WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016102751) GRAPHENE DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/102751    International Application No.:    PCT/FI2015/050838
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 01.12.2015
IPC:
B82Y 10/00 (2011.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/88 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01)
Applicants: NOKIA TECHNOLOGIES OY [FI/FI]; Karaportti 3 02610 Espoo (FI)
Inventors: ASTLEY, Michael; (GB)
Agent: NOKIA TECHNOLOGIES OY; Ari Aarnio IPR Department Karakaari 7 02610 Espoo (FI)
Priority Data:
14200335.9 24.12.2014 EP
Title (EN) GRAPHENE DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING DEVICE
(FR) DISPOSITIF À TUNNEL DE RÉSONANCE AVEC UNE DOUBLE BARRIÈRE DE GRAPHÈNE
Abstract: front page image
(EN)An apparatus comprising: a fermion source nanolayer (90); a first insulating nanolayer (92); a fermion transport nanolayer (94); a second insulating nanolayer (96); a fermion sink nanolayer (98); a first contact for applying a first voltage to the fermion source nanolayer; a second contact for applying a second voltage to the fermion sink nanolayer; and a transport contact for enabling an electric current via the fermion transport nanolayer. In a particular example, the apparatus comprises three graphene sheets (90, 94, 98) interleaved with two-dimensional Boron-Nitride (hBN) layers (92, 96).
(FR)La présente invention a trait à un appareil qui comprend : une nanocouche source de fermion (90); une première nanocouche isolante (92); une nanocouche de transport de fermion (94); une seconde nanocouche isolante (96); une nanocouche de dissipation de fermion (98); un premier contact servant à appliquer une première tension à la nanocouche source de fermion; un second contact conçu pour appliquer une seconde tension à la nanocouche de dissipation de fermion; ainsi qu'un contact de transport prévu pour valider un courant électrique par l'intermédiaire de la nanocouche de transport de fermion. Dans un exemple particulier, l'appareil comporte trois feuilles de graphène (90, 94, 98) intercalées avec des couches (92, 96) de nitrure de bore (hBN) bidimensionnelles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)