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1. (WO2016102922) MEMS TRANSDUCER PACKAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/102922    International Application No.:    PCT/GB2015/053726
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 04.12.2015
IPC:
H04R 19/00 (2006.01), H04R 31/00 (2006.01), H04R 1/38 (2006.01), H04R 19/04 (2006.01)
Applicants: CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LIMITED [GB/GB]; 7B Nightingale Way Quartermile Edinburgh EH3 9EG (GB)
Inventors: HOEKSTRA, Tsjerk; (GB).
PATTEN, David Talmage; (US)
Agent: REES, Simon John Lewis; (GB)
Priority Data:
62/096,445 23.12.2014 US
Title (EN) MEMS TRANSDUCER PACKAGE
(FR) EMBALLAGE DE TRANSDUCTEUR DE SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE (MEMS)
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a micro-electrical-mechanical system (MEMS) transducer chip scale package. The method comprising: providing (101) a front side pre-fabricated semiconductor die wafer (1) comprising a plurality of individual die that each comprise at least a MEMS transducer. And back etching (104) the semiconductor die wafer (1) at the back side (4) of the semiconductor die wafer (1) by etching an acoustic die channel (5) through each respective die of the plurality of die and etching a die back volume (6) into each respective die of the plurality of die. The semiconductor die wafer (1) is capped with a cap wafer (16) such that a wafer level packaged MEMS transducer wafer is provided containing multiple MEMS transducer chip scale packages.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un emballage à l'échelle d'une puce de transducteur de système microélectromécanique (MEMS). Le procédé consiste à : fournir (101) une tranche de matrice semi-conductrice préfabriquée côté avant (1) comprenant une pluralité de matrices individuelles qui comprennent chacune au moins un transducteur MEMS; et réaliser une morsure de descente d'intensité (104) sur la tranche de matrice semi-conductrice (1) sur le côté arrière (4) de la tranche de matrice semi-conductrice (1) par réalisation d'une morsure sur un canal de matrice acoustique (5) par l'intermédiaire de chaque matrice respective de la pluralité de matrices et réalisation d'une morsure sur un volume arrière de matrice (6) dans chaque matrice respective de la pluralité de matrices. La tranche de matrice semi-conductrice (1) est recouverte d'une tranche de capuchon (16) de telle sorte qu'une tranche de transducteur MEMS emballée niveau tranche est fournie, contenant de multiples emballages à l'échelle d'une puce de transducteur MEMS.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)