WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016103315) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND IMAGE PICKUP DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/103315    International Application No.:    PCT/JP2014/083875
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 22.12.2014
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
Inventors: AOKI Jun; (JP)
Agent: TANAI Sumio; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRISE DE VUES SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE PRISE DE VUES
(JA) 固体撮像装置および撮像装置
Abstract: front page image
(EN)This solid-state image pickup device has a first semiconductor substrate and a second semiconductor substrate. The first semiconductor substrate has a first photoelectric conversion unit and a peripheral circuit. The first photoelectric conversion unit is disposed in a first region having a first thickness. The peripheral circuit is disposed in a second region having a second thickness. The first photoelectric conversion unit converts light into signals, said light having a first wavelength. The second thickness is larger than the first thickness. The second semiconductor substrate has a second photoelectric conversion unit, and is laminated on the first semiconductor substrate. The second photoelectric conversion unit converts light into signals, said light having a second wavelength. The second wavelength is longer than the first wavelength.
(FR)L'invention concerne un dispositif de prise de vues semi-conducteur comprenant un premier substrat semi-conducteur et un deuxième substrat semi-conducteur. Le premier substrat semi-conducteur comprend une première unité de conversion photoélectrique et un circuit périphérique. La première unité de conversion photoélectrique est disposée dans une première zone présentant une première épaisseur. Le circuit périphérique est disposé dans une deuxième zone présentant une deuxième épaisseur. La première unité de conversion photoélectrique convertit la lumière en signaux, ladite lumière présentant une première longueur d'onde. La deuxième épaisseur est supérieure à la première. Le deuxième substrat semi-conducteur comprend une deuxième unité de conversion photoélectrique et est stratifié sur le premier substrat semi-conducteur. La deuxième unité de conversion photoélectrique convertit la lumière en signaux, ladite lumière présentant une deuxième longueur d'onde. La deuxième longueur d'onde est supérieure à la première.
(JA) 固体撮像装置は、第1の半導体基板と第2の半導体基板とを有する。前記第1の半導体基板は、第1の光電変換部と周辺回路とを有する。前記第1の光電変換部は第1の厚さの第1の領域に配置される。前記周辺回路は第2の厚さの第2の領域に配置される。前記第1の光電変換部は第1の波長の光を信号に変換する。前記第2の厚さは前記第1の厚さよりも大きい。前記第2の半導体基板は、第2の光電変換部を有し、前記第1の半導体基板に積層される。前記第2の光電変換部は第2の波長の光を信号に変換する。前記第2の波長は前記第1の波長よりも長い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)