperature Tc2 lower than Tc1, and comprising rhombohedral crystals in a single composition; and a third component comprising a lead-free complex oxide differing from the second component, having a perovskite structure, having a Curie temperature Tc3 equal to or higher than Tc1, and comprising rhombohedral crystals in a single composition, just as the second component does. Furthermore, if the mole ratio of the third component to the total of the second and third components is α, and α×Tc3+(1-α)×Tc2=Tc4, |Tc4-Tc2| is 50°C or less.
(FR)L'invention concerne un matériau piézoélectrique contenant : un premier composant comprenant un oxyde complexe sans plomb ayant une structure pérovskite, ayant une température de Curie Tc1, et formant un rhomboèdre en tant que composition indépendante ; un deuxième composant comprenant un oxyde complexe sans plomb ayant une structure pérovskite, présentant une température de Curie Tc2 inférieure à Tc1, et formant un cristal autre que le rhomboèdre en tant que composition indépendante ; et un troisième composant comprenant un oxyde complexe sans plomb différent du deuxième composant, ayant une structure pérovskite, ayant une température de Curie Tc3 supérieure ou égale à Tc1, et formant un cristal autre que le rhomboèdre en tant que composition indépendante, tout comme dans le cas du deuxième composant. En outre, si le rapport molaire du troisième composant sur le total des deuxième et troisième composants est α, et si α × Tc3 + (1 - α) × Tc2 = Tc4, alors la relation |Tc4-Tc2| est inférieure ou égale à 50 °C.
(JA) 単独組成では菱面体晶であり、キュリー温度がTc1であり、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第1成分と、単独組成では菱面晶以外の結晶であり、キュリー温度Tc2が前記Tc1より低く、且つペロブスカイト型構造を有する非鉛系の複合酸化物からなる第2成分と、単独組成では前記第2成分と同じ前記菱面体晶以外の結晶であり、キュリー温度Tc3が前記Tc1以上であり、ペロブスカイト型構造を有し、且つ前記第2成分とは異なる非鉛系の複合酸化物からなる第3成分と、を含有し、前記第2成分と前記第3成分との合計に対する前記第3成分のモル比をαとし、α×Tc3+(1-α)×Tc2=Tc4とした場合、|Tc4-Tc2|が50℃以下である、圧電材料。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)