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1. (WO2016100560) METHOD OF MARKING A SEMICONDUCTOR PACKAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/100560    International Application No.:    PCT/US2015/066176
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 16.12.2015
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Applicants: DECA TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 7855 South River Parkway, Ste. 111 Tempe, AZ 85284 (US)
Inventors: SCANLAN, Christopher, M.; (US)
Agent: BOOTH, Kenneth, C.; (US)
Priority Data:
14/971,458 16.12.2015 US
62/092,322 16.12.2014 US
Title (EN) METHOD OF MARKING A SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) PROCÉDÉ DE MARQUAGE D'UN EMBALLAGE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method of making a semiconductor device can include providing a wafer comprising a plurality of semiconductor die, wherein each semiconductor die comprises an active surface and a backside opposite the active surface. A photosensitive layer can be formed over the wafer and on a backside of each of the plurality of semiconductor die within the wafer with a coating machine. An identifying mark can be formed within the photosensitive layer for each of the plurality of semiconductor die with a digital exposure machine and a developer, wherein a thickness of the identifying mark is less than or equal to 50 percent of a thickness of the photosensitive layer. The photosensitive layer can be cured. The wafer can be singulated into a plurality of semiconductor devices.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui peut comprendre la fourniture d'une plaquette comprenant une pluralité de matrices semi-conductrices, chaque matrice semi-conductrice comprenant une surface active et un côté arrière situé à l'opposé de la surface active. Une couche photosensible peut être formée au-dessus de la plaquette et sur un côté arrière de chaque matrice parmi la pluralité de matrices semi-conductrices à l'intérieur de la plaquette avec une machine de revêtement. Une marque d'identification peut être formée à l'intérieur de la couche photosensible pour chaque matrice parmi la pluralité de matrices semi-conductrices avec une machine d'exposition numérique et un révélateur, une épaisseur de la marque d'identification étant inférieure ou égale à 50 pour cent d'une épaisseur de la couche photosensible. La couche photosensible peut être durcie. La plaquette peut être divisée en une pluralité de dispositifs à semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)