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1. (WO2016100805) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTIPLE SPACE-CHARGE CONTROL ELECTRODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/100805    International Application No.:    PCT/US2015/066650
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 18.12.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1195 Atlas Road Columbia, SC 29209 (US)
Inventors: SIMIN, Grigory; (US).
SHUR, Michael; (US).
GASKA, Remigijus; (US)
Agent: LABATT, John, W.; (US)
Priority Data:
14/576,310 19.12.2014 US
14/576,303 19.12.2014 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTIPLE SPACE-CHARGE CONTROL ELECTRODES
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT DE MULTIPLES ÉLECTRODES DE COMMANDE DE CHARGE D'ESPACE
Abstract: front page image
(EN)A circuit including a semiconductor device having a set of space-charge control electrodes is provided. The set of space-charge control electrodes is located between a first terminal, such as a gate or a cathode, and a second terminal, such as a drain or an anode, of the device. The circuit includes a biasing network, which supplies an individual bias voltage to each of the set of space-charge control electrodes. The bias voltage for each space-charge control electrode can be: selected based on the bias voltages of each of the terminals and a location of the space-charge control electrode relative to the terminals and/or configured to deplete a region of the channel under the corresponding space-charge control electrode at an operating voltage applied to the second terminal.
(FR)L'invention concerne un circuit comprenant un dispositif à semi-conducteur ayant un ensemble d'électrodes de commande de charge d'espace. L'ensemble d'électrodes de commande de charge d'espace est situé entre une première borne, telle qu'une grille ou une cathode, et une seconde borne, telle qu'un drain ou une anode, du dispositif. Le circuit comprend un réseau de polarisation, qui fournit une tension de polarisation individuelle à chaque électrode de l'ensemble d'électrodes de commande de charge d'espace. La tension de polarisation pour chaque électrode de commande de charge d'espace peut être sélectionnée sur la base des tensions de polarisation de chacune des bornes et d'un emplacement de l'électrode de commande de charge d'espace par rapport aux bornes et/ou configurée de sorte à réduire une région du canal sous l'électrode de commande de charge d'espace correspondante à une tension de fonctionnement appliquée à la seconde borne.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)