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1. (WO2016102189) SEMICONDUCTOR-BASED GAS SENSOR ASSEMBLY FOR DETECTING A GAS AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/102189    International Application No.:    PCT/EP2015/079233
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 10.12.2015
IPC:
G01N 27/414 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventors: KUNZ, Denis; (DE).
SCHREIVOGEL, Martin; (DE)
Priority Data:
10 2014 226 816.8 22.12.2014 DE
Title (DE) HALBLEITERBASIERTE GASSENSORANORDNUNG ZUM DETEKTIEREN EINES GASES UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SEMICONDUCTOR-BASED GAS SENSOR ASSEMBLY FOR DETECTING A GAS AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
(FR) SYSTÈME DE CAPTEUR DE GAZ À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine halbleiterbasierte Gassensoranordnung (H1) zum Detektieren eines Gases, welcheeine gassensitive Struktur (S1) umfassend eine Gaselektrode (E1), eine Elektrode (E2) und eine zwischen der Gaselektrode und der Elektrode (E1, E2) angeordneten zumindest teilweise polarisierbaren dielektrischen Schicht (D1) aufweist, wobei eine durch die gassensitive Struktur (S1) gebildete Kapazität mit einem Gate (G1) eines Auslesetransistors (A1) gekoppelt ist und der Auslesetransistor (A1) in oder an einem Substrat (T1) angeordnet ist.
(EN)The invention relates to a semiconductor-based gas sensor assembly (H1) for detecting a gas, said assembly having a gas-sensitive structure (S1) comprising a gas electrode (E1), an electrode (E2) and a dielectric layer (D1) which is arranged between the gas electrode and the electrode (E1, E2) and which can be at least partially polarized. A capacitance formed by the gas-sensitive structure (S1) is coupled to a gate (G1) of a readout transistor (A1) and the readout transistor (A1) is arranged in or on a substrate (T1).
(FR)L'invention concerne un système de capteur de gaz (H1) à semi-conducteur servant à détecter un gaz et présentant une structure sensible au gaz (S1) comprenant une électrode à gaz (E1), une électrode (E2) et une couche diélectrique (D1) au moins en partie polarisable agencée entre l'électrode à gaz et l'électrode (E1, E2), un condensateur formé par la structure sensible étant (S1) couplé à une grille (G1) d'un transistor de lecture (A1) et le transistor de lecture (A1) étant agencé dans ou sur un substrat (T1).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)