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1. (WO2016100967) VANADIUM OXIDE COMPOSITIONS AND SYSTEMS AND METHODS FOR CREATING THEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/100967    International Application No.:    PCT/US2015/067047
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 21.12.2015
IPC:
C01G 31/02 (2006.01)
Applicants: DIMIEN LLC [US/US]; 1576 Sweet Home Road, Suite 230A Amherst, NY 14228 (US)
Inventors: SCHULTZ, Brian, J.; (US).
DEPNER, Sean, W.; (US)
Agent: D'SILVA, Jonathan, M.; (US)
Priority Data:
62/094,639 19.12.2014 US
Title (EN) VANADIUM OXIDE COMPOSITIONS AND SYSTEMS AND METHODS FOR CREATING THEM
(FR) COMPOSITIONS D'OXYDE DE VANADIUM AINSI QUE SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE CRÉATION DE CELLES-CI
Abstract: front page image
(EN)A system for creating targeted vanadium oxide (VO2) nanoparticle compositions comprising a stock reaction mixture that is a fluid combination of at least one vanadium source combined with at least one dopant source. Each dopant source contains at least one target dopant element. The ratio of the number of vanadium atoms in the vanadium source to the number of target dopant element atoms in the dopant source is less than or equal to 10:1. A solvent that is compatible with said stock reaction mixture is selected. A pressure regulator increases the pressure of the solvent and the stock reaction mixture to between 0 and 5,000 psi. A heating element increases the temperature of the solvent to between 50 and 500°C. A mixing unit receives and mixes a continuous flow of stock reaction mixture with solvent to heat the stock reaction mixture and initiate formation of the targeted vanadium oxide (VO2) nanoparticle composition.
(FR)La présente invention concerne un système de création de compositions ciblées de nanoparticules d'oxyde de vanadium (VO2) comprenant un mélange réactionnel de base qui est une combinaison fluidique d'au moins une source de vanadium combinée à au moins une source de dopant. Chaque source de dopant contient au moins un élément dopant cible. Le rapport du nombre d'atomes de vanadium dans la source de vanadium au nombre d'atomes d'élément dopant cible dans la source de dopant est inférieur ou égal à 10:1. Un solvant qui est compatible avec ledit mélange réactionnel de base est sélectionné. Un régulateur de pression augmente la pression du solvant et du mélange réactionnel de base à une valeur comprise entre 0 et 5 000 psi. Un élément chauffant augmente la température du solvant à une valeur comprise entre 50 et 500 °C. Une unité de mélange reçoit et mélange un flux continu du mélange réactionnel de base avec un solvant afin de chauffer le mélange réactionnel de base et lancer la formation de la composition ciblée de nanoparticules d'oxyde de vanadium (VO2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)