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1. (WO2016100239) THICK DAMAGE BUFFER FOR FOIL-BASED METALLIZATION OF SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/100239    International Application No.:    PCT/US2015/065643
Publication Date: 23.06.2016 International Filing Date: 14.12.2015
IPC:
H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01)
Applicants: SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventors: KAVULAK, David Fredric Joel; (US).
HARLEY, Gabriel; (US).
PASS, Thomas P.; (US)
Agent: VINCENT, Lester J.; (US)
Priority Data:
14/572,170 16.12.2014 US
Title (EN) THICK DAMAGE BUFFER FOR FOIL-BASED METALLIZATION OF SOLAR CELLS
(FR) COUCHE D'AMORTISSEMENT ÉPAISSE UTILISABLE EN VUE DE LA MÉTALLISATION, FAISANT APPEL À UNE FEUILLE MÉTALLIQUE, DE PHOTOPILES
Abstract: front page image
(EN)Approaches for the foil-based metallization of solar cells and the resulting solar cells are described. A method involves patterning a first surface of a metal foil to provide a plurality of alternating grooves and ridges in the metal foil. Non-conductive material regions are formed in the grooves in the metal foil. The metal foil is located above a plurality of alternating N-type and P-type semiconductor regions disposed in or above a substrate to provide the non-conductive material regions in alignment with locations between the alternating N-type and P-type semiconductor regions and to provide the ridges in alignment with the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The ridges of the metal foil are adhered to the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The metal foil is patterned through the metal foil from a second surface of the metal foil at regions in alignment with the non-conductive material regions.
(FR)L'invention porte sur des modes de métallisation, faisant appel à une feuille métallique, de photopiles et sur les photopiles ainsi obtenues. Un procédé consiste à structurer une première surface d'une feuille métallique afin de créer de multiples rainures et crêtes alternées dans la feuille métallique. Des régions à base d'un matériau non conducteur sont formées dans les rainures de la feuille métallique. La feuille métallique est positionnée au-dessus de multiples régions à semi-conducteurs de type N et de type P alternés, disposées dans ou au-dessus d'un substrat pour fournir lesdites régions à base d'un matériau non conducteur alignées avec des emplacements situés entre les régions à semi-conducteurs de type N et de type P alternés, ainsi que lesdites crêtes qui sont, elles, alignées avec les régions à semi-conducteurs de type N et de type P alternés. Les crêtes de la feuille métallique sont fixées aux régions à semi-conducteurs de type N et de type P alternés. La feuille métallique est structurée sur toute son épaisseur à partir de sa seconde surface située au niveau des régions alignées avec les régions à base du matériau non conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)