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1. (WO2016101392) MANUFACTURE METHOD FOR AMOLED BACK PLATE AND STRUCTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/101392    International Application No.:    PCT/CN2015/072505
Publication Date: 30.06.2016 International Filing Date: 09.02.2015
IPC:
H01L 27/32 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 9-2, Tangming Road Guangming District of Shenzhen Guangdong 518132 (CN)
Inventors: HSU, Yuanjun; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E Shenkan Building,Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201410837308.1 26.12.2014 CN
Title (EN) MANUFACTURE METHOD FOR AMOLED BACK PLATE AND STRUCTURE THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN PLAQUE ARRIÈRE AMOLED ET SA STRUCTURE
(ZH) AMOLED背板的制作方法及其结构
Abstract: front page image
(EN)A manufacture method for an AMOLED back plate and a structure thereof. The manufacture method for an AMOLED back plate is as follows: a buffer layer (2) and an amorphous silicon layer are sequentially deposited on a substrate (1), the amorphous silicon layer is crystallized and transformed into a polycrystalline silicon layer, and the polycrystalline silicon layer is patterned, a P-type heavily doped microcrystalline silicon layer (P+ uc-Si) is then deposited, next, a yellow photolithography process is carried out to define the position of a channel (40), then the P-type heavily doped microcrystalline silicon layer (P+ uc-Si) is etched to form a source/drain (41), and a gate insulation layer (5), a gate (61), an interlayer insulation layer (7), a metal source/drain (81), a flat layer (9), an anode (10), a pixel definition layer (11) and a photoresist spacer (12) are sequentially formed in a later period, wherein the source/drain (41) and the gate (61) do not overlap in the horizontal direction and are spaced from each other. The method can improve the electrical characteristics of a driving TFT so that a conductive current is higher, a leakage current is lower, image retention is reduced, and the display quality of an AMOLED is improved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque arrière AMOLED et d'une structure de celle-ci. Le procédé de fabrication d'une plaque arrière AMOLED est défini comme suit : une couche tampon (2) et une couche de silicium amorphe sont déposées de manière séquentielle sur un substrat (1), la couche de silicium amorphe est cristallisée et transformée en une couche de silicium polycristallin, et la couche de silicium polycristallin est formée de motifs, une couche de silicium microcristalline fortement dopée de type P (P + uc-Si) est ensuite déposée, puis un processus de photolithographie sur fond jaune est effectué afin de définir la position d'un canal (40), et la couche de silicium microcristallin fortement dopée de type P (P + uc-Si) est gravée pour former une source/drain (41), et une couche d'isolation de grille (5), une grille (61), une couche d'isolation intercouche (7), une source/drain métallique (81), une couche plate (9), une anode (10), une couche de définition de pixels (11), et un élément d'espacement de photorésine (12) sont formés successivement ultérieurement, la source/drain (41) et la grille (61) ne se chevauchent pas dans la direction horizontale et sont espacées l'une de l'autre. Le procédé permet d'améliorer les caractéristiques électriques d'un transistor à couches minces (TFT) de commande, de sorte qu'un courant conducteur est plus élevé, qu'un courant de fuite est inférieur, que la rétention d'image est réduite et que la qualité d'affichage d'une AMOLED est améliorée.
(ZH)一种AMOLED背板的制作方法及其结构。该AMOLED背板的制作方法为:依次在基板(1)上沉积缓冲层(2)、非晶硅层,使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层并图案化多晶硅层,然后沉积一层P型重掺杂微晶硅层(P+ uc-Si),接着进行黄光制程定义出沟道(40)的位置,再对P型重掺杂微晶硅层(P+ uc-Si)进行蚀刻,形成源/漏极(41),后续依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(61)、层间绝缘层(7)、金属源/漏极(81)、平坦层(9)、阳极(10)、像素定义层(11)、及光阻间隙物(12);所述源/漏极(41)与栅极(61)在水平方向上不重叠,相互间隔。该方法能够改善驱动TFT的电特性,使导通电流较高、漏电流较低,并减少图像残留,提高AMOLED的显示质量。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)